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文档简介
电子元器件的识别与检测模拟试题一一、 由色环写出具体阻值棕 黑 黑 棕 黑 红 红 黄 黑 绿 棕 棕 橙 橙 黑 棕 黑 绿 黄 紫 橙 蓝 灰 橙 灰 红 红 黄 紫 棕 白 棕 黄 红 紫 黄 黄 紫 棕 紫 绿 棕 二、由具体阻值写出色环0.5 2.7k 1 3 k 220 5.6k 750 6.8k 1k 47k 1.8k 39k 三、简答题1. 常用电阻器的检测方法。2. 电位器的检测方法。3、电阻阻值的常用标注方法4、电阻的三个主要参数?电子元器件的识别与检测模拟试题二一、 填空题1.电烙铁的结构包括 、 、 和 。2.印制板按结构分为三种:单面板、 、多层板。3电阻器分为三类: 、 和 。 其中可变电阻器又分为二类 、 。4.电容器按其容量是否可调分为 、 、 。5焊接过程可理解为加热、 、浸润、 、 。二、读图题 1.各种电阻器的电路符号如下,请在括号内填入对应的名称。 ( ) ( ) ( ) ( ) 2.将下列电容器名称填入括号内 ( ) ( ) ( ) ( )3.电阻功率标注在括号内 ( ) ( ) ( ) ( )三、由给出的阻值或图读出容量 ( ) ( ) ( ) ( )四、问答题1、焊接电子元器件时,若电烙铁在焊点处停留时间过长会造成什么后果。 2、试问怎样确认色环电阻的第一环?3、怎样检测电容器?4、下列型号分别代表什么意思?MF 1 1 CCW 1电子元器件的识别与检测模拟试题三一、 变压器 1. 变压器分为 、 、 和 。 2. 变压器有几种基本应用 、 、 、 和 。 3. 以中频变压器(中周)为例,说明变压器的检测方法。二半导体二极管 1. 二极管分类 a.按外包装材料分 、 、 。 b.按结构材料分 、 。 c.按制作工艺分 、 。2. 二极管型号命名法 2CE 2AW 2BP 3.特殊二极管 1、变容二极管a原理: b. 符号2、双向二极管 a.原理: b.符号4、二极管的测试三、半导体三极管1、分类:a按材料极性分 、 。 b按导电类型分 、 。 c 按功率分 、 、 d 按频率分 、 。2、命名方法 3DX 3AG 电子元器件的识别与检测模拟试题四一、填空题1 电烙铁的结构包括_、_、_和_。2 电烙铁分为两种:_ 和 _。3 常用电阻器分为:_、_、_和_,其中热敏电阻器又分为二类:_、_。4 电容按其容量是否可调分为_、_、_。5电容器的容量换算公式:_ _ _ _6. 焊接过程可理解为加热、_、浸润、_、_。7. 扬声器的频率范围: 高音扬声器_ 中音扬声器_ 低音扬声器_8. 继电器的主要作用 _ 和 _二、读图题1 各种电容的电路符号如下,请在括号内填入对应的名称。2 各种电阻器的电路符号如下,请在括号内填入对应的名称。3各种电阻器的功率标志,请在括号内填入对应的额定功率。、三、色环电阻识别1由色环写出具体的阻值及误差黄紫橙 _ 棕黑红 _ 白棕黄金 _绿棕棕 _ 棕黑黑 _ 蓝灰橙 _棕黑绿 _ 灰红红银 _ 红黄黑 _2.2GK _ 1R5J _ R15D _四、电容器、电感器识别五、问答题1 焊接电子元器件时,若电烙铁在焊点处停留时间过长会造成什么后果?2. 阐述如何简易测试常用二极管的性能好坏?3. 常用电阻器的标注方法及三位有效数字色标法的定义?2 电容器检测好坏电容器类别万用表档位万用表是否校零陶瓷电容器0.1F纸介电容器1F电解电容器100F电解电容器1000F5说明用万用表判断9014型号三极管各管脚的方法?电子元器件的识别与检测模拟试题五一、填空题:1、P型半导体的多数载流子是 ,N型半导体的少数载流子是 。2、二极管的主要特性是 ,即加 电压时二极管导通;加 电压时二极管截止。硅二极管导通时的正向压降 ,锗二极管导通时的正向压降 。3、三极管具有放大作用的外部条件是 正向偏置, 反向偏置。4、某晶体三极管的UCE不变,基极电流IB = 30A时,IC = 1.2 mA时,则发射极电流IE = mA;如果基极电流IB增大到50A时,IC增大到2 mA,则发射极电流IE = mA,三极管的电流放大系数= 。5、测得工作在放大电路中两个晶体管的两个电极电流如右图所示: 则脚电流为 ,管子类型为 ,脚为 极,脚为 极,脚为 极。