热辐射探测器件 ppt

1、第5章 热辐射探测器件 第5章 热辐射探测器件 5.1 热辐射的一般规律 热辐射探测器件(Thermal Detector)为基于光辐射与物质相互作用的热效应而制成的器件。由于它具有工作时不需要制冷，光谱响应无波长选择性等突出特点，使它的应用已进入某些被光子探测器独占的应用领域和光子探测器无法实现的应用领域。 热辐射定义：物体由于具有温度而辐射电磁波的现象。热辐射是连续谱，波长从0直至，一般热辐射主要以波长较长的可见光和红外线为主。热辐射是在真空中唯一的传热方式。 热电传感器件是将入射到器件上的辐射能转换成热能，然后再把热能转换成电能的器件。 温度较低时,主要以不可见的红外光进行辐射,当温度为

2、300摄氏度时热辐射中最强的波长在红外区。500度以上至800度时,热辐射中最强的波长成分在可见光区。热辐射探测器件：优点：不需要制冷，光谱响应与波长无关。缺点：探测效率低，时间响应速度慢。快速响应热释电探测器件的出现弥补了它的缺点。5.1 热辐射探测器通常分为哪两个阶段？哪个阶段能够产生热电效应？1. 温度变化方程则单位时间器件的内能增量：单位时间通过传导损失的能量 式中C称为热容（物体每升一度内能的增加）。 当辐射功率为的热辐射入射到器件表面时，令表面的吸收系数为，则器件吸收的热辐射功率为e。式中G为器件与环境的热传导系数。 根据能量守恒原理：热交换能量的方式:传导辐射对流。5.1热辐射一

3、般规律内能的增加 与环境热交换 吸收的能量 设入射辐射为正弦辐射通量称为热敏器件的热时间常数 热敏器件的热时间常数一般为毫秒至秒的数量级，它与器件的大小、形状和颜色等参数有关。 称为热阻初始时间： t = 0,T = 0则解微分方程得：令当0，稳定值式中TRC，其意义为当 tT时，热电探测器的温升上升为稳定值的63。T的数量级约为几毫秒至几秒，比光子器件的时间常量大得多。 TRC与=RC区别：热敏器件时间常数T热时间常数表示物体升温降温的快慢RC时间常数表示RC电路中电流或电压的变化快慢 为正弦变化的函数。其幅值为 可见，温升与收系数成正比。因此，几乎所有的热敏器件都被涂黑。 增高，其温升下降

4、。在低频时（T 1）当时间t T时温升与热导G成反比在高频时（T 1）温升与热导无关，而与热容成反比，且随频率的增高而衰减。 减小热导是增高温升、提高灵敏度的好方法，但是热导与热时间常数成反比，提高温升将使器件的惯性增大，时间响应变坏。 热平衡仅剩交变分量即频率很高或器件的惯性很大时T的考虑在相同的入射辐射下，对于热电探测器总是希望T尽可能地大。T随G和C的减小而增大。要减小H就必须减小探测器热敏元件的体积和重量；要减小G，必须减小热敏元件与周围环境的热交换。由热时间常量T的定义可知，减小G又会使T增大（牺牲探测响应时间）。所以在设计和选用热电探测器时须采取折衷方案。另外G对探测极限也有影响。

5、若器件的温度为T，并可以将探测器近似为黑体（吸收系数与发射系数相等），所辐射在接收面积A的功率为 由热导的定义 2. 热电器件的最小可探测功率根据斯忒番-玻耳兹曼定律另外，根据统计计算，探测器与外界达到热平衡时，探测器的功率起伏均方根值为 式中，k为波耳兹曼常数，G为热导；f为测试系统的频带宽度。 实际上， 就是探测器因温度起伏所产生的噪声。若式中的G取最小值，即G ，并取f1Hz，则 将是可能取值中最小的，即 按最小可探测功率（NEP）的定义输出端信噪比为1时，入射功率的有效值，有 则 此式表示了热电探测器件可能达到的最佳性能。如果所有的入射辐射全为探测器所吸收，即=1，则上式可变为式中，若

