模电第四章场效应晶体管及其放大电路

1、1第四章场效应晶体管及其放大电路P126 GSu GSu GS(th)U DSuDiGS(th)GSUuDSuDSuDSuDSuDiDSuGS(th)GSDSUuu DSuDiDSuDiGSuDiDSuGS(th)GSDSUuuGSuDiDiGSu 常数DS)(GSDUUfI GS(th)GSUu0DiGS(th)GSUuGSuDiDiGSu2GS(th)GSDOD) 1(UuIIDOIGS(th)GS2UuDIDSuGSuDi 常数GS)(DSDUUfIDSuDSuGSuDiDSuGSuGSu GS(th)GSUu常数GS)(DSDUUfI DSuDIDiDSuDiDSuDiGS(th)GS

2、DSUuu DSu0GSuDSSI0GSuDiGSuDiGSu0DiGSuGS(off)UGS(th)GSUu GSuDi2GS(off)GSDSSD)1 (UUII0GSGS(off) uUP126 DSuDiGSuDSuDiGSuDiGSu0DiGS(off)UGS(off)GSUU0DiGSuDi0GSUDSSIGS(off)U 2GS(off)GSDSSD)1 (UuIIGS(th)U GS(off)U DSSIDSuGS(DC)R GS(DC)R710GS(DC)R1010mg GSuDi常数DSGSDmUuigmg mg。 GSC GDCDSCDMI (BR)DSUDiDSu(BR

3、)GSU DMP 1）MOS管栅源之间的电阻很高，使得栅极的感应电荷不易泄管栅源之间的电阻很高，使得栅极的感应电荷不易泄放，因极间电容很小，故会造成电压过高使绝缘栅击穿。放，因极间电容很小，故会造成电压过高使绝缘栅击穿。 2）有些场效应管将衬底引出，故有）有些场效应管将衬底引出，故有4个管脚，这种管子漏极个管脚，这种管子漏极与源极可互换使用。但有些场效应管在内部已将衬底与源极与源极可互换使用。但有些场效应管在内部已将衬底与源极接在一起，只引出接在一起，只引出3个电极，这种管子的漏极与源极不能互换。个电极，这种管子的漏极与源极不能互换。 （3 3）场效应管噪声系数很小，所以低噪声放大器的输入级及

4、）场效应管噪声系数很小，所以低噪声放大器的输入级及要求信噪比较高的电路应选用场效应管。当然也可选用特制要求信噪比较高的电路应选用场效应管。当然也可选用特制的低噪声晶体管。的低噪声晶体管。 SDGSRIUSRSDGS2GS(off)GSDSSD)1 (RIUUUII)(SDDDDDSRRIVU0DI SDDDG2G1G2SGGSRIVRRRUUUG1RG2RG2RG1RG3R2GS(th)GSDODSDDDG2G1G2GS) 1(UuIIRIVRRRU)(SDDDDDSRRIVU Digsudsu LmiOuLimLGSmLDdo)/(RgUUARUgRUgRRIUuAiR)/(G2G1G3iR

5、RRRG1RG2R)/(G2G1G3RRRG3iRR oRDoRR uALmLmLgsmgsLgsmiOu1RgRgRUgURUgUUAiR)/(G2G1G3iRRRR )/(G2G1G3RRRG3iRR oRoRgsmSodRoUgRUIII0gIogsUUomSooUgRUImSmSomSooooo1/11gRgRUgRUUIUR mA1DQI M2G3Rk91G1Rk10G2R k3SRk10LRV4GS(th)UmA4DOIuAiRoRmS1)1442(2DQDOGS(th)GSDmIIUuig7 . 04 . 2114 . 211LmLmuRgRgAM2)/(G2G1G3iRRRRk75. 013111/mSogRR4.3 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 图4-15 IGBT的符号 图4-16 IGBT的等效电路 IGBTIGBT与与MOSFETMOSFET的对比的对比 MOSFET全称功率场效应管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。 主要优点：热稳定性好、安全工作区大；缺点：击穿电压低低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶体管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。 主要特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件