第三章 存储系统练习题(答案).ppt

1、3.3练习题1，选择题1，储尺长度是(b)的意思。a .存储在一个存储设备上的二进制代码组合b .存储在存储设备上的二进制代码数c .存储设备的数量。2，存储设备表示(b)。a .保存一个字节的所有存储元素的集合。b .存储机器单词的所有存储元素的集合。c .存储二进制信息位的存储元素集合。3、与外部存储相比，内存的特征是(a)。a .容量小，速度快，成本高b .容量小，速度快，成本低c .容量、速度和成本高。d .容量、速度和成本低。4，电脑存储是分层存储系统(多级结构)的主要目的(D)。a .便于读取/写入数据b .减少机箱卷c .促进系统升级；d .解决存储容量、价钱和访问速度之间的矛盾

2、。5、内存容量为64K16位的SRAM芯片的地址线和数据线数量为(D)。A.64，16；B. 16,64C. 64，8；D. 16，16。6、16K32位内存、地址线和数据线的总和为(B)。A.48B.46C. 36 .7，512KB (SRAM)内存、地址线和数据线的总和为(C)。A.17B.19C. 27 .8，有的计算机的字符长度为16位，其存储容量为64KB，用字母寻址，寻址范围为(C)。A.64K；(0(64k-1)(064k)b . 32kb；(032 kb)c . 32k；(0(32K-1) )(032K) D.64KB. (064KB)，9，父机器字符长度32位，其存储容量为1

3、MB。按字符指定地址时，寻址范围为(c)。a . 0(1m-1)；b . 0(512k-1)b；c . 0(256k-1)；D.0256KB。10，计算机的单词长度为32位，存储容量为4MB。半形寻址时，寻址范围为(c)。a . 04 MB；b . 02 MB；c . 0(2m-1)；D.0(1MB-1)。11，电脑单词长度32位，存储容量16MW。如果用双词指定地址，则寻址范围为(b)。a . 0(16m-1)；b . 0(8m-1)；c . 0(8 MB-1)；D. 0(16MB-1)。12、5128位容量的筹码引线数的最小值为(D)，但SRAM筹码、电源和接地端子除外。A.23；B.25

4、C.50；D.19。13，连接的存储器是根据(C)寻址的内存。a .寻址方法b .堆栈访问方法c .内容指定方法；d .寻址与堆栈访问方法相结合。14，交叉内存实质上是()允许独立读/写操作的(a)内存。a .模块化、并行、多个b .模块化、串行、多个c .合并、并行、一个；d .一体式、串行、多。15，4体并行交叉内存，每个模块的容量为16K32位，访问周期为200ns，(B)准确，如下所示：a .在200ns内，牙齿存储为CPU提供256位二进制信息。b .在200ns内，牙齿存储可以向CPU提供128位二进制信息。c .在50ns内，可以为每个存储模块的CPU提供32位二进制信息。d .

5、在50ns内，牙齿内存为CPU提供128位二进制信息。16，在主存储和CPU之间添加缓存的目的是(C)。a .扩展主存储的容量。b .增加CPU上的通用寄存器数量。C. CPU和主内存之间的速度匹配问题解决d .扩展主内存容量并提高访问速度。17、采用虚拟存储的主要目的是(c)。a .加速对主内存的访问。b .提高对外部内存的访问速度c .扩展存储的寻址空间，并自动管理和调度。d .扩展对外部内存的访问空间。18，常用虚拟存储系统包括(a)两级存储。a .主内存-辅助内存b .缓存-主内存c .缓存-辅助存款；d .通用寄存器-主内存。19、CPU用于通过指令访问主内存的节目地址称为(B)。a

6、 .逻辑地址b .物理地址c .物理地址。20，节目运行期间缓存和主内存的地址映射为(C)。a .操作系统管理b .程序员调度c .硬件自动完成；d .操作系统支持相应的硬件。21、在以下四种茄子类型的半导体存储器中，将相同数量的单词作为比较条件发送，资料传输速度最高的是(B)。A. DRAM；B. SRAM；c .闪存；D. EPROM。22，双通信端口存储能够进行高速读/写的原因是采用了(b)。a .高速筹码b .两组与徐璐无关的读/写电路c .流水技术；d .新设备。23、双通信端口存储(b)发生读/写冲突。a .左端口和右端口的地址代码不同。b .左端口和右端口的地址代码相同。c .左

7、右端口的数据代码相同。d .左端口和右端口的数据代码不同。24，以下因素中与缓存命中率无关的是(a):a .主内存的访问时间b .块大小c .缓存组织方法；D. Cache的容量。25，在高速缓存的地址映射中，如果可以将主内存中的所有片段映射到高速缓存中的任意行位置，则牙齿方法称为(A)。a .完全关联映射b .直接映射c .组关联映射；d .混合映射。26，以下陈述中错误的是(a)。a .每个程序的虚拟地址空间可以比实际地址空间大得多，也可以比实际地址空间小得多。b .多级存储系统包括缓存、主内存和虚拟存储。C. Cache和虚拟存储这两种茄子存储管理战略都利用了程序的本地原理。d .缓存失

8、败时，CPU可以直接访问主内存，但外部内存和CPU之间没有直接路径。27，以下陈述中正确的是(c)。a .虚拟内存技术提高了计算机的速度。b .如果主内存由两部分组成，分别为2n和2m，则主内存地址需要总计n m位。c .闪存是高密度、非易失性的读/写半导体存储器。d .访问时间是连续两次执行读取操作所需的最小时间间隔。28，以下陈述中正确的是(c)。a .可以读取半导体RAM信息，即使断电后也能保留记忆。b .半导体DRAM是非易失性的，SRAM不是。C. SRAM仅在电源不关闭的情况下才不会轻易丢失存储的信息。29、通常可以使用计算机的内部存储(a)。A. RAM和ROM；B. ROM；C

