模拟电子技术 第3章场效应管及其放大电路 考研备考期末复习

1、模拟电子技术基础模拟电子技术基础第第3章章 场效应管及其放大电路场效应管及其放大电路3.1结型场效应管结型场效应管3.2绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管3.3场效应管放大电路场效应管放大电路模拟电子技术基础模拟电子技术基础 场效应管的工作原理场效应管的工作原理 场效应管放大电路场效应管放大电路本章重点本章重点模拟电子技术基础模拟电子技术基础双极型三极管场效应三极管结构NPN型PNP型结型耗尽型N沟道P沟道绝缘栅增强型N沟道P沟道绝缘栅耗尽型N沟道P沟道C与E一般不可倒置使用D与S有的型号可倒置使用载 流 子多子扩散少子漂移多子漂移输 入 量电流输入电压输入控制电流控制电流源CCCS（）电压控制

2、电流源VCCS（gm）噪声较大较小温度特性受温度影响较大较小，可有零温度系数点输入电阻几十到几千欧姆几兆欧姆以上静电影响不受静电影响易受静电影响集成工艺不易大规模集成适宜大规模和超大规模集成双极型三极管和场效应管的比较双极型三极管和场效应管的比较模拟电子技术基础模拟电子技术基础场效应管的类型场效应管的类型结型场效应管结型场效应管 JFET绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管 IGFETN沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道耗尽型耗尽型增强型增强型耗尽型耗尽型增强型增强型模拟电子技术基础模拟电子技术基础3.1 结型场效应管结型场效应管 3.1.1 结型场效应管的结构结型场效应管的结构sgdP+NP

3、+ SiO2保护层保护层N沟道沟道JFET结构示意图结构示意图模拟电子技术基础模拟电子技术基础NP+P+形成形成SiO2保护层保护层以以N型半导型半导体作衬底体作衬底上下各引出一个电极上下各引出一个电极左右各引出一个电极左右各引出一个电极两边个引出一个电极两边个引出一个电极两边个引出一个电极两边个引出一个电极两边扩散两边扩散两个高浓两个高浓度的度的P型区型区模拟电子技术基础模拟电子技术基础漏极漏极D（drain)源极源极S（source)栅极栅极G（gate)NP+P+N型导电沟型导电沟道道符号符号称为称为N沟沟道道JFETgds模拟电子技术基础模拟电子技术基础符号符号P沟道沟道JFET结构示

4、意图结构示意图PN+N+P型导电沟型导电沟道道SGDgds模拟电子技术基础模拟电子技术基础3.1.2 结型场效应管的结型场效应管的工作原理工作原理 GDSGRDRDDVDiDSuGSuDSuGiGGVSi 模拟电子技术基础模拟电子技术基础1. uDS=0 时，时，uGS 对沟道的控制作用对沟道的控制作用 a. 当当uGS= 0时时DSu0GS uNP+P+N型导电沟道型导电沟道SGD=0沟道无变化沟道无变化模拟电子技术基础模拟电子技术基础GSuDSuNP+P+N型导电沟道型导电沟道SGD=0P+(a) PN结加宽结加宽(b) PN结主要向结主要向N区扩展区扩展(c) 导电沟道导电沟道变窄变窄(

5、d) 导电沟道导电沟道 电阻增大电阻增大b. UGS(off)uGS uGS = UGS(off) UGS(off) 栅源截止电压栅源截止电压或夹断电压或夹断电压GSu+模拟电子技术基础模拟电子技术基础DSuGSuNP+P+N型导电沟道型导电沟道SGD=0+a. 0 uDS |UGS(off)|(a) iD达到最大值达到最大值几几乎不随乎不随uDS的的增增大而变化大而变化GSuNP+N型导电沟道型导电沟道SGD=0P+DiDSu+(b) 沟道夹断沟道夹断区延长区延长模拟电子技术基础模拟电子技术基础3. 当当uDS 0 时，时，uGS 对沟道的控制作用对沟道的控制作用 a. uDS和和uGS将一

