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,部分习题解答,部分物理常数：,1,第2章,1、在N区耗尽区中，高斯定理为：,取一个圆柱形体积，底面在PN结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于x处。则由高斯定理可得：,当x=xn时，E(x)=0，因此，于是得：,（2-5a）,2,3、,3,4、,4,6、,ND2,ND1,5,6,8、(1),7,8,(2),9,10,20、,11,24、PN结的正向扩散电流为,式中的I0因含ni2而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为,于是PN结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为,12,31、当N-区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：,当N-区缩短到W=3m时，雪崩击穿电压成为：,13,34、,14,39、,15,第3章,1、NPN缓变基区晶体管在平衡时的能带图,NPN缓变基区晶体管在放大区时的能带图,16,2、NPN缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图,17,3、,18,6、,19,7、,8、以NPN管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（3-33a）和式（3-33b），,再根据注入效率的定义，可得：,20,9、,21,10、,(1),(2),(3),(4),22,14、,23,15、,24,20、当忽略基区中的少子复合及ICEO时，,25,26,27、实质上是ICS。,22、,27,使NBNC，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。,39、为提高穿通电压Vpt，应当增大WB和NB，但这恰好与提高相矛盾。解决方法：,28,48、,当IE很大时，这时0；,在IE很小或很大时，都会有所下降。,在正常的IE范围内，几乎不随IE变化，这时,0与也有类似的关系。,29,58、,30,31,59、,32,65、,(1),(3),(2),(4),33,68、,34,第5章,1、,
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