迈博瑞滤芯半导体之清洗工艺pptx

1、半导体之清洗工艺及滤芯应用 芯片生产过程视频介绍典型的化学清洗工艺典型的化学清洗工艺污染物类型：颗粒、有机残留物、无机残留物、要去除的污染物类型：颗粒、有机残留物、无机残留物、要去除的氧化层。氧化层。化学品作用工艺温度选用滤芯H2SO4+氧化剂（H202/2S2O8/HNO3/O3）可去除大多数无机残留物和颗粒，也可用于光刻中去光刻胶90-125全氟（0.050.2um）HF/H2O(DHF)去除硅氧化层室温PTFE/PES（0.00.2um）NH4OH/H2O2/H2O(SC-1)去除有机残留物75-85全氟（0.020.2um）HCl/H2O2/H2O(SC-2)去除残留金属离子75-85

2、UPW超纯水清洗用于各清洗步骤前后，去除残留药剂20-85PES/NY（0.040.1um） NH4OH/H2O2/H2O (SC-1):S利用氨水的弱碱性活化硅晶圆及微粒子表面，使晶圆表面与微粒子间产生相互排斥；双氧水具有氧化晶圆表面的作用，然后氨水对SiO2进行微刻蚀，去除颗粒S氨水与部分过度金属离子形成可溶性络合物，去除金属不溶物SH2O:H2O2:NH4OH=5:1:17:1:1 (H2O2:30%,NH4OH:29%) HCl/H2O2/H2O(SC2):S利用双氧水氧化污染的金属，而盐酸与金属离子生成可溶性的氯化物而溶解。SHCl:H2O2:H2O=1:1:61:2:8，在70度下

3、进行510分钟的清洗(HCl:37%,H2O2 :30%) SC1、SC2标准溶液统称为RCA清洗 H2SO4/H2O2(Piranha Clean, Caro Clean):S利用硫酸及双氧水的强氧化性和脱水性破坏有机物的碳氢键，去除有机不纯物。SH2SO4:H2O2=24:1，在130度高温下进行1015分钟的浸泡HF/H2O(DHF)或或HF NH4F/H2O(BHF):S 清除硅晶圆表面自然生成的氧化层，通常使用稀释后的氢氟酸（0.49%2%）或以氢氟酸和氟化铵生成的缓冲溶液SHF:NH4F=1:200400，在室温下进行1530秒的反应 湿法清洗工艺流程湿法清洗工艺流程MS AFS-

4、Pure PFA全氟滤芯，采用 e-PTFE膜和PFA 中心杆及外壳，可以满足最恶劣环境中的最严格的过滤要求，适用于微电子行业各种强腐蚀性酸、碱、有机溶剂等化学品的过滤，且耐高温，可达260。先进的流体动力学设计，使过膜压差更低，单位面积通量更大。独特的打褶设计使膜面积更大，纳污量更高，使用寿命更长。洁净生产间生产，100%完整性测试。vAFS-Pure PFAMSFlorPure PTFE滤芯采用高精度e-PTFE膜，带无纺布支撑层。中心杆，外壳，端盖等采用PP材质，具有优异的耐腐蚀性能，对全氟滤芯来说是一种很好的经济型的替代。可用于除去流体中纳米级的颗粒杂质，保持流体的高洁净度。最高耐受温度80。先进的流体动力学设计，使过膜压差更低，单位面积通量更大。独特的打褶设计使膜面积更大，纳污量更高，使用寿命更长。洁净生产间生产，100%完整性测试。vFluorPure-HF PTFEMSSteriPure PES滤芯采用高不对称的亲水性聚醚砜膜，带无纺布支撑层， PP材质的中心杆，外壳、端盖，具有广泛的化学兼容性，适合于微电子中的超纯水，腐蚀性化学品过滤。高精度的截留效率，使过滤流体洁净度更高。最高耐受温度9