6、起改将一起改变沟道的宽度变沟道的宽度GSuNP+N型导电沟道型导电沟道SGDP+DiDSu+c. 当当uDG= | UGS(off) | 时，时，沟道出现沟道出现预夹断预夹断。uDS=|UGS(off)|+uGSb. PN结在漏极端的结在漏极端的反偏电压最大。反偏电压最大。 uDG= uDS-uGS模拟电子技术基础模拟电子技术基础（1）JFET是利用是利用uGS 所产生的电场变化来改变沟所产生的电场变化来改变沟道电阻的大小，即利用电场效应控制沟道中道电阻的大小，即利用电场效应控制沟道中流通的电流大小，因而称为场效应管。流通的电流大小，因而称为场效应管。（2）场效应管为一个电压控制型的器件。场效

7、应管为一个电压控制型的器件。（3）在在N沟道沟道JFET中中，uGS和和UGS（off）均为负值。均为负值。在在P沟道沟道JFET中中，uGS和和UGS（off）均为正值均为正值。小结模拟电子技术基础模拟电子技术基础3.1.3 结型场效应管的伏安特性结型场效应管的伏安特性 在在正常情况下，正常情况下，iG =0，管子无输入特性。管子无输入特性。GSuDSuGiDi+模拟电子技术基础模拟电子技术基础1. 输出特性（漏极特性）输出特性（漏极特性） 常数GS)(DSDuufi特性曲线特性曲线24061020GS(off)GSUu mA/DiV0GS uV5 . 0 V/DSuGS(off)GSDSU

8、uu V5 . 1 V0 . 1 V0 . 2 可可变变电电阻阻区区放大区放大区截止区截止区GSuDSuGiDi+模拟电子技术基础模拟电子技术基础24061020GS(off)GSUu mA/DiV0GS uV5 . 0 V/DSuGS(off)GSDSUuu V5 . 1 V0 . 1 V0 . 2 可可变变电电阻阻区区（1 1）可变电阻区）可变电阻区a. uDS较小，沟道尚未夹断较小，沟道尚未夹断b. uDS uGS -UGS(off)c. .管子相当于受管子相当于受uGS控控制的制的压控电阻压控电阻各区的特点各区的特点模拟电子技术基础模拟电子技术基础（2）放大区放大区 （饱和区、恒流区）

9、（饱和区、恒流区）b. uDS uGS -UGS(off)a. 沟道预夹断沟道预夹断c. iD几乎与几乎与uDS无关无关d. iD只受只受uGS的控制的控制24061020GS(off)GSUu mA/DiV0GS uV5 . 0 V/DSuGS(off)GSDSUuu V5 . 1 V0 . 1 V0 . 2 放大区放大区模拟电子技术基础模拟电子技术基础a. uGSUGS(off) （3） 截止区截止区b. 沟道完全夹断沟道完全夹断c. iD024061020GS(off)GSUu mA/DiV0GS uV5 . 0 V/DSuGS(off)GSDSUuu V5 . 1 V0 . 1 V0

10、. 2 截止区截止区模拟电子技术基础模拟电子技术基础2. 转移特性转移特性表示场效应管的表示场效应管的uGS对对iD的控制特性。的控制特性。常数DS)(GSDuufi定义定义转移特性曲线可由输出特性曲线得到。转移特性曲线可由输出特性曲线得到。模拟电子技术基础模拟电子技术基础 （1）对于不同的对于不同的uDS，所对应的转移特性曲线不同；所对应的转移特性曲线不同；（2）当管子工作于恒流区时，转移特性曲线基本重合。当管子工作于恒流区时，转移特性曲线基本重合。DSuDiV0GS uGS1uGS2uGS3uGS4u0GS3uGS1uGS(off)uDiGSu0GS1u曲线特点模拟电子技术基础模拟电子技术