6、假定A1 ；T290K；f1Hz，则此值可作为衡量实际探测器性能的比较基准。 为了与习惯保持一致，通常也使用NEP的倒数，即探测率D作为探测器探测最小光信号能力的指标 D=1/NEP对于探测器，D越大越好。由于探测器的NEP常与探测器的面积Ad和测量系统带宽f乘积的平方根成正比，比较各种探测器的性能时，需除去Ad和f差别的影响，因此用归一化参数表示，归一化的等效噪声功率和探测率如下5.2 热敏电阻与热电堆探测器热敏电阻 (测辐射热计Bolometer)吸收辐射后温升而使电阻改变的器件。它多由金属氧化物半导体材料制成。也有由单晶半导体、玻璃和塑料制成的。广泛应用于测温、控温、温度补偿、报警等领域

7、。符号5.2.1 热敏电阻1. 热敏电阻特点热敏电阻的温度系数大，灵敏度高，热敏电阻的温度系数常比一般金属电阻大10100倍。结构简单，体积小，可以测量近似几何点的温度。电阻率高，热惯性小，适宜做动态测量。阻值与温度的变化关系呈非线性。稳定性较差。大部分半导体热敏电阻由各种氧化物按一定比例混合，经高温烧结而成。多数热敏电阻具有负的温度系数，即当温度升高时，其电阻值下降，同时灵敏度也下降。由于这个原因，限制了它在高温情况下的使用。热敏电阻的光谱响应基本上与入射辐射的波长无关。对任何能量的辐射都可以使晶格振动加剧，器件温度上升，引起即器件的电阻值发生变化。热敏电阻无选择性地吸收各种波长的辐射。只是

8、吸收不同波长的辐射，晶格振动加剧的程度不同。 一般金属吸收光以后，使晶格振动加剧，妨碍了自由电子作定向运动。因此，当光作用于金属元件使其温度升高，其电阻值还略有增加，也即由金属材料组成的热敏电阻具有正温度系数，而由半导体材料组成的热敏电阻具有负温度特性。2. 热敏电阻的原理Positive Temperature Coefficient (PTC) thermistors 适宜材料有铂、铜、镍、铁等。金属材料-正温度系数热敏电阻(PTR)金属材料测辐射热计原理：一般金属的能带结构外层无禁带，自由电子密度很大，以致外界光作用引起的自由电子密度相对变化较半导体而言可忽略不计。吸收辐射产生温升后，自

9、由电子浓度的增加是微不足道的。相反，因晶格振动的加剧妨碍了自由电子作定向运动，从而电阻温度系数是正的半导体材料测辐射热计原理：半导体材料对光的吸收除了直接产生光生载流子的本征吸收和杂质吸收外，还有不直接产生载流子的晶格吸收和自由电子吸收等，并且不同程度地转变为热能，引起晶格振动的加剧，器件温度的上升，即器件的电阻值发生变化。其中部分电子能够从价带跃迁到导带成为自由电子，使电阻减小，电阻温度系数是负的。又因为各种波长的辐射都能被材料吸收，只是吸收不同波长的辐射，晶格振动加剧的程度不同而已,对温升都有贡献，所以它的光谱响应特性基本上与波长无关。Negative Temperature Coeffi

10、cient (NTC) thermistors半导体类的多为金属氧化物，例如氧化锰、氧化镍、氧化钴等。半导体材料-负温度系数热敏电阻(NTR)金属材料的特点半导体材料的特点电阻温度系数多为正的电阻温度系数绝对值小电阻变化与温度变化的关系基本上是线性的耐高温能力和稳定性较强多用于温度的模拟测量。电阻温度系数多为负的电阻温度系数绝对值大，比一般金属电阻大10100倍电阻变化与温度变化的关系基本上是非线性的耐高温能力和稳定性较差多用于辐射探测。例如防盗报警、防火系统、热辐射体搜索和跟踪等再把衬底同一个热容很大、导热性能良好的金属相连构成热敏电阻。 （使用热特性不同的衬底，可使探测器的时间常量由大约1

