第四节-离子注入表面改性技术PPT优秀课件

1、第四节第四节 离子注入表面改性技术离子注入表面改性技术 v4.1 离子注入的特点离子注入的特点 v4.2 离子注入的原理离子注入的原理 v4.3 离子注入在高分子材料表面改性的应用离子注入在高分子材料表面改性的应用 什么是离子注入什么是离子注入 离子注入就是将工件放在离子注入机的真空靶室中，在几十至几百千伏下，离子注入就是将工件放在离子注入机的真空靶室中，在几十至几百千伏下， 把所需元素离子注入工作表面，形成一层在组织和结构上都不同于底材注入层，把所需元素离子注入工作表面，形成一层在组织和结构上都不同于底材注入层， 从而改善材料性能从而改善材料性能 离子注入的基本过程离子注入的基本过程 v将某

2、种元素的原子或携将某种元素的原子或携 带该元素的分子经离化带该元素的分子经离化 变成带电的离子变成带电的离子 v在强电场中加速，获得在强电场中加速，获得 较高的动能较高的动能 v注入材料表层（靶）以注入材料表层（靶）以 改变这种材料表层的物改变这种材料表层的物 理或化学性质理或化学性质 4.1离子注入的特点离子注入的特点 Advantages 非热平衡过程非热平衡过程，因此原则上可以将任何元素注入固体中，注入元素，因此原则上可以将任何元素注入固体中，注入元素 的种类、能量和剂量均可选择，并能精确控制。的种类、能量和剂量均可选择，并能精确控制。 由于离子实在高能状态强行挤入基体的，因此由于离子实

3、在高能状态强行挤入基体的，因此基体材料不受限制基体材料不受限制， 不受传统合金化规则如热力学、相平衡和固溶度等物理冶金学因素不受传统合金化规则如热力学、相平衡和固溶度等物理冶金学因素 的制约，可获取新合金相的制约，可获取新合金相 注入元素进入基体后成高斯分布注入元素进入基体后成高斯分布，不形成新的界面，没有因届满引，不形成新的界面，没有因届满引 起的腐蚀、开裂等涂层易引起的缺陷，从而解决许多涂层技术中存起的腐蚀、开裂等涂层易引起的缺陷，从而解决许多涂层技术中存 在的粘附问题和热膨胀系数不匹配问题在的粘附问题和热膨胀系数不匹配问题 低温过程低温过程（因此可用多种材料作掩膜，如金属、光刻胶、介质）

4、；（因此可用多种材料作掩膜，如金属、光刻胶、介质）； 避免了高温过程引起的热扩散；易于实现对化合物半导体的掺杂；避免了高温过程引起的热扩散；易于实现对化合物半导体的掺杂； 横向效应比气固相扩散小得多，有利于器件尺寸的缩小横向效应比气固相扩散小得多，有利于器件尺寸的缩小 高真空条件进行高真空条件进行不受环境影响，基体外表无残留物，能保持原有的不受环境影响，基体外表无残留物，能保持原有的 外廓尺寸精度和表面光洁度，特别适合外廓尺寸精度和表面光洁度，特别适合高精密部件高精密部件的最后工艺的最后工艺 离子注入离子注入功率消耗低功率消耗低，以表面合金代替整体合金，节约金属而且无，以表面合金代替整体合金，

5、节约金属而且无 毒有利于环保毒有利于环保 4.1离子注入的特点离子注入的特点 离子注入过程是一个离子注入过程是一个非平衡非平衡过程，高能离子进入过程，高能离子进入 靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失 能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大 部分不在晶格上，因而没有电活性。部分不在晶格上，因而没有电活性。 4.1离子注入的特点离子注入的特点 Disadvantages v设备一次性投资大、设备相对复杂、相对昂贵（设备一次性投资大、设备相对复杂、相对昂贵（尤其尤其 是超低能量离子注入机是超低能量离子注入

6、机） v注入时间长、注入深度浅，不适合复杂形态结构改性注入时间长、注入深度浅，不适合复杂形态结构改性 v如如会产生缺陷，甚至非晶化，必须经高温退火加以改会产生缺陷，甚至非晶化，必须经高温退火加以改 进进 v有不安全因素，如高压有不安全因素，如高压 4.1离子注入的特点离子注入的特点 LSS理论理论对在对在非晶靶非晶靶中注入离子的射程分布的研究中注入离子的射程分布的研究 1963年，年，Lindhard, Scharff and Schiott首先确立首先确立 了注入离子在靶内分布理论，简称了注入离子在靶内分布理论，简称 LSS理论理论。 该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个该理论认为，

