电子技术基础期末考试题李效芳.ppt

1、(1-1),第一章 半导体器件,(1-2),第一章 半导体器件, 1.1 半导体的基本知识 1.2 PN 结及半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 半导体三极管 1.5 场效应晶体管,(1-3),本章教学要求： 掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性 和主要参数。 了解半导体中载流子的运动、半导体二极管、晶体管和场效应管的工作原理。,(1-4),1.1 半导体的基本知识,1.1.1 导体、半导体和绝缘体,导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。,绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。,半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称

2、为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。,(1-5),(1-6),半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：,当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。,往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。,(1-7),1.1.2 本征半导体,一、本征半导体的结构特点,现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。,32号元素,14号元素,通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。,(1-8),本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。,在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心

3、，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。,(1-9),硅和锗的共价键结构,共价键共 用电子对,+4表示除去价电子后的原子,(1-10),共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。,形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。,共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。,(1-11),二、本征半导体的导电机理,在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流

4、子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。,在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。,1.载流子、自由电子和空穴,(1-12),自由电子,空穴,束缚电子,动态演示,(1-13),2.本征半导体的导电机理,在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。,本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。,动态演示,(1-14),温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半

5、导体的一大特点。,本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。,本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。,(1-15),1.1.3 杂质半导体,在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。,P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。,N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。,(1-16),一、N 型半导体,在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相

6、邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。,(1-17),多余 电子,磷原子,N 型半导体中的载流子是什么？,1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。,2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。,掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。,动态演示,(1-18),二、P 型半导体,空穴,硼原子,P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。,动态演示,(1-19),三、杂质半导体的示

7、意表示法,杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。,(1-20),1.1.3 PN结,一、 PN 结的形成,在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。,(1-21),P型半导体,N型半导体,扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。,内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。,(1-22),所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。,(1-23),空间电荷区,N型区,P型区,电位

8、V,V0,动态演示,(1-24),1、空间电荷区中没有载流子。,2、空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴、N区 中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。,3、P 区中的电子和 N区中的空穴（都是少），数量有限，因此由它们形成的电流很小。,注意:,(1-25),二、 PN结的单向导电性,PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加正、N 区加负电压。,PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、N 区加正电压。,(1-26),1、PN 结正向偏置,P,N,+,_,内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。,动态演示,(1-27),2、PN 结反向偏置,N,P,+,_,

9、内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。,R,E,动态演示,(1-28),3.PN结的电流方程,PN结所加端电压U与流过它的电流I的关系为：,其中Is为反向饱和电流，UT为kt/q，k为玻耳兹曼常数，T为热力学温度，q为电子的电量，常温下，T300K时，UT可取26mv,4.对于二极管其动态电阻为：,(1-29),5. PN结的极间电容,PN结的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。,势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。,扩散电容：为了形

10、成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。,(1-30),CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。,PN结高频小信号时的等效电路：,势垒电容和扩散电容的综合效应,(1-31),PN结的击穿PN结处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过PN结的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象我们就称为反向击穿。击穿形式分为两种：雪崩击穿和齐纳击穿。 齐纳击穿：高掺杂情况下，耗尽层很窄，宜于

11、形成强电场，而破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚形成电子空穴对，致使电流急剧增加。 雪崩击穿：如果搀杂浓度较低，不会形成齐纳击穿，而当反向电压较高时，能加快少子的漂移速度，从而把电子从共价键中撞出，形成雪崩式的连锁反应。 对于硅材料的PN结来说，击穿电压7v时为雪崩击穿，4v时为齐纳击穿。在4v与7v之间，两种击穿都有。这种现象破坏了PN结的单向导电性，我们在使用时要避免。 击穿并不意味着PN结烧坏。,(1-32),1.2 半导体二极管,1.2.1、基本结构,PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。,点接触型,面接触型,(1-33),图1.2.3 半导体二极管图片,(1-34),1.2.2

12、、伏安特性,死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。,导通压降: 硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。,反向击穿电压UBR,(1-35),1.2.3、主要参数,1. 最大整流电流 IOM,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2. 反向击穿电压UBR,二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。,(1-36),3. 反向电流 IR,指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的

13、反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。,以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。,(1-37),4. 微变电阻 rD,uD,rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比：,显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。,(1-38),1.2.4、二极管的等效电路,图1.2.5 二极管的理想等效模型,1.理想模型,正偏时：uD=0,RD=0; 反偏时：iD=0, RD=。 相当于一理想电子开关。,(1-39),2.恒压降模型,图1.2.6 二极管的恒压降等效模型,正偏时：uD=Uon,R

14、D=0; 反偏时：iD=0, RD=。 相当于一理想电子开关和恒压源的串联。,(1-40),3.折线型模型,图1.2.7 二极管的折线型等效模型,正偏时：uD=iDrD+UTH; 反偏时：iD=0, RD=。 相当于一理想电子开关、恒压源和电阻的串联。,(1-41),4.小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。,即,根据,得Q点处的微变电导,则,图1.2.8 二极管的小信号等效模型,常温下（T=300K）,(1-42),例1.2.1 求图1.2.9（a）所示电路的硅二极管电流ID和电压VD。,(1-43),二极管的应用举例2：二极管半波整流,(1-4

