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1、数字电子技术基础(第五板块)教育课件清华大学阎锡王红，联系地址：清华大学自动化邮政编码：100084电子信箱：wang_联系电话：(010)62792973，第七章半导体存储器，第七章半导体存储器，7.1概述存储容量单元数巨大输入/输出针数限制；2；分类1；保存/获取功能分钟：只读内存随机读/写；两个茄子概念：存储矩阵的每个交叉点都是“存储设备”，一些存储设备存储在“1”中，设备不存储在“0”内存中的容量：“单词x数量级”，掩码ROM的特性：出厂固定，不可更改，适合大量生产简单性。7.2.2可编程ROM(PROM)，整体结构与掩码ROM相同，但存储设备不同。录制时的程序员，7.2.3可删除的可

2、编程ROM(EPROM)，整个结构与掩码ROM相同。第二，可电气擦除的可编程ROM(E2PROM)的整体结构与掩码ROM相同，但存储设备不同。3、闪存(闪存)可以跳过可选导管(T2)切换到堆叠灌嘴MOS管(类似于SIMOS)，以提高整合度。第二，SRAM的存储单元、6管N通道增强型MOS管、7.3.2*动态随机内存(DRAM)动态存储单元是使用MOS管栅电容、7.4内存容量扩展、7.4.1位扩展方式存储电荷的原理。示例：8个1024 x 1位1024 x 8位RAM，7.4.2字扩展，应用于每个RAM，ROM位数足够且字数不足，例如，使用4个256 x 8位1024 x 8位RAM，7.5实现组合逻辑函数的数据线是地址变量的逻辑函数集。7.5使用内存在ROM的数据表中显示组合逻辑函数，1，基本原理。如果

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