数字集成电路试题及答案

1、在装订线内，北京大学信息学院考试试卷考试科目：考试科目：数字集成电路原理考试时间考试时间考试时间考试时间考试时间名称：名称：学号：需要学号的文具和教师指定的用具除此之外的所有物品都禁止携带手机、寻呼机、MP3、电子词典、书、笔记本、纸等座位课，应放在指定位置。凡有试题印刷问题的，都向教练教师提出，向其他考生咨询，渡边杏。2认真、诚实、独立，在规定的时间内完成答卷，严禁任何形式的作弊。否则，本答卷的成绩将记录为零，并根据北京大学本科考试工作和学术规范条例给予纪律处分。3提前提交答卷的考生不要留在考场，不要在门口或窗外大声喧哗。考试结束的时间到了，所以只能停止答卷，在座位上等监考老师拿到答卷，检查

2、完毕后，才能离开考场。把试题和试卷从考场上拿出来渡边杏。以下是答卷。共6页1，空白填充1，(4点)CMOS逻辑回路中的NMOS管道为(增强)类型，PMOS管道为(增强)类型。NMOS管道的主体端点(土地)，PMOS管道的主体端点(VDD)。1 2、(8点)CMOS逻辑电路的功耗由三部分组成：(动态功耗)、(交换机中的短路功耗)和(静态功耗)。提高装置的阈值电压可以降低功耗(短路功率和静态)。3，(6分钟)饱和负载NMOS逆变器的三个茄子主要缺点是(输出高电平有阈值损失)，(输出低电平不是0牙齿，而是缩放系数Kr和相关)，(输出低电平静态功耗)。4，(3分钟)三状态输出电路的三茄子输出状态为(高

3、电平)、(低电平)和(高电阻状态)。其次，(12分钟)ABCDCBAY=)(静态CMOS电路，如果所有MOS管的电导率为K，分析与多个输入同步更改相对应的逆变器的电导率(KNeff和KPeff)，并分析电路在哪些输入状态下的最低噪声容差)。k neff=1/(1/3k 1/k)k/3=3k/4k/3=(13/12)k；kpeff=1/(1/3k 1/K)K/3=(13/12)K；当D=1、A、B、C同时发生变化时，三条连接的PMOS管在牵引通路上工作，下拉菜单在所有NMOS上工作。Kneff最大值、Kpeff最小值、传输特性曲线位于最左侧。2 3，(12分钟)分析以下两个电路的逻辑功能。所有输

4、入高平均为5V，输入低平均为0V，电源电压为5V，所有MOS管的阈值电压绝对值为0.8V。分析了两种电路的输出高水平、低水平和主要优缺点。(1) (2)电路1)=VBA vol baby 4.2V oh 1 5v oh 0，0，电路2) Baba baby=电路2)结构规则、逻辑灵活，并且变更输入信号在绑定行中，不要在4，(10点)下构建电路的逻辑表达式，输出高、低，称为VDD=5V，VTN=-VTP=1V。3解决方案：这是类PMOS电路，托架=。输出高平时有直流通道，高平由KPeff和KN决定。输出高电平时，PMOS线性区域，NMOS处于饱和区域。kpeff(0-vdd-VTP)2-(0-v

5、 out-VTP)2=k n(vdd-vtn)第二代值，简化：| | 3216 tprohouous5，(10分钟)绘制ECL电路的电流开关部分的电路图简述了为什么两个集电极电阻接收不同的值。2 Ilih BB VV=，Vin牙齿低级Vil时，T1闭合，T2传导，通过Rc2的电流，VC2=VCCCIE2RC2，Vc1=Vcc。Vin牙齿高工作日时，T1传导，T2闭合VC1=VCCCIE1RC1，Vc2=Vcc，Vbb和Vih不同，T1传导和T2传导的电流不同，因此必须创建VCCIE1RC1=VCCIC，以使输出等于低电平。4不要在绑定线内实现任何功能，如6，(20分)图电路。所有MOS管均为同

6、一大小，W=4 m，L=0.8m，Cox=210 -7F/cm2，电源电压为5V，则所有MOS管门槛电压的绝对值为0.8V，n=2p=600cm2/解决方案：当Vout=A(B C) (1)=0时，A，B在高工作日时，C1和C2将充电到高电平。=1时，c以高电平放电C2为0。因为a是低水平，所以V1保持预先充电的高水平5V。a越高，C越低，发生电荷共享，V1牙齿下降，V1在以下两种茄子情况下由高电平决定。)(2 1 TN DDDD VC VV=5 1 2 1 c v DD=导出：V1=3.2V导出：V1=；牙齿电平传递到CMOS逆变器，实现MP2饱和传导，MN1线性传导。kn2(v1-vtn)2-(v1-Vout-vtn)2=kp2(v1-vdd-VTP)2忽略Vout 2条目。层代值：v out=0.045v(2)(2 1 21 max RF TT F=DD neff ff vk ct1 11 8 . 18 . 1=DDP dl RR vk CCT 2 2 8 . 18 . 1=F max=2.5 GHz根据给定的输入波形绘制输出波形(假定初始输出为低电平)。使用牙齿电