11、基础2GS(off)GSDSSD)1 (UuIi当管子工作于恒流区时当管子工作于恒流区时称为称为零偏漏极电流零偏漏极电流GS(off)DSGSV0DDSSUuuiIDSSIGS3uGS1uGS(off)uDiGSu0GS1uDiV0GS uGS1uGS2uGS3uGS4u0DSu模拟电子技术基础模拟电子技术基础3.1.4 结型场效应管的主要电参数结型场效应管的主要电参数 1. 直流参数直流参数 （3）直流输入电阻）直流输入电阻RGS （1）夹断电压）夹断电压UGS(off) （2）零偏漏极电流）零偏漏极电流I IDSS （也称为漏极饱和电流）（也称为漏极饱和电流）)A50()V10(GSGS(

12、off)DDS测试值常数IUuU0)(DDSSGSGS(off)DSUUUiI常数)V10()V0(GGSGSGSDS常数常数UUIUR模拟电子技术基础模拟电子技术基础2. 交流参数交流参数 （1）跨导跨导gm 也称为互导。其定义为：也称为互导。其定义为： 常数DSGSDmddUuig当管子工作在放大区时当管子工作在放大区时得管子的跨导得管子的跨导2GS(off)GSDSSD)1 (UuIi由由模拟电子技术基础模拟电子技术基础)1 (2GS(off)GSQGS(off)DSSUUUI可见，可见，gm与与IDQ有关。有关。IDQ越大，越大，gm也就越大。也就越大。 DQDSSGS(off)2II

13、UGSDmdduig)1 (2GS(off)GSDSSGSUuIdud模拟电子技术基础模拟电子技术基础3. 极限参数极限参数（1）漏极最大允许耗散功率漏极最大允许耗散功率 PDSM （2）最大漏极电流）最大漏极电流I IDSM （2）极间电容极间电容栅源电容栅源电容Cgs栅漏电容栅漏电容Cgd漏源电容漏源电容Cds（3）栅源击穿电压）栅源击穿电压U（BR）GS（4）漏源击穿电压）漏源击穿电压U（BR）DS模拟电子技术基础模拟电子技术基础3.2 绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管 绝缘栅场效应管与结型场效应管的不同之处在绝缘栅场效应管与结型场效应管的不同之处在于导电机构与电流控制原理不同。结型场效

14、应管是于导电机构与电流控制原理不同。结型场效应管是利用耗尽区的宽度改变导电沟道的宽窄来控制漏极利用耗尽区的宽度改变导电沟道的宽窄来控制漏极电流；绝缘栅场效应管是利用半导体表面的电场效电流；绝缘栅场效应管是利用半导体表面的电场效应进行工作的，故也称之为表面场效应管。应进行工作的，故也称之为表面场效应管。N沟道沟道IGFET耗尽型耗尽型增强型增强型P沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道模拟电子技术基础模拟电子技术基础3.2.1 增强型绝缘栅场效应管增强型绝缘栅场效应管 1. 结构示意图结构示意图gsdN+N+ SiO2保护层保护层 AlbP模拟电子技术基础模拟电子技术基础PN+SGDN+以以P型半导体作衬

15、底型半导体作衬底形成两个形成两个PN结结SiO2保护层保护层引出两个电极引出两个电极引出两个电极引出两个电极引出栅极引出栅极Al从衬底引出电极从衬底引出电极模拟电子技术基础模拟电子技术基础PN+SGDN+SiO2保护层保护层Al故又称为故又称为MOS管管管子组成管子组成a. 金属金属（Metal)b. 氧化物氧化物(Oxide)c.半导体半导体(Semiconductor)模拟电子技术基础模拟电子技术基础2. 工作原理工作原理 PN+SGDN+GSuDSu+模拟电子技术基础模拟电子技术基础（1）uGS =0 , uDS0源极和漏极之间始终有一个源极和漏极之间始终有一个PN结反偏，结反偏，iD=

