清华模电课件第3讲场效应管

1、，第四节场效应电晶体(FET)，单极电晶体，场效应管的特征：输入阻抗，温度稳定性，低噪声，集成，分类：接头(JFET)和绝缘栅极(MOS)，因为它只由多子参加传导，节点fet具有N通道和P通道类型。(2)工作原理，NJFET的结构和符号，在同一个N型半导体上制造两个高掺杂P区，并连接在一起产生的电极在栅G，N型半导体的两端出现两个电极，一个称为泄漏D，一个称为源S。p区和N区之间的接口形成了贫化层，泄漏极和源极之间的非破坏性层区域称为导电沟。两个PN结之间的N沟，UDS确定耗尽层的楔形程度，UGS控制沟宽度窄，UDS，UGS同时作用，确定工作原理，结效应管的工作原理，(即短路)时，控制导电沟宽

2、度。对导电沟有控制作用时，贫化层很窄，导电沟最宽。(B)增加，耗尽层扩大，电导率缩小，沟渠阻力增加。(C)按特定值增加，枯竭层关闭，沟渠消失，沟渠电阻无限，牙齿时值为钳位电压。(a)，确定固定时耗竭层的楔形程度。电流从漏极流向圆极化，沟渠各点和闸门之间的电压不再相同，但沿着沟道，从圆极化到漏极，接近漏极一侧的贫化层变得比圆极化一侧宽，沟形成楔形。(威廉莎士比亚，温德夏，望) (威廉莎士比亚，歌剧，望)，(a)，(b)，(c)，以及闸门泄漏电压逐渐增加，逐渐减少，泄漏极附近的导电沟渠一定会变窄。当牙齿增加时，如图(B)所示，泄漏极一侧的耗竭层被截断。如果继续增大，耗尽层的闭合部分将沿沟渠延伸。也

3、就是说，剪辑区域拉伸，如图(C)所示。因此，当时的增长几乎没有变化。也就是说，几乎只取决于出现的恒流性和可控性。(1)传输特性和特征方程，当UGS=0时，N沟最宽，ID最大，用IDSS记录，称为最大饱和泄漏电流。UGS0，两个枯竭层变厚，ID指数下降，其特性方程当时N沟被切断，ID0，管道被切断。2结场效应管的特性曲线、NJFET的特性曲线、(2)泄漏特性、可变电阻区、泄漏特性和BJT管的输出特性、饱和区、破坏区、PJFET、PJFET的特性曲线。JFET的缺点、MOS管的特性、绝缘栅场效应管的灌嘴与源极、灌嘴和漏极之间隔离了SiO2绝缘层，由于灌嘴是金属铝，因此也称为MOS管。MOS管道分为

4、四种茄子类型：N通道枯竭型管道、N通道强化管道、P通道枯竭型管道和P通道强化管道。高输入阻抗，栅源电压正负，高温，容易集成。(1)结构和符号，1 N通道枯竭型绝缘栅极场效应管道，绝缘栅极，N通道枯竭型MOS管道的结构和符号，B端为内衬，与源极短的连接。(2)N沟的形成，N沟的形成和外部电场对N沟的影响，控制原理分为4个茄子案例。、(2)N沟渠的形成，外部电场阴极发出的负电荷抵消了部分SiO2中原的正电荷，减少了其数量，沟渠变窄，沟渠电阻增加，泄漏电流ID指数减少。，SiO2层的正电荷全部与负电源中和，N沟的电子全部消失。也就是说，N沟不存在，沟阻力无限，泄漏电流，管道阻塞(断流)。摘要MOS管

5、和J管的传导机制不同。j型管使用耗尽区域的宽度控制泄漏流。MOS管利用柔道电荷的量改变导电沟的性质，达到控制的目的。(3)特性曲线和工作原理，传输特性，(a)传输特性(b)泄漏特性，泄漏特性，(d)，(c)，(b)，n沟也有楔形影响。越大，n通道的楔形程度越严重。一定，楔形一定。变更大小会将N沟的宽度从正值变更为负值。也就是说，泄漏特性曲线从上到下发生了变化，反映了对的控制作用。*2 N通道增强的绝缘栅场效应管，(1)结构和符号，增强的功能，与N通道形成不同，增强的管道的N沟渠仅在添加电场uGS0牙齿时存在，如果uGS=0，则N沟渠不存在。(2)工作原理，N通道强化MOS管导电通道形成，(a) 0UGSUGS(th)贫化层(b) UGSUGS(th) N型通道，开路电压，常量，(3)特性，ID和UGS之间的关系：ID0是当时的ID值。改进的NMOS管特性曲线，(a)输出特性；(B)传输特性、*3 P通道绝缘栅场效应管(PMOS管)、增强型PMOS管的结构图表、3、场效应管的主要参数、1直流参数、击穿电压、钳位电压、开路电压、饱和漏电流、直流