7、注入离子在靶内的能量损失分为两个 彼此独立的过程彼此独立的过程 (1) 核碰撞核碰撞（nuclear stopping） (2) 电子碰撞电子碰撞（electronic stopping） 阻止本领阻止本领（stopping power）：材料中注入离子）：材料中注入离子 的能量损失大小。的能量损失大小。 4.2 离子注入原理 2016/3/28 核碰撞核碰撞：能量为：能量为E的一个注入离子与靶原子核的一个注入离子与靶原子核 碰撞，离子能量转移到原子核上，结果将使离碰撞，离子能量转移到原子核上，结果将使离 子改变运动方向，而靶原子核可能离开原位，子改变运动方向，而靶原子核可能离开原位， 成为间

8、隙原子核，或只是能量增加。成为间隙原子核，或只是能量增加。 电子碰撞电子碰撞：指的是注入离子与靶内白由电子以：指的是注入离子与靶内白由电子以 及束缚电子之间的碰撞。注入离子和靶原子周及束缚电子之间的碰撞。注入离子和靶原子周 围电子云通过库仑作用，使离子和电子碰撞失围电子云通过库仑作用，使离子和电子碰撞失 去能量，而束缚电子被激发或电离，自由电子去能量，而束缚电子被激发或电离，自由电子 发生移动。发生移动。 4.2 离子注入原理 v核碰撞核碰撞：能量为能量为E的的 一个注入离子与靶一个注入离子与靶 原子核碰撞，离子原子核碰撞，离子 能量转移到原子核能量转移到原子核 上，结果将使离子上，结果将使离

9、子 改变运动方向，而改变运动方向，而 靶原子核可能离开靶原子核可能离开 原位，成为间隙原原位，成为间隙原 子核，或只是能量子核，或只是能量 增加。增加。 n n dE SE dx 核阻止本领核阻止本领 能量为能量为E的注入离子在的注入离子在 单位密度靶内运动单单位密度靶内运动单 位长度时，损失给靶位长度时，损失给靶 原子核的能量。原子核的能量。 核碰撞核碰撞 碰撞参数碰撞参数 pr1+r2 2016/3/28 电子碰撞电子碰撞 v电子碰撞电子碰撞指的是注入离指的是注入离 子与靶内白由电子以及子与靶内白由电子以及 束缚电子之间的碰撞。束缚电子之间的碰撞。 v注入离子和靶原子周围注入离子和靶原子周

10、围 电子云通过库仑作用，电子云通过库仑作用， 使离子和电子碰撞失去使离子和电子碰撞失去 能量，而束缚电子被激能量，而束缚电子被激 发或电离，自由电子发发或电离，自由电子发 生移动。生移动。 v瞬时地形成电子瞬时地形成电子-空穴对空穴对。 e e dx dE ES 电子阻止本领电子阻止本领 电子阻止本领和注入离子电子阻止本领和注入离子 的能量的平方根成正比。的能量的平方根成正比。 1/ 2 151/ 22 0.210eVcm eione e SECvk E k 离子离子 速度速度 2016/3/28 4.2 离子注入原理 离子注入对材料结构的影响 1、大分子链被打断成为活性自由基，自由基、大分子

11、链被打断成为活性自由基，自由基 之间相互结合生成三维网状交联结构。随着电之间相互结合生成三维网状交联结构。随着电 子阻止能量损失的增加，高分子材料的交联度子阻止能量损失的增加，高分子材料的交联度 也相应增加，从而引起高分子材料力学性能的也相应增加，从而引起高分子材料力学性能的 变化。这种力学性能的改变程度依赖于离子注变化。这种力学性能的改变程度依赖于离子注 入的种类、离子注入能量以及注入的方式。入的种类、离子注入能量以及注入的方式。 2、在离子注入过程中，离子能量传递给晶格，、在离子注入过程中，离子能量传递给晶格， 并促使高分子材料表面发生剧烈的结构变化。并促使高分子材料表面发生剧烈的结构变化

12、。 4.2 离子注入原理 v3、高分子材料受离子轰击，碳氮、碳氢及、高分子材料受离子轰击，碳氮、碳氢及 碳氧键被打断，表现出新的化学键形成和碳氧键被打断，表现出新的化学键形成和 大分子构成元素的变化。大分子构成元素的变化。 v4、离子注入不只产生断键和交联，而且产、离子注入不只产生断键和交联，而且产 生导致新化学键形成的微合金。生导致新化学键形成的微合金。 4.2 离子注入原理 4.34.3离子注入在高分子材料表面改性中的应用离子注入在高分子材料表面改性中的应用 v离子注入是一种利用物理方法控制分子聚集状态进行表面改 性的有效手段，通过离子注入高分子材料，不仅能提高材料 表面机械性能，而且可以