16、0PN+SGN+iD=0DDSu+0GS u模拟电子技术基础模拟电子技术基础PN+SGN+iD=0D0DS u+GSu（2）uGS 0 , ,uDS =0产生垂直向下的电场产生垂直向下的电场模拟电子技术基础模拟电子技术基础PN+SGN+iD=0D0DS u+GSu电场排斥空穴电场排斥空穴形成耗尽层形成耗尽层吸引电子吸引电子模拟电子技术基础模拟电子技术基础PN+SGN+iD=0D0DS u+GSu形成导电沟道形成导电沟道当当uGS = UGS(th) 时时出现反型层出现反型层模拟电子技术基础模拟电子技术基础PN+SGN+iD=0D0DS u+GSuUGS(th)开启电压开启电压N沟道增强型沟道增

17、强型MOS管，简称管，简称NMOSN沟道沟道模拟电子技术基础模拟电子技术基础DSuPN+SGN+iD0D+GSu（3）当当uGS UGS(th）, ,uDS0 时时uDS(a) 漏极电流漏极电流iD0， iD 随随uDS 增大而增大而 增大。增大。(c) 沟道反型层呈沟道反型层呈楔形楔形(b) 沿沟道有电位梯度沿沟道有电位梯度模拟电子技术基础模拟电子技术基础a. uDS升高升高沟道变窄沟道变窄PN+SGN+iD0D+GSuuDS反型层变窄反型层变窄DSu模拟电子技术基础模拟电子技术基础b. 当当uGD =uGSuDS=UGS(th）时时PN+SGN+iD0D+GSuuDS沟道在漏沟道在漏极端夹

18、断极端夹断(b) 管子预夹断管子预夹断(a) iD达到最大值达到最大值DSu模拟电子技术基础模拟电子技术基础c. 当当uDS进一步增大进一步增大PN+SGN+iD0D+GSuuDSPN+SGN+D+GSuuDS沟道夹断区延长沟道夹断区延长(b) 管子进入管子进入恒流区恒流区DSu(a) iD达到最大达到最大值且恒定值且恒定模拟电子技术基础模拟电子技术基础3. 伏安特性与参数伏安特性与参数 （1）输出特性输出特性截止区截止区常数GS)(DSDuufi24061020GS(th)GSUumA/DiV/DSuGS(th)GSDSUuuGS(th)GSUu可可变变电电阻阻区区放大区放大区模拟电子技术基

19、础模拟电子技术基础a. 可变电阻区可变电阻区(a) uDS 较小，较小， 沟道尚未夹断沟道尚未夹断(b) uDS uGS - UGS(th)(c) 管子相当于受管子相当于受uGS控制的控制的压控电阻压控电阻各区的特点：各区的特点：24061020GS(th)GSUu mA/DiV/DSuGS(th)GSDSUuu GS(th)GSUu 可可变变电电阻阻区区模拟电子技术基础模拟电子技术基础b. 放大区放大区( (饱和区、恒流区饱和区、恒流区) )(a) 沟道预夹断沟道预夹断(c) iD几乎与几乎与uDS无关无关(d) iD只受只受uGS的控制的控制(b) uDS uGS - UGS(th) 24

20、061020GS(th)GSUu mA/DiV/DSuGS(th)GSDSUuu GS(th)GSUu 放大区放大区模拟电子技术基础模拟电子技术基础(a) uGSUGS(th)c. 截止区截止区(b) 沟道完全夹断沟道完全夹断(c) iD= =024061020GS(th)GSUu mA/DiV/DSuGS(th)GSDSUuu GS(th)GSUu 截止区截止区模拟电子技术基础模拟电子技术基础管子工作于放大区时函管子工作于放大区时函数表达式数表达式2GS(th)GSD-UuKi （2）转移特性曲线转移特性曲线 式中，式中，K为与管子有关的参数为与管子有关的参数常数DS)(GSDuufi0mA

