太阳能硅片车间实习总结

1、实习总结2009.6.7、前后清洗工艺、工艺原理影响因素设备相关操作细节、工艺原理、预清洗(酸性式)、目的1 .在硅片表面形成绒面，根据托说唱乐原理减少反射，提高效率，最终降低发电成本2 后清洗(酸性式)，目的用hno3和hf的混合液蚀刻硅片表面，除去边缘的n型硅，使硅片的上下表面相互绝缘2 .除去硅片表面的psg。 在etch bath反应式： hno3si=sio2nox h2o sio2hf=si f4h2o si f4hf=h2si f6rena平台上，循环利用hf/hno3溶液对硅片进行浸渍蚀刻，其影响因素包括含有小滚珠速度、溶液浓度、溶液浓度的底面和溶液etch bath用hno3

2、、hf和h2so4的混合液对硅片表面进行蚀刻，除去边缘的n型硅，使硅片的上下面相互绝缘。 只浸渍溶液浓度比预清洗低、蚀刻厚度低的硅片的边缘，不蚀刻扩散面。 rinse 1用于杂质的清洗以及从etch bath中残留的酸的清洗。 alkaline rinse反应式： si 2koh h2o k2sio3 2h2中和切片表面的酸，除去表面生成多孔硅。 rinse 2用于杂质的清洗和从碱槽残存的碱的清洗。 rinse 1用于杂质的清洗以及从etch bath中残留的酸的清洗。 alkaline rinse的作用与预洗涤相同，koh用于中和酸，去除多孔硅！ rinse 2用于杂质的清洗和从碱槽残存的碱

3、的清洗。 acidic rinse hf去除硅片表面的氧化层，形成疏水表面的hcl去除硅片表面的金属杂质，中和残留在表面的碱。 sio2hf=si f4h2o si f4hf=h2si f6rinse 3用于洗涤杂质，是从酸槽残存的酸。 dryer 2风干硅片，双手吹风，上下吹风，左右摇摆。 hf bath hf去除硅片表面的psg。 psg吸湿，降低功率使用pecvd堆积的sixny脱落，降低效率！ rinse 3用于杂质的清洗和酸槽中残留的酸的清洗。 dryer 2风干硅片，双手吹风，上下吹风，左右摇摆。 检查残奥表1.etch depth (前重后重) *8.82um/g每400张检查4

4、张，多晶控制在4-5um，单晶控制在4-4.8um。 2 .将反射率控制在27以下3 .外观要求无明显斑痕，无药液残留，无明显反射。 检测残奥表1.etch depth (前重后重) *17.64um/g腐蚀深度控制在0.51.5m范围内2 .边缘绝缘阻抗大于1k欧姆3 .外观要求绒毛面无明显斑点痕迹，无药液残留，无影响因素1.2 .溶液主要通过chiller调节温度，影响腐蚀深度的3 .溶液溶解度是指绒头罐内溶液的浓度，主要由初期浓度、plum设定的自动药液补充的残奥仪表状况及replenish菜单的手动药液补充状况决定4 .溶液均匀度是指对于影响腐蚀均匀性，换药后特别重要，附加：碱式流动、

5、前清洗、后清洗、粗抛、清洗、碱腐蚀、盐酸清洗、hf清洗、hf清洗、漂洗、喷雾、干燥、设备相关、bath、rena机台软件bath status、轮状态、当前正在使用的plum、f4-proc.values当前plum的重要残奥表设置，如etch bath的setpoinntf 5趋势记录了etch bath和alkaline的历史温度，f 6趋势包括setpoint temp、etch bath temp、incomming temp、prepping temp和alkaline temp f7-recipe现在使用的pum计程仪程序的残奥仪表设定中，也可以装载、编辑包括支重轮转速、风刀功率、

6、生产中的药液自动补充的pum计程仪程序！ f8-manual包含bath的清洗、药品更换等手动操作命令。f9-service此菜单由数据老虎钳用于维护！ 操作的详情，1 .停止1小时以上，将蚀刻槽的药液排出水槽，减少药液的挥发2 .停止15分钟以上用水铁元素炮清洗碱槽的淋浴及气刀，使由酸碱形成的结晶盐不堵塞淋浴口及气刀停止3.1h以上，使之不哑至少要一批(400张)，生产前半段必须用水铁元素炮清洗气刀的小滚珠，使制作天鹅绒后的片材上不带有小滚珠印记4 .最长不能超过4小时。 时间过长的话，硅片会污染氧化，炉管扩散，影响后面的电气性能和效率，后清洗也是一样的5 .换药后，必须行走虚片直到药液变得

