半导体晶体管技术标准

1、文件编号:半导体晶体管技术标准制定日期:2004.07.15修改日期:版本页次制定部门制作A06/7工程部硅整流二极管TYPEI(AV)VRRMIFSMVFMIRMVRRMIRMVFMI（AV）TA25oCTA100oCAVAVAAAIN4007110004011550IN53991.510005011.5550快恢复二极管TYPEI(AV)VRRMIFSMVFMIRMVRRMIRMVFMI（AV）TA25oCTA100oCAVVAAAFR10711000301.31550SF282600751.252550SF3836001251.253550Trr测试条件：IF0.5A Irr0.25A

2、IR1A高速开关二极管TYPEI(AV)VRRMIFSMVFMIRM(TA=150oC)IRMVFMI（AV）IRVRAVAVmAAVIN41480.151000.451105020Trr测试条件：IF100mA VR6V RL100 IR-1mA硅双向触发管TYPEITRMVBO|VBO|VBO|V|IBomintapmaxAVVVVVA塑封DB3228323637-15100玻封DB3230323437-15100稳压二极管1000mW 标准电压容压5TYPEVZZZIRMIrVZIZTZZTIZTZZKIZKIRMVRVmAmAAVmAIN4742A122197000.2559.1380

3、IN4745A1615.5167000.25512.2285稳压二极管500mW 标准电压容压5TYPEVZZZTZZKVZIRMIZT5mAIZTIZK0.25AIRMVRminmax/AVBZX-C4V74.4560600-0.010.51BZX-C6V25.86.6102000.0350.12BZX-C8V27.78.77500.050.16BZX-C18V16.819.1501700.070.16BZX-C24V22.825.6802200.080.118审核核准CASE StyleDO-41DO-15TrrCASEStyle300DO-4140DO-1540DO-27TrrCASES

4、tyle4DO-35IBCASEStyleVB=0.5VBOA10DO-4110DO-35IZMCASEStylemA76DO-4157DO-41IZMCASEStylemA85DO-3564DO-35制定日期:2004.07.15修改日期:硅整流二极管快恢复二极管Trr测试条件：IF0.5A Irr0.25A IR1A高速开关二极管Trr测试条件：IF100mA VR6V RL100 IR-1mA硅双向触发管稳压二极管1000mW 标准电压容压5IrmA380285稳压二极管500mW 标准电压容压547DO-3521DO-3516DO-35文件编号:半导体晶体管技术标准制定日期:2004.

5、07.15修改日期:版本页次制定部门制作审核核准A07/7工程部外形尺寸参考标准：符号三极管外形参考尺寸：单位mm二极管外形参考尺寸：单位mmTO-92TO-126TO-220DO-15DO-27DO-35DO-41min maxmin maxmin maxmin max min max min max minA4.33 4.833.81 3.915.58 7.490.70.91.21.30.45 0.550.7B4.33 4.836.99 7.098.388.92.63.655.61.522C12.7-15.25 15.754.44.75.87.68.59.53.054.54.2D0.36

6、0.567.52 7.721.15 1.3925.425.425.425.4E-*1.274.334.80.350.6F3.36 3.760.71 0.811.141.4G3.36 0.561.22 1.329.66 10.28H-*2.542.41 2.66-*16.25I-*1.273.53.86-*3.83J1.14 1.39-*2.54K1.14 1.390.75 0.95L-*0.5514.48 15.87M12.7 14.27ATo-92封装器件图HCDBGFIEGDHKCEABITO-220封装器件图MLABGIKJTO-126封装器件图二极管尺寸图max0.92.75.2制定日

7、期:2004.07.15修改日期:核准外形尺寸参考标准：二极管外形参考尺寸：单位mmDO-41ABGIKJTO-126封装器件图二极管尺寸图文件编号:半导体晶体管技术标准制定日期:2004.07.1修改日期:版本页次制定部门制作审核核准A01/7工程部BUL系列三极管最大额定参数：（Tc25）规格符号单位BUL39D-220BUL38D-220BUL381D-220BUL128A-220BUL6802-126BUL6822-92 额定值参数名称集电极-基极电压BVcboV800800800700600600集电极-发射极电压BVceo450450400400400400发射极-基极电压BVeb

8、o999999集电极电流IcA45541.20.8基极电流Ib2222基极峰值电流IBM(A)tp5ms4444集电极峰值电流ICM81088集电极耗散功率PcW708070702510最高工作结温Tj150150150150150150贮存温度Tstg-55150 -55150 -55150 -55150 -55150 -55150电特性参数：（Tc25）参数条件单位BUL39DBUL38D BUL381D BUL128A BUL6802 BUL6822min max min max min max min max min max minBVCBOIc=1mA Ie=0V8008008007

9、00600600BvceoIc=10mA Ib=0450450400400400400BveboIe=1mA Ic=0999999IcboAIeboVeb=9v Ic=0100100100100100IceoVce=BVceo Ib=0250250250250250Vce(sat)Ic=0.25A Ib=10mA6802为：Ic=0.1A Ib=0.01A6822为：Ic=50mA Ib=10mAV0.05 0.15 0.05 0.15 0.05 0.15 0.05 0.15 0.05 0.15 0.05Vbe(sat)0.70.80.70.80.70.80.70.80.70.80.7hfe1

