专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案

1、专升本CMOS模拟集成电路分析与设计一、（共75题，共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS管的小信号输出电阻1是由MOS管的（）效应产生的。（2分）A.体B.衬偏C沟长调制D.亚阈倡导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让 MOS管工作在（）区。（2分）A.亚阈值区B.深三极管区 C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的 MOS管将进入饱和区。（2分）A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽.标准答案：A5. （

2、）表征了 MOS器件的灵敏度。（2分）A.fB/C.QD心.标准答案：C6. Cascode®大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。（2分）A/B/C。D.皿入.标准答案：B7 .基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）o （2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值8 .负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C8 .下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）o（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器标准答案：C9 .镜像电流源一般要求相同的（）。（2分）A.

3、制造工艺 B.器件宽长比C.器件宽度W D.器件长度L标准答案：D10 .某一恒流源电流镜如图所示。忽略 M3的体效应。要使'口和严格相等，又应取为（）。k（2分）A%#“' .B%+。WC mD.标准答案：A11 .选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器标准答案：A12 .下图中，其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该一 20 一电路的等效输入电阻为（）。即七“（2分）A' 1 4B.mC.gr）d/”F.标准答案：A13 .对电路进行直流工作点分析的 Hspice命令

4、是（）。（2分）A.DC B.AC C.OP D.IC.标准答案：C14 .模拟集成电路设计中的第一一步是 （）0（2分）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案：C15 .（）可提高图中放大器的增益。 （2分）A.减小”,减小;B.增大戏,增大工工 7 rC.增大，减小D.减小看,增大1r .标准答案：A16 .模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。（2分）A.增益 B.输出电阻C.输出摆幅D.输入电阻.标准答案：C17 .模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）o （2分）A.增益B.电压净空C.输出摆幅D.输入偏置.标准答案：A18 .在NMOS中，

5、若*8会使阈值电压（）（2分）A.增大B.不变C.减小D.可大可小标准答案：A19 . NMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层（）。（2分）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变标准答案：C20 .随着微电子工艺水平提高，特征尺寸不断减小，这时电路的工作电压会（）（2分）A.不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低标准答案：D21 . MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。（2分）A.电导 B.电阻C跨导D.跨阻标准答案：C22 .工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个（）。（2分）A.恒压源B.电压控制电流源C.恒流源D电流控制电压源标准答案：B23 .密勒效应最明显的

6、放大器是（）o （2分）A.共源极放大器B.源极跟随器C.共栅极放大器D.共基极放大器标准答案：A24 .不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。（2分）A.电阻负载B二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载标准答案：C25 .模拟集成电路设计中的最后一步是（）。（2分）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择标准答案：B26 .在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS标准答案：B1329.当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）B C D

7、（2 分）A.见图B.见图C.见图D.见图.标准答案：D27. MOS器件小信号模型中的gmb是由MOS管的（）效应引起。（2分）A.二级B.衬偏C.沟长调制D.亚阈倡导通.标准答案：B28. PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。（2分）A.电子 B.空穴C.正电荷D.负电荷.标准答案：BA.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区标准答案：B35.下图的共源共栅放大器中，选择合适的偏置电压VB,让输入电压Vin从0逐渐增加，则先从饱和区进入线性区的 MOS管是（）（2分）A.M1B.M2C.两个同时进入D.都有可能标准答案：D30.如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理

8、想。（2分）A.大B.小C.近似于WD.精确.标准答案：A31. MOS电容中对电容值贡献最大的是（）。（2分）A CGSB.CgdC CdbD.Csb.标准答案：A36.下面放大器的小信号增益为（）A.gm%32.下面几种电路中增益线性度最好的是（）o （2分）A.电阻负载共源级放大器B.电流源负载共源级放大器C.二极管负载共源级放大器D.源极负反馈共源级放大器.标准答案：Cgm%B. 1 gmRsC.1D.理论上无穷大 标准答案：A33.电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（） （2分）A.增大器件宽长比B.增大负载电阻C.降低输入信号直流电平D.增大器件的沟道长度

9、L.标准答案：D（2分）37.下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）o （2分）A.为放大器管提供固定偏置B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益标准答案：D34.电阻负载共源级放大器中，让输入信号从 VDD下降，NMOS管首先进入（） 区。（2分）38.下图电流镜的输出电压最小值为（）a.2Vod 24b.2Vod Vthc.2VodD 2Vod 2Vgs.标准答案：C（2分）39.下图中，其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出电阻为（）（2分）A. 1 A1 B.C.R1R1 D.A.标准答案:40.（）可提高图中放大