7、均匀。 太阳能电池片原理工艺原理设备结构和软件计程仪程序设置影响因素、扩散工艺、太阳能电池片的核心是pn结电容。 仅通过使两种不同类型(p型和n型)的半导体接触不能形成pn结电容，必须在晶体内部实现p型和n型半导体的接触。 太阳能电池片原理、n type、p type、表面电极、背面电极、sixny、嵌条、空间电荷区域、太阳能电池片单元结构、pn结电容形成原理pn结电容的形成，是因为结晶中的一部分区域以p型杂质为优势，另外一部分区域以n型杂质为优势而相互扩散的结果，形成电场方向从n型朝向p型的空间电荷区域当两者达到平衡时，空间电荷区域宽度稳定。n type、p type、光电效应照射到某物质上

8、，物质的电气性能发生变化的现象统称为光电效应。 光电效应包括光电发射、光电效应和光生伏特效应。 前者的现象发生在物体表面，也称为外光电效应。 后者的两种现象发生在物体内部，称为内部光电效应。 太阳能电池片基于光生伏特效应，即通过光在物体上产生一定方向的电动势的现象。 另外，当光生伏特效应照射到pn结电容时，通过h电离能，价电子带中的电子迁移到传导带，产生电子空穴对，通过势垒层内的电场，电子偏向n区域的外侧，空穴偏向p区域的外侧，p区域带正电，n区域带负电，形成光伏。 太阳能电池片根据光生伏特效应工作！ 扩散的定义和作用扩散由于存在浓度差，扩散物质从浓度高的区域向浓度低的区域移动的扩散的作用是为

9、了形成pn结电容，扩散是单元工艺流程中最核心的工序扩散的方法扩散工序是在p型硅片的单面导入磷，形成pn结电容。 目前有三种方法：三氯氧磷(pocl3 )液态源扩散喷雾磷酸水溶液后连锁扩散丝网印刷冲洗拉力赛后连锁扩散目前公司采用第一种方法。 工艺原理，三氯氧磷(pocl3 )液态源扩散反应式：生成的pcl5不易分解，而且硅上有腐蚀作用，破坏了硅片的表面态。 pcl5通过o2进一步分解成p2o5，释放出氯元素瓦斯气体(cl2)。 工艺流程以n2为载体瓦斯气体，将pocl3带入灰水晶炉管，通过n2，o2反应生成p2o5，通过p2o5和si反应生成p，在硅片表面形成磷硅玻璃，然后磷原子扩散至硅中。 检

10、查残奥表1 .方块电阻-平均值在5010/范围内，每炉以等间距检查5张，每张检查5点，要求其平均值在5010/范围内。2 .外观要求-表面无脏污，无色差，设备分为四大部分：控制部分推舟净化部分电阻加热炉部分瓦斯气体源部分控制部分介绍请参阅软件相关。舟净化部分、电阻加热炉部分、瓦斯气体源部分请参阅下一页的结构概略图。 设备构造及软件、设备构造概略图、o2-low、a3、a1(大n2)、n2 n2、a6、exhaust、吸气管、液封处理、炉门、舟皿推压装置、n2控制压、加热线圈， 与软件相关的1.certification/temperaturecontrre2. process recipe分为

11、normal和abort两类，主要用于编辑方案堆计程仪。 3.tube control主要用于程序计程仪的选择、程序计程仪的暂停、警报的消除等。4.monitor主要用于显示当前的各种信息！ 以n2 156-50为例，普拉姆设定、800、840、850、standby、boat in b .调节四个吸嘴的高低。 c .减慢气缸上升速度的d，吹风刀的时间。 4.alignment由于硅片破碎，在摄像头的对位上发出警报导致机械人卡不动，方法是a .在电影上重新对位即可。 如果b.a不行的话，只消除偏离的源，用手把alignment从standby p1的位置推出，重新启动电源，使alignment

12、有重新定径套定的过程即可。 5 .印刷台上有压板现象。 原因是屏幕下面的录音带太厚，工作人员对硅片与硅片之间的小东鳞西爪或尘埃并不介意。 印刷平台没有调平和打毛，硅片本身有伤痕和裂纹。 第二道：1.里电场铝包或铝珠： a .印刷过薄，b .绒毛面过大不均匀，c .丝网版折痕严重2 .里电场引起弯曲的原因是：铝里电场印刷过厚，印刷影响过薄4个残奥仪表中，3个残奥仪表不变，则屏幕间距增加，背电场越厚，医生高度越低，则背电场越厚，印刷速度快，背电场越厚，但速度超过一定量，则背电场越薄，空气压力越小，则背电场越厚。 3 .内电场粘合板的问题原因：a .屏幕间距超过底部，刮刀的高度过小，屏幕内残留铝银浆，粘合硅片的b .真空吸引孔堵塞或真空发生器有问题的c .载物台的无平坦速度有问题第三：1.反转台通过硅片的破碎使传感器发生报警，解决的方法是将焦点放置在flipper控制屏，将lifter (long )和lefter (short )放置在down位置。 2 .折痕线印刷的折断线多，所以稍微提高刮刀的高度，稍微加粗折痕线印刷就可以解决。 印刷不良的原因：