模块12三极管基本特性的测试

1、1.2.1 三极管基本特性的测试三极管基本特性的测试看一看看一看三极管的结构与符号三极管的结构与符号发射结发射结(Je) 集电结集电结(Jc) 基极基极，用B或b表示（Base） 发射极发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极集电极，用C或c表示（Collector）。 发射区发射区集电区集电区基区基区三极管符号三极管符号看一看看一看三极管的结构与符号三极管的结构与符号NPN型PNP型符号符号:-bce-ebc 三极管的结构特点三极管的结构特点:（1）发射区的掺杂浓度集电区掺杂浓度。）发射区的掺杂浓度集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。）基区要制造得很薄且浓度很低。-NNP

2、发射区集电区基区发射结 集电结ecb发射极集电极基极-PPN发射区集电区基区发射结 集电结ecb发射极集电极基极 结构特点：结构特点： 发射区的掺杂浓度最高，有利于发射电子发射区的掺杂浓度最高，有利于发射电子 集电区掺杂浓度低于发射集电区掺杂浓度低于发射区，且体积大，有利于收区，且体积大，有利于收集电子集电子基区很薄，一般在几个微基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂米至几十个微米，且掺杂浓度最低，有利于电子从浓度最低，有利于电子从基区通过，到达集电区基区通过，到达集电区管芯结构剖面图管芯结构剖面图看一看看一看三极管的结构与符号三极管的结构与符号S9013EBC看一看看一看三极管三极管9

3、013示意图示意图2022-2-8 半导体三极管的型号半导体三极管的型号第二位：第二位：A锗锗PNP管、管、B锗锗NPN管、管、 C硅硅PNP管、管、D硅硅NPN管管 第三位：第三位：X低频小功率管、低频小功率管、D低频大功率管、低频大功率管、 G高频小功率管、高频小功率管、A高频大功率管、高频大功率管、K开关管开关管用字母表示材料用字母表示材料用字母表示器件的种类用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格用字母表示同一型号中的不同规格三极管三极管国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：3D

4、G110B 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏发射结正偏，集电结反偏发射区：发射载流子发射区：发射载流子集电区：收集载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子基区：传送和控制载流子 （以（以NPN为例）为例） 载流子的传输过程载流子的传输过程 可见，三极管内有两种载可见，三极管内有两种载流子流子(自由电子和空穴自由电子和空穴)参与导电，参与导电，故称为双极型三极管。或故称为双极型三极管。或BJT （Bipolar Junction Transist

5、or） 读一读读一读三极管各极电流分配关系三极管各极电流分配关系载流子的传输过程载流子的传输过程IE=IB+ ICVCB单独作用 ，E端悬空，I IC=I IB=I ICBO，极间反向 饱和电流此部分电流为集电极中的少子漂移到基极与基极的多子复合而产生的电流，受温度影响。在放大情况下，发射结正偏，集电结反偏在放大情况下，发射结正偏，集电结反偏VBE作用时于PN节，由于电子扩散产生电流I IE,I IE由两部分组成 I IB+I Inc , I IB为为与基区空穴复合与基区空穴复合而产生的电流，而产生的电流， I IB与与I Inc 有一定的比例关, I Inc 为发射极越过PN节的电子被集电极

6、吸收过去而产生的电流。ECNIIVCE单独作用 ，B端空,I ICEO=(1+ )I ICBO，发射极注入电流传输到集电极的电流设 EnC II即根据传输过程可知根据传输过程可知 IC= InC+ ICBOIB= IB - ICBO通常通常 IC ICBOEC II则有IE=IB+ IC载流子的传输过程载流子的传输过程读一读读一读三极管各极电流分配关系三极管各极电流分配关系1 又根据根据BCEOC III则 是另一个电流放大系数，是另一个电流放大系数，同样，它也只与管子同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一一般般 1IE=IB+ IC IC= InC+ ICBOEnC II且令且令BCCEOC IIII时，当ICEO= (1+ ) ICBO（穿透电流）（穿透电流）读一读读一读三极管各极电流分配关系三极管各极电流分配关系小结小结1.三极管的结构与符号三极管的结构与符号2.三极管具有放大作用的外三极管具有放大作用的外部条件部条件3.三极管的电流分配关系三极管的电流分配