11、ms变为50ms）红外辐射通过探测窗口投射到热敏元件上，引起元件的电阻变化。为了提高热敏元件接收辐射的能力（提高吸收系数），常将热敏元件的表面进行黑化处理。热敏元件结构由热敏材料制成的厚度为0.01mm左右的薄片电阻粘合在导热能力高的绝缘衬底上，电阻体两端蒸发金属电极以便与外电路连接；热敏电阻探测器的主要参数有：（1）电阻-温度特性热敏电阻器的实际阻值RT与其自身温度T的关系有正温度系数与负温度系数两种，分别表示为： 正温度系数的热敏电阻 负温度系数的热敏电阻式中，RT为绝对温度T时的实际电阻值；分别为背景环境温度下的阻值，为与电阻的几何尺寸和材料物理特性有关的常数；A、B为材料常数。 3.

12、热敏电阻的参数（2）热敏电阻阻值变化量 RT=RTaTT aT为热敏电阻温度系数（3）热敏电阻的输出特性RT测量电路有两种： 1）利用单个探测器的电路，如下图所示。 2）桥式电路，使用两个相同规格的元件，一个作为接收元件，另一个作为补偿元件，接到电桥的两个臂上，可使温度的缓慢变化不影响电桥平衡。具有较强的抗干扰性。如右图所示。测辐射热计吸收辐射产生温升T，阻值相应变化RT，在负载上产生的电压变化为：RT1. 单个探测元件直流代入电阻温度系数 2. 桥式电路热敏电阻电路如图5-5所示，图中 ， 。若在热敏电阻上加上偏压Ubb之后，由于辐射的照射使热敏电阻值改变，若又（5-23）（4）冷阻与热阻热

13、阻R冷阻RT热敏电阻在某个温度下的电阻值物体吸收单位辐射功率所引起的温升则对电桥电路若入射辐射为交流正弦信号， ，则其中定义式热阻与热传导系数的关系是吸收系数随辐照频率的增加，热敏电阻传递给负载的电压变化率减少。热敏电阻的时间常数约为110ms，因此，使用频率上限约为20200kHz左右。由可见，（5）灵敏度（响应率）直流灵敏度交流灵敏度5.5 热敏电阻灵敏度与哪些因素有关？可见，要增加热敏电阻的灵敏度，需采取以下措施： 增加偏压Ubb但受热敏电阻的噪声以及不损坏元件的限制； 把热敏电阻的接收面涂黑增加吸收率a； 增加热阻，其办法是减少元件的接收面积及元件与外界对流所造成的热量损失，常将元件装

14、入真壳内，但随着热阻的增大，响应时间也增大。为了减小响应时间，通常把热敏电阻贴在具有高热导的衬底上； 选用大的材料，也即选取B值大的材料。当然还可使元件冷却工作，以提高值。 （6）最小可探测功率热敏电阻的最小可探测功率受噪声的影响。热敏电阻的噪声主要有： 热噪声。热敏电阻的热噪声与光敏电阻阻值的关系相似为； 温度噪声。因环境温度的起伏而造成元件温度起伏变化产生的噪声称为温度噪声。将元件装入真空壳内可降低这种噪声。 电流噪声。与光敏电阻的电流噪声类似，当工作频率f 10kHz时，此噪声完全可以忽略不计。 根据这些噪声情况，热敏电阻可探测的最小功率约为10-8 10-9W。 5.2.2 热电偶和热