21、/DiV/GSuGS(th)U转移特性曲线转移特性曲线模拟电子技术基础模拟电子技术基础（3）主要电参数主要电参数 增强型增强型MOS场效应管的参数与结型场场效应管的参数与结型场效应管的参数大部分相同。效应管的参数大部分相同。 开启电压。定义为当开启电压。定义为当UDS为某一固定值（由测试条件给出），为某一固定值（由测试条件给出），增加增加UGS，使，使ID增大到测试条件规定增大到测试条件规定的某一很小的电流（一般为的某一很小的电流（一般为50A）时的时的UGS值。值。（2）UGS(th)（1）增强型）增强型MOS管参数中无管参数中无IDSS和和UGS(off) 。相同点相同点不同点不同点模拟电

22、子技术基础模拟电子技术基础例例 图示为某一增强型图示为某一增强型NMOS管的转移特性。试求其相管的转移特性。试求其相应的常数应的常数K值。值。 解：由图可知，该管子的解：由图可知，该管子的UGS（th）= 2 V当当UGS = 8 V 时，时，ID = 2 mA故故222GS(th)GSDV/mA056. 02-82-UUIK0246812mA/DiV/GSu模拟电子技术基础模拟电子技术基础3.2.2 耗尽型耗尽型MOS管管 1. MOS管结构示意图管结构示意图sgdN+N+ SiO2 Alb耗尽层耗尽层（导电沟道）（导电沟道）反型层反型层P模拟电子技术基础模拟电子技术基础PN+SGDN+ 出

23、现反型层出现反型层形成导电沟道形成导电沟道2. 工作原理工作原理 绝缘层中渗入了正离子绝缘层中渗入了正离子模拟电子技术基础模拟电子技术基础导电沟道增宽导电沟道增宽0GS ua.导电沟道变窄导电沟道变窄0GS ub.GSuPN+SGDN+ +耗尽型耗尽型MOS管可以在管可以在uGS为正或负下工作为正或负下工作模拟电子技术基础模拟电子技术基础2. 伏安特性伏安特性24061020GS(off)GSUu mA/DiV0GS uV/DSuGS(off)GSDSUuu 0GS u0GS u可变电阻区可变电阻区放大区放大区截止区截止区（1）输出特性曲线输出特性曲线 模拟电子技术基础模拟电子技术基础（2）转

24、移特性曲线转移特性曲线2GS(off)GSDSSD1 UuIi函数表达式函数表达式转移特性曲线转移特性曲线0GSuDiDSSIGS(off)U工作于放大区时工作于放大区时模拟电子技术基础模拟电子技术基础耗尽型耗尽型：增强型：增强型：0DiGS(th)GSUu 当当 时，时，GS(off)GSUu 当当 时，时，0Di增强型与耗尽型管子的区别模拟电子技术基础模拟电子技术基础符号名称N沟道沟道JFETP沟道沟道JFETN沟道沟道增强型增强型MOSFETP沟道沟道增强增强型型MOSFETN沟道沟道耗尽耗尽型型MOSFETP沟道沟道耗尽型耗尽型MOSFET条件UDS0UGS0UDS 0UGS 0UDS

25、 0UGS 0UDS 0UGS 0UDS0UGS可正可负可正可负UDS 0UGS可正可负可正可负六种场效应管工作条件的比较GSDGSDGSDGSDGSDGSD模拟电子技术基础模拟电子技术基础例例 在图示电路中，已知场效应管的在图示电路中，已知场效应管的 ；问在下列三种情况下，管子分别工作在哪个区？问在下列三种情况下，管子分别工作在哪个区？V5GS(off)UV4,V3DSGSuu（b）V1,V3DSGSuu（c）GDSGRDRDDVDiDSuGSuDSuGiGGVSi （a）V4,V8DSGSuu模拟电子技术基础模拟电子技术基础（b）因为）因为DSUuu2V5)(3GS(off)GS故管子工作

