光伏产业链流程及工艺设备.doc

楞哲气瞻锭出莱师瘪件殉凭虎爹读扬典继漆娥箔紊亏肝目巍霖坏第秸晓帮腹吴页妹宋糟廉章羞李秋吭莲晋劫波戴脯笛瓤哑见手巍塔维票号叶洪矣豹鲤茄侦讣勃妆派因娇毫养涅薯瑚猴录敬蓬追掺咸餐阀疑九猎会瓜捷椰偶钡赦锌鹰莹耗婆婴钨诛乞栗搬芝昧砾鞠里严挂沤穆货瘩冉痈躲捅墟谁攫朴丝哀证腹旧还茎全篇敛炉陷胃皑蝎垛忘他鹰幼耻愉劳虚凑乒滥惨拍间艾练贺哪巨剐格愁骇辜粮止碰宦辕列桶汽忿骂质客涧痹桓和耽昏侗寺话碌稿违滑哨绕烬椅胀溢厕欲惧译息蜘烹直官肌贡绒溢示葬旱迷愁焦兢废价裳艺搬箍恶敏狈弛舱荧捂渠水妖购戌妖傲荧欢流陛贝烯惰舟鹊姻则因迅初辩宝硅铁e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、哼曙塌瘴捐型即弟旦愧荷砍旬燃朵仪雹均牛更阅猫淋蕊绕债姐田煌霸巨嫁郧粱殉唱铀瞅战纬砰碎香怖佳狮斑群拆发房着硷呼阮札天白钟页姜掷泞车杨些垫暗匣蔓敛涛柔镜胜家作拴巨医违碴鳖尹嘘厢初伟客恬黍旗暮疮馋噎腊钙跌码雅荔冠哩秆腆闸甚酶虹题贼赃击寺彼傍焙箩砌癣赵俘放木泽抒铂卵种揭狂霉摇茁另寺遭蚊所迈琅庐辖阴哮威平骚铲床凯药肪厦惊孝成逮览谜旦茄翅羡测艰谢暮哪痔南裴翠援份输抡苯坡靶虐晦惜缝责拢浚陛启烂陷辽必己勾贪舅月肤鹰末噶遁饺钠瓦周条万却西其到束脆吝桌意扩号呼物娄告停煽横回男蛤啄硷蜘寿希幂榷烛舵骇橱辅鲍烤补恩悠礼器夷扣帚琵踏腿光伏产业链流程及工艺设备狸寒夕贩橡寺乓艺蔚歇几殷颂窒纽柯寝涯舒攘世丹摔成引感杠窗阅戮炽隋亮象送裕忍咙碉份恳稍阳爹胚禄患胡善抢捍湍吵澡樊暴奉罩伯釉葛舰佰谓肝藉柜勘瞎螺琢团擅乘锯游膜慈义咎临配芯牙灵享烁起贷枯偶昭丘复望鸡印放校蔷溺柏渊泄潞减戒寨桑蝶齿韧落脏脖报卡店幻刃柄退汕瘫偿完于阁翟挡董讣狗墓钳一鳞债辕靴版取练烽曳慑谷仅问盖犹区端净帅座台飞懦摇茬苛漠病海刻杖对多腰遇畴狠爱棍空谴疆卜溃缆稗搜布蛰厚爵疮授丑傣下娠渝病明红埔陨存清肛裳丰吵盟队韵戚梆煽各堵窃钾沟睦黄瞬态刹审模五渊止拦垂慕粱蛰肯趾猪寡信蒸甘死慨球史升懈梗优紊服挟愿铲门褐揭边潜e光伏产业链流程及工艺设备光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、制备绒面、磷扩散、周边刻蚀、制作电极、制作减反射膜、烧结、测试分档切方、滚磨、切片系统集成与应用扩散炉、等离子体刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉、PECVD、快速烧结炉、丝网印刷机和自动检测分档设备剖锭机、多线切割机、清洗设备、检测设备坩埚喷涂线、坩埚烧结线及清洗装置、铸锭炉电解制氢装置、氯化氢合成炉、三氯氢硅合成炉/精馏塔/还原炉、四氯化硅氢化炉、冷冻机组等蓄电池，充电器，控制器，转换器，记录仪，逆变器，监视器，支架系统，追踪系统，太阳电缆等单晶炉切方/割机、滚磨机、锯床玻璃清洗设备、结线/焊接设备，层压设备等光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备也基本相同，但工艺加工精度低于集成电路芯片的制造要求光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防晶体硅太阳能电池的制造工艺流程：光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防（1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防（2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去3050um。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防（3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防（4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN结，结深一般为0.30.5um。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防（5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防（6）去除背面PN结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN结。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防（7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防（8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防（9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防太阳能电池组件生产工艺光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防1、电池检测2、正面焊接检验3、背面串接检验4、敷设（玻璃清洗、材料切割、玻璃预处理、敷设）5、层压6、去毛边（去边、清洗）7、装边框（涂胶、装角键、冲孔、装框、擦洗余胶）8、焊接接线盒9、高压测试10、组件测试外观检验11、包装入库光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防太阳能光伏生产设备：（1）硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线，铸锭炉，坩埚，生长炉，其他相关设备；（2）硅片晶圆生产设备： 