青铜剑三电平驱动方案介绍_图文

1、 青铜剑科技 三电平驱动方案介绍 目 录一 、三电平技术简介二、常见三电平IGBT模块三、青铜剑三电平驱动方案 三电平技术简介定义:三电平变换器 (three level 的桥臂上有4个电力半导体器件,它通过对直流侧的 分压和开关动作的不同组合,实现多电平阶梯波输出电压,可以使波形更加接近正 弦波。优点:1. 任何时刻处于关断状态的开关器件承受的压降减小,更适合大量高电压的场合。 2. 可产生多层阶梯形输出电压,对阶梯波再作调制可以得到很好近的正弦波,理论 上提高电平数可接近标准正弦波形、谐波含量小。3. 电磁干扰(EMI问题大大减轻,因为开关元件一次动作的dV/dt通常只有传统两 电平的一半

2、。4. 效率高。消除同样谐波,两电平PWM控制法开关频率高、损耗大,而三电平逆 变器可用较低频率进行开关动作,损耗小、效率提高。5. 主要高次谐波远高于开关频率。应用领域:三电平主要应用于有源滤波器、变频器、逆变器等领域。 常见三电平IGBT模块目前市面上常见的三电平IGBT制造商有:英飞凌、塞米控、富士等 英飞凌三电平IGBT模块:F3L400R12PT4_B26塞米控三电平IGBT模块:SKiM601TMLI12E4B富士三电平IGBT模块:4MBI400VF-120R-50、4MBI300VF-120R-50 英飞凌三电平IGBT模块英飞凌公司的“ T ”型三电平IGBT F3L400R

3、12PT4_B26拓扑电路和实物图如下:(共集电极型 塞米控三电平IGBT模块塞米控公司的“T”型三电平IGBT SKiM601TMLI12E4B拓扑图如下:(共发射极型T3T4 T1 T2 富士三电平 IGBT 模块富士电机推出了“T”型逆阻三电平IGBT模块(RB-IGBT,拓扑图如下: 逆阻IGBT T3和T。 青铜剑三电平驱动方案简介针对英飞凌、塞米控和富士推出的三电平IGBT模块,青铜剑推出了对应的驱动方案:英飞凌三电平IGBT驱动方案并联型 4QD30A17K-3L-I英飞凌三电平IGBT驱动方案即插即用型 4QP0115T17-3L-I塞米控三电平IGBT驱动方案并联型 4QD3

4、0A17K-3L-S赛米控三电平IGBT驱动方案即插即用型 4QP0115T17-3L-S富士三电平IGBT驱动方案 4QD0435T12-3L-FVishay三电平IGBT驱动方案 4QD30A17K-3L-V(即将推出 青铜剑科技还可以为您定制专属的驱动解决方案,如有需要请联系我们。 英飞凌三电平IGBT驱动方案并联型4QD30A17K-3L-I 4AB30A17K-3L MA20A12K-3L-I方案以青铜剑成熟产品2QD30A17K-I为核心,驱动核焊接在底座板上,门极板焊接在IGBT上,底座板与门极板之间通过导线连接。(包含2块30A驱动核,一块4AB底座板及1块MA20A12K-3

5、L-I门极板主要功能参数:支持两个三电平IGBT并联使用每个IGBT独立的推挽电路驱动核单通道4W驱动功率有源钳位电压保护功能电源欠压保护功能15V逻辑输入信号短路保护功能软关断功能 英飞凌三电平IGBT驱动方案二即插即用型4QP0115T-3L-I 方案以青铜剑4QP0115T-3L-I为核心, 插在底座4AB0115T-3L上,底座板焊接在IGBT上。主要功能参数:即插即用型三电平驱动方案单通道15A峰值驱动电流3.315V逻辑输入信号有源钳位电压保护功能电源欠压保护功能短路保护功能 塞米控三电平IGBT驱动方案并联型4QD30A17K-3L-S p 方案以青铜剑成熟产品2QD30A17K

6、I为核心，驱动核焊接在底座板上，门 极板焊接在IGBT上，底座板与门极板 之间通过导线连接。 p（包含2块30A驱动核，一块4AB底座 板及1块MA20A12K-3L-S门极板） MA20A12K-3L-S p主要功能参数： l支持两个三电平IGBT并联使用 l每个IGBT独立的推挽电路 l驱动核单通道4W驱动功率 l有源钳位电压保护功能 l电源欠压保护功能 l15V逻辑输入信号 l短路保护功能 l软关断功能 4AB30A17K-3L 塞米控三电平IGBT驱动方案4QP0115T17-3L-S p 基于青铜剑专用ASIC芯片设计的即插 即用型驱动器 p主要功能参数： l即插即用型三电平驱动方案 l单通道15A峰值驱动电流 l3.315V逻辑输入信号 l有源钳位电压保护功能 l电源欠压保护功能 l短路保护功能 富士三电平IGBT驱动方案并联型4QD0435T17-3L-F p方案以青铜剑成熟产品2QD0435T17-C 为核心，驱动核焊接在底座板上，门极 板焊接在IGBT上，底座板与门极板之间 通过导线连接。 p 主要功能参数： l支持两个三电平IGBT并联使用