9、. RAM。30，DRAM地址输入两次(行选择RAS*和列选择CAS*)的目的是(b)。a .缩短读/写时间b .减少筹码前导底线行数。c .刷新。31、写入SRAM牙齿数据的条件为(a)。a .记录的地址应早于写控制信号(R/W*=0)到达。b .记录的地址必须与写控制信号(R/W*=0)同时到达。c .记录的地址应晚于写控制信号(R/W*=0)到达。32，访问存储单元后，存储单元可能会很快重新访问。牙齿功能称为(A)。a .时间区域化b .空间区域化c .程序局部性；d .数据本地化。33、访问存储单元时，牙齿存储单元和相邻的存储单元可能很快就会被访问。牙齿功能称为(B)。ABCD如上所示

10、。34，以下组件中访问速度最快的是(b):a .缓存；b .寄存器c .内存d .外部存储。35、下文所述的错误是(c)。a .随机内存可以随时访问信息，断电后信息会丢失。b .访问随机存储时，访问时间与设备的物理位置无关。c .存储在内存中的信息不能更改。d .随机内存和只读内存可以统一寻址。640KB的内存容量为(c)。A. 640000字节B. 64000字节C. 655360字节；D.32000字节。37、如果存储器具有1K个存储设备，则在使用双重解码(2D解码、匹配寻址方法)方法时，存在解码输出线(D)牙齿。A. 1024；B.0C. 32；D. 64 .38、2M 8bit的内存，

11、可用(c)。A. 1M 8bit并行处理B.1m 4位连接C. 2m 4位并行处理；D.2m 4位连接。39、ram筹码连接可用(b)。a .增加内存字符长度b .增加存储设备数c .提高内存速度d .减少内存的平均价钱。40，高速缓冲内存高速缓存的说明为(B):A.只能在CPU外部。B. CPU内部和外部都可以启用缓存。c .只能在CPU内使用。d .如果有缓存，CPU将无法再访问主内存。第二，判断问题，第一，多体交叉存储主要解决容量扩展问题。(错误)2，双通信端口存储能够高速读取和写入的原因是使用了流水技术。(错误)3，在CPU和内存之间添加缓存的目的是在增加内存容量的同时提高访问速度。(

12、错误)4，CPU访问阵列的时间由阵列容量决定，容量越大，访问阵列的时间就越长。(错)，5，DRAM是破坏性的读数，必须不断刷新。(错误)6，RAM中的所有单元都可以随时访问。(示例)7，ROM中的任何设备都不能随机访问。(错误)8，通常ROM和RAM在主存储中均匀寻址。(示例)9，在当今的电脑系统中，存储是数据传输的中心，但对存储的访问请求是由CPU或I/O发出的。(是)，10，EPROM是随机内存的一种，因为它可以重写。(错误)11、DRAM和SRAM都是非易失性半导体内存。(示例)12，缓存存储的内容在程序运行时逐步转入。(示例)13，双通信端口存储在左右通信端口数据代码相同的情况下发生读

13、/写冲突。(错误)14，计算机的存储系统使用分层存储系统解决存储容量、价钱和访问速度之间的矛盾。(示例)15，双通信端口存储是一种并行存储。(错误)，三，综合问题，一，请指出以下哪一个是不真实的？哪个是非挥发性的？破坏性的阅读是什么？哪一个读起来非破坏性？SRAM、DRAM、Cache、磁盘、磁盘2，一般来说，SRAM由哪些部分组成？简述各部分的作用。要点：存储、地址解码驱动器电路、I/o电路(读写电路)、控制电路3。与SRAM相比，DRAM牙齿电路配置有何不同？回答 DRAM还具有动态刷新电路。另外，一般DRAM地址引线通常只有一半(约)，使用RAS、CAS来区分接收是行地址还是列地址。DR

14、AM没有CS针脚，芯片扩展时将替换为RAS(，CAS)。4，存储容量为1MB，字符长度为32位，地址寄存器，数据寄存器各有多少位？寻址范围是多少？(1)逐字节寻址(2)半自动寻址；(3)按字母寻址。回答 (1) 20，32，0 (1m-1) (2) 19，32，0 (512k-1) (3) 18，32，0 (250 WE，I/O3I/O0总存储容量是多少？字长是多少？“答案”图由两部分存储组成。容量为2K 8，即8位字符长。(2)填写存储区域各部分的地址范围。回答 1，2章2114地址范围为FC00H FFFFH (A15A10=111111)。编号为3，4的2114地址范围为7C00H7FF

15、FH(A15A10=01111)。(3)在图中，如果存储的地址连续，不连续，如何修改以使存储的地址连续？“答案”图中的内存地址不连续。如果反向翻转图中的A15和A10电缆，则原始的7C00H7FFFH (A15A10=0111111)将为F800HFBFH (A15A10=1111110)，而其他FC00HFFFFH将成为地址连续存储。6，DRAM筹码内部的存储元素为128128结构。牙齿芯片每2毫秒至少需要刷新一次。刷新在第128行存储元素上按顺序执行。将存储周期设置为500ns。获取刷新开销(执行刷新操作的时间百分比)。回答 500128=64000ns 64/2 000=3.2%，7，使用英特尔2116 (16k 1位DRAM，逻辑符号图)配置64K 8位存储。牙齿内存使用奇偶校验。(1)总共需要多少个