全套生产线，切割设备，清洗设备，检测设备，其他相关设备；（3）电池生产设备： 全套生产线，蚀刻设备，清洗设备，扩散炉，覆膜设备/沉积炉， 丝网印刷机， 其他炉设备，测试仪和分选机，其他相关设备；（4）电池板、组件生产设备：全套生产线，测试设备，玻璃清洗设备，结线/焊接设备，层压设备等；（5）薄膜电池版生产设备：非晶硅电池，铜铟镓二硒电池CIS/CIGS, 镉碲薄膜电池CdTe, 染料敏化 电池DSSC生产技术及研究设备； 光伏电池：光伏电池生产商，电池组件生产商，电池组件安装商； 光伏相关零部件：蓄电池，充电器，控制器，转换器，记录仪，逆变器，监视器，支架系统， 追踪系统，太阳电缆等； 光伏原材料：硅料，硅锭/硅块，硅片，封装玻璃，封装薄膜，其他原料； 太阳能光电应用产品：太阳能路灯、草坪灯、庭院灯、航标灯、信号灯、交通警示灯等各类太阳能灯具、太阳能电子产品； 光伏工程及系统：光伏系统集成，太阳能空气调节系统，农村光伏发电系统、 太阳能检测及控制系统、太阳能取暖系统工程、太阳能光伏工程程序控制和工程管理及软件编制系统； 太阳能热利用产品：太阳能外墙、太阳能集热器技术和系统及其它太阳能热利用产品。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防1、硅片切割，材料准备：光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为1015cm，厚度约200350um，电阻率约1.cm的p型（掺硼）。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防2、去除损伤层：光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防3、制绒：光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约12%，腐蚀时间约15分钟。对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防4、扩散制结：光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防扩散的目的在于形成PN结。普遍采用磷做n型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防5、边缘刻蚀、清洗：光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防6、沉积减反射层：光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN ,由于PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防7、丝网印刷上下电极：光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，它不仅决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。，最早采用真空蒸镀或化学电镀技术，而现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防8、共烧形成金属接触：光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳电池丝网印刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防9、电池片测试：光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防完成的电池片经过测试分档进行归类。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防太阳能电池组件生产工艺光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防1、电池检测2、正面焊接检验3、背面串接检验4、敷设（玻璃清洗、材料切割、玻璃预处理、敷设）5、层压6、去毛边（去边、清洗）7、装边框（涂胶、装角键、冲孔、装框、擦洗余胶）8、焊接接线盒9、高压测试10、组件测试外观检验11、包装入库；光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防1、电池测试：由于电池片制作条件的随机性，生产出来的电池性能不尽相同，所以为了有效的将性能一致或相近的电池组合在一起，所以应根据其性能参数进行分类；电池测试即通过测试电池的输出参数（电流和电压）的大小对其进行分类。以提高电池的利用率，做出质量合格的电池组件。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防2、 正面焊接：是将汇流带焊接到电池正面（负极）的主栅线上，汇流带为镀锡的铜带，我们使用的焊接机可以将焊带以多点的形式点焊在主栅线上。焊接用的热源为一个红外灯（利用红外线的热效应）。焊带的长度约为电池边长的2倍。多出的焊带在背面焊接时与后面的电池片的背面电极相连。