反射板结构介绍.doc

反射板結構介紹反射板結構剖面圖示 第三層: In2O3 膜厚約750 A 第二層: AP 膜厚250A (T=25%) 第一層: TiO2 膜厚約250 A 基板:SiO2 Glass (膜厚約250 A) 第一層 TiO2 膜厚：150功能與優點：增加AP 之附著力，因AP在SiO2上之附著力不足，而AP 在TiO2 上附著力卻相當好，故可用TiO2改善。缺點：其為導電性不佳之靶材，在鍍膜時易產生Arc，造成粉塵掉落在基板上而鍍膜後形成pinhole，目前加裝輔助器減少Arcing 以改善之。分光影響：穿透率：膜厚越厚穿透率高，但影響度極小。反射率：膜厚越厚穿透率低，但影響度極小。第二層 AP (AgPd) 膜厚：依穿透率而不同功能與優點：為主要反射層，其單層膜厚在900 以上即可達全反射(100%上)，為所有材料中反射率相當高之材料之一，更改膜厚可準確控制所要的穿透率。缺點：AP 含有90%以上之銀，因此活性不小，易與空氣形成氧化物，且其耐熱性不佳，在高溫時銀原子易產生聚集，且高溫會加速銀合金氧化，故單層AP保存期限不長。分光影響：穿透率：膜厚越厚穿透率低，但影響度極大。反射率：膜厚越厚穿透率高，但影響度極大。Al-Nd代替AP： 反射比AP反射低、保存長、成本低，鍍膜後，顏色同AP (全反)第三層 In2O3 膜厚：750功能與優點：其為保護層，以及分光輔助層，AP加上In2O3後可改善其耐熱性與增加保存期限，AP之分光曲線與其AP之色度，隨著其膜厚之不同可更改反射板之曲線與色度。缺點：而其缺點為靶材表面的阻抗會隨使用時間而增加，相同的功率只得到較小之膜厚而使得分光特性改變（穿透率上升，反射率下降），且會因阻況分不同，造成膜厚不均，分光均勻度不均。分光影響：穿透率：膜厚越厚穿透率低，其影響度僅次於AP，但受限於膜厚。反射率：膜厚越厚穿透率高，影響度僅次於AP，但亦受限於膜厚。（In2O3不能低於650，因其色度會改變）反射常見不良項目：1. Pin hole： 1. Mask的剝膜。 2. TiO2靶Arc。 3. 磁鐵上之粉塵。 4. 腔體、環境與人為因素。2. 污染： 1. 磁鐵。 2. 人員壓痕。3. 外擴： 1. Mask變形。 2. 磁鐵磁力不夠。4. 分光不良： AP由於AP靶為金屬靶，在靶材厚度愈來愈薄時，其導電性相對提高，而背板後的磁力相對提高，因此在相同功率下，膜厚會愈來愈厚，但此為有Time及方向性可以獲得控制。In2O3靶材在使用後，靶材表面會生成讓阻抗上升之物質，隨著時間阻抗會上升，並且上升阻抗的地方不一，這會使得在相同的功率下膜厚會相差很多，造成膜厚不均、分光不均。 反射板作業流程： 清洗glass glass檢驗 掛片（結合Mask） 入料鍍膜 鍍膜完成 下片 將glass收至Magazine 成品檢驗檢驗手法：1. 將glass垂直放，用手掌在glass上方，利用氮氣清理glass表面，避免有Particle造成誤判，以及將被膜蓋住之Particle吹除讓Pinhole顯現出來。2. 將glass放置檢查燈台上，以目視觀察cell內之缺陷是否超過規範。3. 檢驗時以比對卡及比對卡尺判斷是否NG。4. 將glass取至與視線平行之位置，打開強光燈檢查表面刮傷污染等不良項目。5. 全反射glass放置強光燈之上，檢查Pinhole和刮傷不良項目。6. 外擴不得超出cell外0.3mm，外擴檢測使用比對卡尺對照cell週邊外擴寬度。 7. 位移位移量檢測使用投影機量測cell至glass邊緣之距離4點量測箭頭指示距離，其超過 0.15mm判定NG（標準製程提供）。124 38. 分光特性：依產品規格