10、530153015301530152515trs0.20.70.10.60.05 0.55 0.05 0.55 0.05 0.550.1ts36472536252tf0.20.70.10.60.05 0.55 0.05 0.55 0.05 0.550.1文件编号:半导体晶体管技术标准制定日期:2004.07.1修改日期:版本页次制定部门制作审核核准A04/7工程部IRF系列场效应管最大额定参数：（Tc25）规格符号单位2N7000-92IRF730-220IRF740-220IRF830-220IRF840-220 额定值参数名称漏源极限电压VDSSV40400400500500栅源极限电压V

11、GSS1030303030漏极电流ID 25A0.25.51059 ID 1003.56.32.95.4漏极脉冲峰值电流IDM22402036漏极耗散功率PDW0.47512575125最高工作结温Tj150150150150150贮存温度Tstg-55150 -55150 -55150 -55150 -55150电特性参数：（Tc25）参数条件 单位2N7000IRF730IRF740IRF830IRF840min max min max min max min max min maxVDSSID=250A VGS=0V60400400500500VGS(th)ID=250A VDS=VGS

12、0.8324242424IDSSVDS=VDSS VGS=0Tc=25A11111Tc=10050505050IGSSVGS=VGSS VDS=0A10100100100100gVDSID*RDS (max) S2.95.82.54.9RDSVGS=10V ID=4A 0.7510.48 0.55 1.141.40.60.8CissVDS=25V f=1MHZVGS=0pF53014006201030Coss90220105170Crss15272030tonVDD=250V ID=4ARG=4.7 VGS=10Vns262719.530toff20202222.5文件编号:半导体晶体管技术标

13、准制定日期:2004.07.1修改日期:版本页次制定部门制作审核核准A05/7工程部可控硅系列：最大额定参数：（Tc25）规格符号单位X0605MA(92)A06-600C(220) 额定值参数名称重复峰值断态电压VDRMV600600通态电流（均方值）IT(RMS)A0.86平均通态电流（半正弦波，Tc=74)IT(AV)0.5浪涌通态电流,1/2周60HZ不重复正弦波ITSM1060正向峰值门极电流IGM14最高工作结温TjoC-40125-40125贮存温度Tstg-40150-40150电特性参数：（Tc25）参数条件 单位X0605MAA06-600CminmaxminmaxIRDM

14、VD=VDR VR=VRRM Tj=125A15IRRM1001000VTM tp=380S ITM=5.5 A(X0605 为1A) V1.351.55IGTVD=12V RL=30(X0605为140)A30605mA25mAVGTV0.81.3VGDVD=VDRM RL=3.3k (X0605为33K)RGK=1kTj=125V0.20.2IHIT=0.5A RGK=1k(X0605为0.05A) mA525Rth(j-c)701.8Rth(j-a)15060文件编号:半导体晶体管技术标准制定日期:2004.07.1修改日期:版本页次制定部门制作审核核准A02/7工程部1300系列三极管

15、最大额定参数：（Tc25）规格符号单位13001-9213003-22013005-22013005A-22013007-220备注 额定值参数名称集电极-基极电压BVcboV600700700700700集电极-发射极电压BVceo400400400400400发射极-基极电压BVebo69999集电极电流IcA0.61.5448基极电流Ib0.10.75224基极电流IBM1.5448tp5ms集电极峰值电流IcM38816集电极耗散功率PcW1040757580最高工作结温Tj150150150150150贮存温度Tstg-55150 -55150 -55150 -55150 -5515

16、0电特性参数：（Tc25）参数条件单位13001130031300513005A13007Amin max min max min max min max min maxBvcboIc=1mA Ie=0V600700700700700BvceoIc=10mA Ib=0400400400400400BveboIe=1mA Ic=069999IcboVcb=Bvcbo Ie=0A10100100100100IeboVeb=BVebo Ic=0101000100010001000IceoVce=400V Ib=01050505050Vce(sat)Ic=0.25A Ib=10mA13001为：Ic=

17、50mA Ib=1mAV0.10.20.05 0.15 0.05 0.15 0.05 0.15 0.05 0.15Vbe(sat)0.70.850.70.80.70.80.70.80.70.8hfe15251525152515251525trs0.20.70.10.60.10.60.02 0.22 0.05 0.55ts0.53.525361447tf0.20.70.10.60.10.60.02 0.22 0.05 0.55文件编号:半导体晶体管技术标准制定日期:修改日期:版本页次制定部门制作审核核准A03/7工程部9080系列三极管-92封装最大额定参数：（Tc25）规格符号单位9012PN

18、P9013NPN8050NPN8550PNP 额定值参数名称集电极-基极电压BVcboV-404040-40集电极-发射极电压BVceo-202025-25发射极-基极电压BVebo-556-6集电极电流IcA-0.50.51.5-1.5基极电流Ib-0.10.10.5-0.5集电极耗散功率PcW0.6250.62522最高工作结温Tj150150150150贮存温度Tstg-55150 -55150 -55150 -55150电特性参数：（Tc25）参数条件单位9012901380508550min max min max min max min maxBvcboIc=100A Ie=0V-404040-40BvceoIc=1mA Ib=0-202025-25BveboIe=100