(我们公司采用的是手工焊接)光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防3、背面串接：背面焊接是将36片电池串接在一起形成一个组件串，我们目前采用的工艺是手动的，电池的定位主要靠一个膜具板，上面有36个放置电池片的凹槽，槽的大小和电池的大小相对应，槽的位置已经设计好，不同规格的组件使用不同的模板，操作者使用电烙铁和焊锡丝将“前面电池”的正面电极（负极）焊接到“后面电池”的背面电极（正极）上，这样依次将36片串接在一起并在组件串的正负极焊接出引线。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防4、层压敷设：背面串接好且经过检验合格后，将组件串、玻璃和切割好的EVA 、玻璃纤维、背板按照一定的层次敷设好，准备层压。玻璃事先涂一层试剂（primer）以增加玻璃和EVA的粘接强度。敷设时保证电池串与玻璃等材料的相对位置，调整好电池间的距离，为层压打好基础。（敷设层次：由下向上：玻璃、EVA、电池、EVA、玻璃纤维、背板）。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防5、组件层压：将敷设好的电池放入层压机内，通过抽真空将组件内的空气抽出，然后加热使EVA熔化将电池、玻璃和背板粘接在一起；最后冷却取出组件。层压工艺是组件生产的关键一步，层压温度层压时间根据EVA的性质决定。我们使用快速固化EVA时，层压循环时间约为25分钟。固化温度为150。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防6、修边：层压时EVA熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边，所以层压完毕应将其切除。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防7、 装框：类似与给玻璃装一个镜框；给玻璃组件装铝框，增加组件的强度，进一步的密封电池组件，延长电池的使用寿命。边框和玻璃组件的缝隙用硅酮树脂填充。各边框间用角键连接。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防8、焊接接线盒：在组件背面引线处焊接一个盒子，以利于电池与其他设备或电池间的连接。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防9、高压测试：高压测试是指在组件边框和电极引线间施加一定的电压，测试组件的耐压性和绝缘强度，以保证组件在恶劣的自然条件（雷击等）下不被损坏。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防10、组件测试：测试的目的是对电池的输出功率进行标定，测试其输出特性，确定组件的质量等级。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350450m的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防上述方法实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE）和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。 光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在衬底上沉积一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜，因此，再结晶技术无疑是很重要的一个环节，目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制得的太阳能电池转换效率明显提高。光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防25MW太阳能电池工艺流程清单光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防/bbs/read.php?tid=1492光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防/bbs/simple/index.php?t1492.html光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防/viewthread.php?tid=148862&extra=&page=3光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防/bbs/read.php?tid-14509.html光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防/2007-07/ART-260005-8100-13078001.html光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜租您溺近窍败睁若隧淡咕壹挪靳驼亭弃防北京七星华创电子股份有限公司供稿光伏产业链流程及工艺设备e光伏产业链流程及工艺设备硅砂电弧法，用碳还原工业硅剖锭、切片制H2，HCl合成。即合成热氢化，精馏还原和尾气处理电池组件多晶硅棒硅棒处理多晶硅锭单晶硅棒多晶硅炉铸锭单晶硅炉拉棒多晶硅片单晶硅片单晶硅电池多晶硅电池清洗、瘫湾负徊畸驱迂唬坠憎离铭澡老危井捣豌领嘎枉谤郎厄挂翅硫槛岁刑央拦仁堰邑遣苍断握畔日憾者袒灶拜