4.7传输门基本特性.ppt

1、1、第4章基本单位电路、4.7传输门基本特性、2、MOS传输门逻辑电路、NMOS/PMOS传输门特性级联NMOS传输门的电平恢复、3、MOS传输门的电平恢复NMOS传输源CMOS传输栅极Transmission Gate NMOS，PMOS并联源极，漏极不固定栅极连接反向信号两管同时导通或截止，CMOS反相器NMOS，PMOS串联源极连接固定电位， 漏极输出栅极为连接同一信号的两管交替地导通或关断，4，NMOS传输栅极为高电平(s )，VD=VG，设备总是在饱和区域中，关断(类似于饱和负载的特性)，Vin=VDD，Vc=VDD，5，NMOS VoutVDDVth，6， 如果NMOS传输门在低电

2、平特性、漏极端子、(g )、(s )、(d )、Hints:器件先在饱和区域中，接着在线性区域中(类似于CMOS反相器的nmoos )之后进入线性区域，则没有对比度效应，而是低电平Vin=0、Vc=VDD、Vout0， 如果NMOS 8、8和NMOS传输高电平和低电平，且在操作状态差异和对比度效应的影响下，NMOS传输高电平过程中的等效电阻近似传输低电平，那么装置先处于饱和区，接着处于线性区，装置始终处于饱和区，而装置始终处于off区PMOS传输门： RC延迟，采用反相器部分的分析模型，宽度w的PMOS电导率为k，等效电阻为R0，漏极电容为C0，宽度W/2的NMOS的传输延迟：多级串联的传输门

3、可以从集合或elmore模型进行纠正，11，托PMOS传输门)、结构简单、阈值损耗NMOS高效传输低电平、低效传输高电平PMOS载流子移动度小、NMOS传输门应用NMOS/PMOS传输门特性CMOS传输门特性传输门的级联NMOS传输门的电平恢复、13、CMOS传输门的高电平特性、传输高电平分为3个阶段(2) NMOS饱和、PMOS线性(3) NMOS切割、PMOS线性。 14、CMOS传输栅极转移低电平特性，转移低电平为： (1) NMOS和PMOS均饱和；(2) NMOS线性、PMOS饱和；(3) NMOS线性、PMOS截止。15、CMOS传输门直流电压传输特性、总是一个器件接通，可以传输全

4、摆动的信号16、CMOS传输门导通电流的变化、传输高电平、传输低电平、17、CMOS传输门利用了传输高效率电阻为非效率电阻的一半的结论对称设定修正： KnKp2K、Wp2Wn2W、RnRpR0/2如果负载容量仅为传输管的泄漏容量，则传输延迟：相同尺寸： WpWnW、Kn2Kp2K、RnRp/2R0/2则为NMOS/PMOS传输门特性CMOS传输门特性级联NMOS传输门的电平恢复，20，传输门级联： RC网络，c、r、eq 您可以选择、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者、或者PMOS传输门特性CMOS传输门特性传输门级联NMOS传输门的电平恢复，23， NMOS变速器高级别：阈值损失0、0.5、1.5、2、的、NMOS传输门，、A=，2.5 V，b，C=， 您可以选择：您可以选择：您可以选择：您可以选择： 不拉拉拉拉拉拉拉拉拉拉拉拉拉拉拉拉拉拉， NMOS传输门：级别恢复设备、或可