13、改善高分子材料的导电性能、光学 特性和磁学性能等。 （1 1）离子注入提高表面硬度，增强抗磨损性能）离子注入提高表面硬度，增强抗磨损性能 v离子注入引起聚合物断链、交联，产生自由基和挥发性物质， 最后出现一个富碳层，聚合物化学配比和结构的变化，也引 起了聚合物表面力学性能的变化。Ochsner等人用50keV， 100keV和200keV的B，N，Cr离子注入PMMA（聚甲基丙烯酸甲 脂）、PE-HD（高密度聚乙烯），PC（聚碳酸脂），发现注 入能量增加，富碳层加强，致密化加强。PC、PE-HD和PMMA 在离子注入后微观硬度都得到了加强。 v微观硬度依赖于注入剂量，剂量增加，微观硬度增加。剂

14、量为 11016 ion/cm2时，产生最大微观硬度增加，微观硬度的增加 没有出现饱和效应。 v这三种聚合物耐磨性非常不同，PC随注入剂量增加耐磨性有较 大的减小，对PE-HD耐磨性急剧减小，对PMMA，离子注入后耐磨 性增加。Ochsner还发现，材料性质的变化和注入离子的种类无 关。 vLEE等用5MeV,2.5MeV,0.5MeV的金属和非金属元素B,N,C,Si和Fe 单独或同时（同时指用二重或三重离子束）注入Kapton H、 Teflon PFA、Tefzel和Mylar。发现注入表面在表面光洁度、硬 度、耐磨损方面出现显著的改善。 v特别用B,N,C三重离子束注入比没注入的硬度大

15、30多倍，比不锈 钢大3倍多。表面光洁度、硬度和耐磨损改进程度依赖于聚合物 的种类和注入离子种类及离子是单独注入还是同时注入。 4.34.3离子注入在高分子材料表面改性中的应用离子注入在高分子材料表面改性中的应用 v熊党生用氧离子分别对尼龙1010进行注入改性结果 发现：几种工艺的O+注入均增强了尼龙 1010的耐磨性， 提高注入能量比增加注入剂量对增强尼龙 1010的耐磨 性更有效。 v清华大学伞金福等人以三种剂量分别对环氧树脂进行 Al、Ti和 Fe离子注入处理，采用 MM-200型摩擦磨损 试验机研究了注入改性层的摩擦学性能。 v结果表明：三种离子注入均可使环氧树脂的耐磨性提 高，摩擦系

16、数降低；其中 Al离子注入对环氧树脂的摩 擦学表面改性效果最好；对应于环氧树脂最小磨损体 积损失的注入剂量分别为 Al离子 210 ionscm2 、 Ti离子 110ionscm2及 Fe离子 110 ionscm2。 4.34.3离子注入在高分子材料表面改性中的应用离子注入在高分子材料表面改性中的应用 v朱福英等人以80 keV不同剂量的CHs 注入超高分子 聚乙烯表面后，测量了其磨损量，发现离子注入后 样品表面磨损量均出现不同程度的减少，尤其以 11015 ionscm2剂量条件为最佳，耐磨性增强 47.5倍。 v北京师范大学吴瑜光等人对聚酯薄膜(PET)进行Si离 子注入研究结果表明，

17、Si离子注入聚合物后，聚合 物的共价链断裂，产生断键或交联，在聚酯膜表面 形成碳的聚集和硅化物颗粒的沉积，因而明显提高 聚酯膜表面硬度和杨氏模量，增强了表面抗磨损特 性。 4.34.3离子注入在高分子材料表面改性中的应用离子注入在高分子材料表面改性中的应用 （2 2）导电性的改善）导电性的改善 v离子注入时由于富碳层的形成，使注入膜的电阻率大幅度的降低， 有效地改善高分子材料导电性或表面抗静电性，使高分子材料在 光敏材料、光电池等领域获得应用。 v离子注入高分子材料的导电机理可以用导电岛模型来解释：在离 子注入过程中，注入离子与被注材料分子之间产生碰撞，在材料 内部沿离子注入入射路径方向形成许

18、多不连续、不均匀的导电岛。 v当注入剂量和能量较低时，注入离子与被注材料分子的碰撞几率 较小，形成的导电岛较少；相反导电岛增加，从而电导率得到提 高。 v郑建邦等人利用低能量的N +对聚苯胺薄膜进行离子注入，结果 表明，注入后薄膜的电导率随注入能量和剂量的增加而提高，电 导率最大提高了9个数量级，同时存可见光范围的吸收比增强。 v吴瑜光通过Cu和Ni离子注入聚酯薄膜极大降低了聚 酯膜的电阻率，而且注入表面紫外线和红外线吸收 特性明显增强。 v孙建平等人采用能量为 10-35 keV，剂量为 3.01015481017ionscm2的 N+对聚(2，5-二 丁氧基)对苯乙炔（PDBOPV）进行离子注入改性， PDBOPV薄膜的电导率随注入离子能量和剂量的增加 而提高。 v刘松的研究表明，经 N +注入的有机高分子材料 PMMA和 PE表面电导率得到明显提高，并且通过选择 合适的剂量可以