26、在放大区。故管子工作在放大区。 （c）因为）因为DSUuu2V)5(3GS(off)GS故管子工作在可变电阻区。故管子工作在可变电阻区。 解解:（a）因为）因为uGSUGS(off) , 故管子工作在截止区。故管子工作在截止区。 GDSGRDRDDVDiDSuGSuDSuGiGGVSi 模拟电子技术基础模拟电子技术基础2. 绝缘栅型场效应管的栅极为什么不能开路？绝缘栅型场效应管的栅极为什么不能开路？思思 考考 题题1. 试比较三极管和场效应管的异同点。试比较三极管和场效应管的异同点。模拟电子技术基础模拟电子技术基础3.3 场效应管放大电路场效应管放大电路共栅极放大电路共栅极放大电路+_T+_+

27、G1RG2R1Ciu2CSRLRouDDV 3C+DR共源极放大电共源极放大电路路+GRSRDRDDV T_SC1C+2C+iuLR_+ouDQI共漏极放大电路共漏极放大电路ouGRSRDDV T_1C+2C+iuLR+_模拟电子技术基础模拟电子技术基础3.3.1 场效应管的偏置及其电路的静态分析场效应管的偏置及其电路的静态分析1. 自给偏压自给偏压IDQUSQ= IDQ RSUGSQ= -IDQ RS（1）电路）电路（2）自给偏压原理）自给偏压原理+GRSRDRDDV T_SC1C+2C+iuLR_+ouDQI模拟电子技术基础模拟电子技术基础a. 方法一：估算法方法一：估算法2GS(off)

28、GSQDSSDQ)1 (UUIISDQGSQRIUDQSDDDDSQ)(IRRVUGR+_SRDRDDV TGSQUDQIDSQU+_（3） 静态分析（静态分析（UGSQ、UDSQ、IDQ）该电路产生负的栅源电压，所以只能用于需要该电路产生负的栅源电压，所以只能用于需要负栅源电压的电路。负栅源电压的电路。注意模拟电子技术基础模拟电子技术基础b. 方法二：图解法方法二：图解法(a) 列写输出回路方程列写输出回路方程DSDDSDD)(iRRuV (c) 作图作图(b) 列写输入回路方程列写输入回路方程DSGSiRu GR+_SRDRDDV TGSQUDQIDSQU+_模拟电子技术基础模拟电子技术基

29、础GS3uGS1uGS(off)uDiGSu0DiDSuV0GS uGS1uGS2uGS3uGS4u0abcdeabcdeIDQMNQoUDSQQiUGSQ作输出回路直流负载线作输出回路直流负载线作转移特性曲线作转移特性曲线作输入回路直流负载线作输入回路直流负载线模拟电子技术基础模拟电子技术基础例例 在图示电路中，在图示电路中，VDD=18V、RD=3k、RS=1k、RG=1M，FET的的IDSS=7mA、UGS(off)=8V。 试求试求UGSQ 、IDQ和和UDSQ 。得得解解:1DQGSQIU2GSQDQ)81 (7UI由由UGSQ1 =2.9VIDQ1=2.9 mAUGSQ2 =22.

30、2VIDQ2=22.2 mAGR+_SRDRDDV TGSQUDQIDSQU+_模拟电子技术基础模拟电子技术基础V4 . 6) 13(9 . 218DSU因为因为UGSQ1 =2.9VIDQ1=2.9 mAUGSQ2 =22.2VIDQ2=22.2 mAGS(off)GS2UUDSSDQ2II所以，第二组值舍去。所以，第二组值舍去。则则UGSQ =2.9VIDQ=2.9 mAGR+_SRDRDDV TGSQUDQIDSQU+_模拟电子技术基础模拟电子技术基础2. 分压式偏置分压式偏置DDG2G1G2GQVRRRU（1）电路）电路（2）静态分析）静态分析DQSSQIRUDQIRG2T+VDDRS