15、电堆（thermocouples & thermopile）热电偶即两种相互接触的材料构成的器件作用：它能产生温差电效应： TU 热电偶虽然是发明于1826年的古老红外探测器件，然而至今仍在光谱、光度探测仪器中得到广泛的应用。 热电偶是工业上最常用的温度检测元件之一。优点： 测量精度高。因热电偶直接与被测对象接触，不受中间介质的影响。 测量范围广。常用的热电偶从-50+1600均可连续测量，某些特殊热电偶可测到-271 +2800，如：金铁镍铬和钨-铼。 构造简单，使用方便。1.热电偶的工作原理塞贝克效应（Seebeck Effect）:两种不同材料或材料相同而逸出功不同的物体，当它们构成回路

16、时，如果两个接触点的温度不同，回路中就会产生温差电动势。热电偶测温基本原理是将两种不同材料的导体或半导体焊接起来，构成一个闭合回路。当两个导体的二个执着点之间存在温差时，就会发生高电位向低电位放电现象，这种现象也叫热电效应。I 测量辐射能的热电偶称为辐射热电偶，它与测温热电偶的原理相同，结构不同。如图，辐射热电偶的热端接收入射辐射，因此在热端装有一块涂黑的金箔，当入射辐射通量e被金箔吸收后，金箔的温度升高，形成热端，产生温差电势，在回路中将有电流流过。用检流计G可检测出电流为I。由于入射辐射引起的温升T很小，因此对热电偶材料要求很高，结构也非常严格和复杂。成本昂贵。 热端冷端通常半导体材料构成

17、的热电偶比金属材料的温差电势率高（铋和锑温差电势率为100V/C，而半导体热电偶可达500V/C ）用涂黑的金箔将N型半导体和P型半导体连在一起构成热结，热端接收辐射产生温升，半导体中载流子动能增加，多子从热端向冷端扩散，使p型材料冷端带正电，n型材料冷端带负电，从而产生温差电势，在回路中产生电流。（a）半导体材料构成的热电偶（b）金属材料构成的热电偶金属A和B组成回路时，若两金属连接点的温度存在着差异（一端高而另一端低），则产生电位差E，在回路中会有电流产生。回路电流I=E/R。其中R称为回路电阻。基本原理：温差电效应： TU材 料： 金属铂、铹温差电动势： 100V/材 料： 半导体温差电

18、动势： 500V/UOC=M12T塞贝克系数若入射辐射为交流辐射信号 ，则产生的交流信号电压为 辐射热电偶在恒定辐射作用下，用负载电阻RL将其构成回路，将有电流I流过负载电阻，并产生电压降UL，则 热电偶的结构形式为了保证热电偶可靠、稳定地工作，对它的结构要求如下： 组成热电偶的两个热电极的焊接必须牢固； 两个热电极彼此之间应很好地绝缘，以防短路； 补偿导线与热电偶自由端的连接要方便可 靠； 保护套管应能保证热电极与有害介质充分隔离。 真空热电偶的基本特性参数为灵敏度S、比探测率D*、响应时间和最小可探测功率NEP等参数。（1）灵敏度（响应率）交流辐射 2. 热电偶的基本特性参数直流辐射提高热

19、电偶的响应率最有效的办法除选用塞贝克系数M12较大的材料外，增加辐射的吸收率，减小内阻Ri，减小热导GQ等措施都是有效的。对于交流响应率，降低工作频率，减小时间常数T，也会有明显的提高。但是，热电偶的响应率与时间常数是一对矛盾，应用时只能兼顾。M为塞贝克常量也称温差电势率 热电偶的响应时间约为几毫秒到几十毫秒左右，在BeO衬底上制造Bi-Ag结结构的热电偶有望得到更快的时间响应，响应时间可达到或超过10-7s。 （3）最小可探测功率 热电偶的最小可探测功率NEP取决于探测器的噪声，它主要由热噪声和温度起伏噪声，电流噪声几乎被忽略。半导体热电偶的最小可探测功率NEP一般为10-11W左右。热电堆