15、4),1.2.5 稳压二极管,一、稳压管的伏安特性,U,IZ,稳压误差,曲线越陡，电压越稳定。,-,UZ,(1-45),（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。,（5）最大允许功耗,二、稳压二极管的参数:,（1）稳定电压 UZ,（3）动态电阻,(1-46),稳压二极管的应用举例,稳压管的技术参数:,负载电阻 。,要求当输入电压由正常值发生20%波动时，负载电压基本不变。,解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。,求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。,方程1,(1-47),令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。,方程2,联立方程1、2，可

16、解得：,(1-48),1.2.6.其它类型的二极管,1.发光二极管,工作电压一般在1.52.5V之间，工作电流在530mA之间，电流越大，发光越强。,2.光电二极管,外加反向电压，无光照时的反向电流称之为暗电流；有光照时的反向电流称之为光电流，光照越强，光电流越大。,(1-49),1.3 半导体三极管,1.3.1 基本结构,基极,发射极,集电极,NPN型,PNP型,(1-50),基区：较薄，掺杂浓度低,集电区：面积较大,发射区：掺 杂浓度较高,(1-51),发射结,集电结,(1-52),结构特点：（1）基区很薄，且掺杂浓度很低； （2）发射区的掺杂浓度远大于基区和集电区的掺杂浓度； （3）集电

17、结的结面积很大。 上述结构特点构成了晶体管具有放大作用的内部条件。,(1-53),1.3.2 电流放大原理,VBB,RB,VCC,进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。,(1-54),EB,RB,EC,集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。,(1-55),IB=IBN-ICBOIBN,动态演示,(1-56),ICN与IBN之比称为电流放大倍数,要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。,(1-57),NPN型三极

18、管,PNP型三极管,(1-58),1.3.3 特性曲线,IC,V,UCE,UBE,RB,IB,VCC,VBB,实验线路,动态演示,(1-59),一、输入特性,工作压降： 硅管UBE0.60.7V,锗管UBE0.20.3V。,死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。,(1-60),二、输出特性,IC(mA ),此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。,当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。,(1-61),此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V称为饱和区。,(1-62),此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。,动态演示,(1-6

19、3),输出特性三个区域的特点:,放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=IB , 且 IC = IB,(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCEUBE ， IBIC，UCE0.3V,(3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0,(1-64),例： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？,当USB =-2V时：,IB=0 ， IC=0,IC最大饱和电流：,Q位于截止区,(1-65),例： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 当USB

20、= -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？,IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。,USB =2V时：,(1-66),USB =5V时:,例： =50， USC =12V， RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？,IC Icmax(=2 mA)， Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB 已不是的关系）,(1-67),1.3.4、主要参数,前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。,共射直流电流放大倍数：,工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交

21、流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：,1. 电流放大倍数和 ,(1-68),图1.3.8,共射直流电流放大系数 =（ICICEO）/IBIC / IB vCE=const,(1-69),例：UCE=6V时：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。,在以后的计算中，一般作近似处理： =,(1-70),2.集-基极反向截止电流ICBO,ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。,(1-71),B,E,C,N,N,P,ICBO进入N区，形成IBE。,根据放大关系，由于IBE的存在，

22、必有电流IBE。,集电结反偏有ICBO,3. 集-射极反向截止电流ICEO,ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。,(1-72),4.集电极最大电流ICM,集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。,5.集-射极反向击穿电压,当集-射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。,(1-73),6. 集电极最大允许功耗PCM,集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为：,PC =ICUCE,必定导致结温 上

23、升，所以PC 有限制。,PCPCM,ICUCE=PCM,安全工作区,(1-74),1.4 场效应晶体管,场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。,结型场效应管JFET,绝缘栅型场效应管MOS,场效应管有两种:,(1-75),N,基底 ：N型半导体,两边是P区,G(栅极),S源极,D漏极,一、结构,1.4.1 结型场效应管:,导电沟道,(1-76),N沟道结型场效应管,(1-77),P沟道结型场效应管,(1-78),二、工作原理（以N沟道为例）,UDS=0V时,PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。,(1-79),ID,UDS=0V时,UGS越大耗尽区越宽

24、，沟道越窄，电阻越大。,但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。,(1-80),N,G,S,D,UDS,UGS,UDS=0时,UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS 0V，漏极电流ID=0A。,ID,(1-81),UGS0、UGDVP时耗尽区的形状,越靠近漏端，PN结反压越大,ID,(1-82),UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状,沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。,ID,(1-83),UGSVp UGD=VP时,漏端的沟道被夹断，称为予夹断。,UDS增大则被夹断区向下延伸。,ID,(1-84),UGSVp UGD=VP时,此时，电流ID由未被夹断区域中的载流