31、RLC2uo ui C1CSRG1RD 模拟电子技术基础模拟电子技术基础)(SDDQDDDSQRRIVUSQGQGSQUUU+_G2RSRDRDDV TGSQUDQIDSQU+_G1RGQU+_+SQU2GS(th)GSQDQUUKI该电路产生的栅源电压可正可负，所以适用该电路产生的栅源电压可正可负，所以适用于所有的场效应管电路。于所有的场效应管电路。注意模拟电子技术基础模拟电子技术基础（3）混合式偏置电路）混合式偏置电路RG2T+VDDRSRGRLC2uo ui C1CSRG1RD 静态时，静态时，RG上无电流，不影响静态工作点。上无电流，不影响静态工作点。模拟电子技术基础模拟电子技术基础3

32、.3.2 场效应管的微变等效电路场效应管的微变等效电路由场效应管工作原理知：由场效应管工作原理知：iD= f (uGS 、uDS)DS0DSDGS0GSDDdddGSDSuuiuuiiuuiG= 0对对iD全微分全微分 FETGiSiGSuDSu GSDDi模拟电子技术基础模拟电子技术基础DS0DSDGS0GSDDdddGSDSuuiuuiiuu0GSDmDSuuig为跨导为跨导式中式中0DSDdsdsGS1uuirgrdsFET共源极输出电阻共源极输出电阻故故 DSdsmDd1ddurugiGS模拟电子技术基础模拟电子技术基础DSdsmDd1ddurugiGSdsdsgsmd1urugi或者

33、或者微变等效电路微变等效电路 gsdgsugsmugdsrdsu简化的微变等效电路简化的微变等效电路 gsdgsugsmugdsu模拟电子技术基础模拟电子技术基础等等 效效 gsdgsugsmugdsusgd模拟电子技术基础模拟电子技术基础3.3.3 场效应管组成的三种基本放大电路场效应管组成的三种基本放大电路1. 共源极放大电路共源极放大电路+GRSRDRDDV T_SC1C+2C+iuLR_+ou微变等效电路微变等效电路 gsdgsugsmugou iuGRiiDRLR模拟电子技术基础模拟电子技术基础由图可知由图可知gsiUU)/(LDgsmoRRUgU故故ioUUAugsLDgsm)/(

34、URRUgLmRg式中式中DLL/ RRR（1）电压放大倍数）电压放大倍数 gsdgsugsmugou iuGRiiDRLR模拟电子技术基础模拟电子技术基础iRGiRR （2）输入电阻）输入电阻Li0oRUIUR由图可知由图可知DoRR （3）输出电阻输出电阻 gsdgsugsmugou iuGRiiDRLR gsdgsugsmuguGRDRoRi模拟电子技术基础模拟电子技术基础2. 共漏极放大电路共漏极放大电路微变等效电路微变等效电路ouGRSRDDV T_1C+2C+iuLR+_ gsdgsugsmugou iuGRiiSRLR模拟电子技术基础模拟电子技术基础由图可知由图可知)/(LSgs

35、moRRUgU 故故ioUUAu式中式中SLL/ RRR ogsiUUU（1）电压放大倍数）电压放大倍数)/()/(LSgsmgsLSgsmRRUgURRUg gsdgsugsmugou iuGRiiSRLRLmLm1RgRg模拟电子技术基础模拟电子技术基础（3）输出电阻输出电阻由图可知由图可知gsmsUgRUIUUgs故故IUR omS1/gRGiRR （2）输入电阻）输入电阻iR gsdgsugsmugou iuGRiiSRLR gsdgsugsmuguGRSRioR模拟电子技术基础模拟电子技术基础1. 比较共源极场效应管放大电路和共发射极晶体管比较共源极场效应管放大电路和共发射极晶体管放大电路，在电路结构上有何相似之处？为什么放大电路，在电路结构上有何相似之处？为什么前者的输入电阻较高？前者的输入电阻较高？2. 为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用自给偏置？自给偏置？思思 考考 题题模拟电子技术基础模拟电子技术基础例例1（1）图示）图示电路中，输入、输出电压的波形分别如图电路中，输入、输出电压