6、三极管是 控制型器件,场效应管是 控制型器件。7、半导体是一种导电能力界于 与 之间的物体。8、晶体三极管中有两个PN结,其中一个PN结叫做 ;另一个叫做 。9、二极管的门坎电压(死区电压),硅管约 伏,锗管约 伏。二、判断题:(210=20)1、 晶体二极管内是一个结,所以具有单向导电性。( )2、 普通二极管的正向伏安特性也具有稳压作用。 ( )3、 硅稳压管只要加上反向电压就有稳压作用。( )4、 硅稳压管的动态电阻愈大,则稳压管的稳压性能愈好。( )5、 晶体二极管在使用中一旦发生反向击穿,就会被烧坏。( )6、 一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。( )7、 晶体三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。( )8、 测得三极管的UB = 4.8V,UC = 4.5V,UE = 4V,则三极管处于放大区。( )9、 对于NPN三极管,当VBE0,VBEVCE,则该管的处于饱和状态。( )10、场效应管的漏极和源极可以互换使用。( )三、选择题1、半导体中传导电流的载流子是 。15A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 2、PN结形成以后,它的最大特点是具有 。A、导电性 B、绝缘性 C、单向导电性 3、当硅晶体二极管加上0.4V正向电压时,该晶体二极管相当于 。A、很小的电阻 B、很大的电阻 C、短路 4、下列对三极管电流描述哪句是正确的? A、晶体三极管是大电流减小成小电流。B、晶体三极管是小电流放大成大电流。C、晶体三极管是小电流控制大电流。D、晶体三极管是大电流控制小电流。 5、满足IC=IB的关系时,晶体三极管工作在 。A、饱和区 B、放大区 C、截止区6、当环境温度升高时,晶体二极管的反向电流将 。 A、减小 B、增大 C、不变 7、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 。 A、少数载流子 B、多数载流子 C、既有少数载流子又有多数载流子8、稳压管的稳压性质是利用下列 特性实现的。A、结的反向击穿特性 B、结的单向导电性 C、结的正向导通特性 D、结的反向截止特性9、晶体管处于饱和状态时,它的集电极电流将 。 A、随的增加而增加 B、随的增加而减小 C、与变化无关,只取决于和 D、与变化无关,近似等于零四、简答题1普通晶体二极管的检测方法? 2. 如何检测发光二极管的好坏? 电子元器件的识别与检测模拟试题六 一、 填空题1 三极管具有电流放大作用的外部条件是:_2 三极管具有电流放大作用的内部条件是:基区厚度_,掺杂浓度_,发射区掺杂浓度_,集电区体积_,掺杂浓度_。3 某晶体三极管的发射极电流为3.24mA,基极电流为40uA,则集电极电流Ic=_ mA 。4 当晶体三极管为放大状态且VcVBVE时,该管为_型,当VEVBVc时,该管为_型。5 某晶体三极管基极电流IB=30 uA,Ic=1.2 mA,则发射极电流IE=_ mA,如果基极电流IB增大到50 uA, Ic增加到2 mA,则三极管的电流放大系数=_。6 晶体三极管的输出特性曲线可分为_区,_区,_区。7 三极管的ICBO, ICED随温度升高而_,硅管的温度稳定性比锗管_。二、 判断题1. ( ) 二极管、三极管都属于非线性器件。2.( )晶体三极管的发射区和集电区是同一类半导体(N型或P型),所以e极和c极可以互换使用。3. ( )三极管工作于饱和区时Ic=IB。4. ( )无论哪种晶体三极管当处于放大工作状态时,电流总是:IE IcIB三、选择题1.三极管的输出特性曲线是 ( )之间的关系曲线。 A.Ib 与c B. Ic 与Vce C. Ib 与V be D. Ic与 Vbe2.硅三极管iuande饱和压约为 ( ) A.0.3V B. 0.2V C.0.1V D.0.7V3.3AX型晶体管是( )A.低频小功率锗pNp型三极管 B.低频小功率NpN型三极管C低频小功率硅pNp型三极管 D.高频小功率锗pNp型三极管 4.在三极管的输出特性曲线中,当IB=0时的
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