10、器的增益。分）WA.减小L 1,2B.仅增大L1,2WC.增大L 1,2D.仅减小W1,2标准答案：C41. MOS管的端电压变化时，源极和漏极（）互换。 （2分）A.能B不能C.不知道能不能D.在特殊的极限情况下能标准答案：A42. CMOS工艺里不容易加工的器件为（）。（2分）A.电阻 B.电容 C.电感 D.MOS管标准答案：C43. MOS管的特征尺寸通常是指（）。（2分）A.W B.L C.W/L D.tox标准答案：B44 . MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）。（2分）A.反型B.夹断C耗尽D.导通标准答案：C45 .源极跟随器通常不能用作（）。（2分）A.缓冲器B.

11、放大器C.电平移动D.驱动器标准答案：B46.能较大范围提高阈值电压的方法是（）（2分）A.增大MOS管尺寸B.提高过驱动电压C.制造时向沟道区域注入杂质D.增大衬底偏置效应.标准答案：C47 . PMOS管导电，依靠的是沟道中的（）。（2分）A.电子 B.空穴C.电荷D.电子空穴对.标准答案：B48 .为了让MOS管对外表现出受控电流源的特性，我们通常让其工作在（）区 （2分）A.截止B.三极管C线性 D.饱和.标准答案：D49 . MOS管中最大的电容是（）。（2分）A.氧化层电容 B.耗尽层电容 C.交叠电容D.结电容.标准答案：A50 . MOS器件小信号模型中的由MOS管的（）效应引

12、起。（2分）A.体B.衬偏C沟长调制D.亚阈倡导通.标准答案：C51 .在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的 IC最容易实现尺寸的按比例缩 小。（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS.标准答案：B52 .（）在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番（2分）A.比尔盖茨B.摩尔C乔布斯D.贝尔.标准答案：BA.夹断层B.反型层C导电层D.耗尽层标准答案：B57. 形成（）的栅源电压叫阈值电压（）。（2分）A.夹断层B.反型层C导电层D.耗尽层标准答案：B58. NMOS管中，如果VBS变得更小，则耗尽层（）。（2分）A.不变B.变得更窄C.

13、变得更宽D.几乎不变标准答案：C59. NMOS管的导电沟道中依靠（）导电。 （2分）A.电子B.空穴C正电荷D.负电荷标准答案：A60.当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）B C D （2分）A.见图B.见图C加图D.见图标准答案：CA61. MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流 的能力。（2分）A.跨导B.受控电流源 C跨阻D.小信号增益标准答案：A工值（）（2分）53.最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS.标准答案：B62.人为沟长调制效应系数，对于较长的沟

14、道，A.较大B.较小C不变D.不定标准答案：B54 .工作在（）区的MOS管，可以被看作为电流源。（2分）A.截止B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案：D55 .工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。（2分）A.截止B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案：D56 .载流子沟道就在栅氧层下形成（），源和漏之间导通”。（2分）63. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）o（2分）A.低B.一般C.高D.很高标准答案：D64. NMOS管中，对阈值电压影响最大的是（）。（2分）A.VBS B.VGS C.VDS D.W/L标准答案：A65. Cascod故大器中两个尺寸相同的 N

15、MOS具有相同的（）效应。 （2分）A.沟长调制B.体C.背栅D.衬底偏置.标准答案：A66 .小信号输出电阻相对最小的放大器是（）。（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：B67 .差分放大器中，共模输入电平的变化不会引起差动输出的改变的因素是（） （2分）A.尾电流源输出阻抗为有限值B.输入MOS管不完全对称C.负载不完全对称D.输入对管工作在饱和区.标准答案：Da.2Vod 24 B 2Vod Vth C 2VodD 2Vod2Vgs标准答案：B71.下图中，其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该68.下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。（2分）A.为放大器管提供固定偏置B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益.标准答案：D电路的等效输出电阻为（）（2分）A.1 A69.下面电路的差模小信号增益为（）0（2分）A.gmiRDB.g m1ro4C.gm111gm2 Q4 11ro2D. gmi ro4 |ro2.标准答案：D70.某一恒流源电流镜如图所示。忽略 M3的体效应。若让M2管工作在饱和区边,Vb应取为（）（2分）1 B.R1 C.R1D.A1