20、在常温理想情况下NEP可达10-9W数量级。 （2）响应时间 5.2.3 热电堆探测器 为了减小热电偶的响应时间，提高灵敏度，常把辐射接收面分为若干块，每块都接一个热电偶，并把它们串联起来构成如图5-8所示的热电堆。 1. 热电堆的灵敏度 热电堆的灵敏度St为 为热电堆中热电偶对数热电堆的响应时间常数：热阻热容要想使高速化和提高灵敏度两者并存，就要在不改变热阻的情况下减小热容。热阻由导热通路长和热电堆数目以及膜片剖面面积比决定。则要减小多晶硅间隔，减小膜厚度。冷端热端热电堆的内阻 热电堆的温差电动势 可达几十千欧热电堆实物照片由于薄膜技术的发展，已经能够制作出价格低廉的热电堆，可以制成各种复杂

21、的阵列，而且性能可靠。例如用锑、铋材料薄膜制成的器件，不仅具有金属丝热电堆的某些优点，还有较高的响应率。 缺点: 容易损坏，时间常量大，输出阻抗低，需要特殊设计的低噪声放大器；为了使热电堆和放大器达到噪声匹配，需要变压器耦合，从而使放大器变得笨重、昂贵。注意：热电堆额定功率小，入射辐射不能很强，应避免通过较大的电流，一般多为微安级。检验时不宜使用欧姆表测量以免表内电源烧毁元件中的金箔。热电堆保存时不要使输出端短路，以防因电火花等电磁干扰产生的感应电流烧毁元件。电压灵敏度热响应时间常数噪声等效功率 内阻 比探测率热电偶主要参数5.3 热释电器件 热释电器件是一种利用热释电效应制成的热探测器件。优

22、点：具有较宽的频率响应，工作频率接近MHz，远远超过其它热探测器的工作频率。一般热探测器的时间常数典型值在10.01s范围内，而热释电器件的有效时间常数可低达10-4 310-5 s；热释电器件探测率高，只有气动探测器的D*才比热释电器件稍高，且这一差距正在不断减小；热释电器件可以有大面积均匀的敏感面，而且工作时可以不外加接偏置电压； 与热敏电阻相比，它受环境温度变化影响更小； 热释电器件的强度和可靠性比其它多数热探测器都要好，且制造比较容易。 5.3 热释电器件 热释电器件：一种利用热释电效应制成的热探测器件热释电效应：某些物质吸收光辐射后将其转换成热能，这个热能使晶体的温度升高，引起表面电

23、荷发生变化的现象。温度低温度高如图表面电荷变低1.相关概念1 ）极化在电场作用下,电介质中束缚着的电荷发生位移或者极性按电场方向转动的现象2 ）自发极化在外加电场除去后铁电体仍保持着极化状态的现象铁电体在没有外电场作用时, 存在着电偶极子的有序排列3）自发极化强度Ps在垂直于极化轴的单位面积上的自发极化电荷量。它是一个矢量, 其单位为C/m2。 5.3.1 热释电器件的基本工作原理铁电体中存在固有的自发极化电矩；自发极化电矩可以在外电场作用下改变方向。铁电体的这些性质与铁磁性十分相似，故称铁电性。 4）居里温度Tc （居里点）指一种临界温度，当大于Tc时，自发极化消失。居里温度由于温度的变化,

24、热释电晶体和压电陶瓷等会出现结构上的电荷中心相对位移,使它们的自发极化强度发生变化,从而在它们的两端产生异号的束缚电荷,这种现象称为热释电效应具有热释电效应性质的材料称为热释电体。二级热释电效应：由于温度变化引起材料形变,再由压电效应产生电荷的二级效应。热释电体一般具有一级和二级热释电效应。2. 热释电效应在居里点以下，极化强度PS是温度T的函数。利用这一关系制造的热敏探测器称为热释电器件。当红外辐射照射到已经极化的铁电体薄片时，引起薄片温度升高，表面电荷减少，相当于热“释放”了部分电荷。释放的电荷可用放大器转变成电压输出。如果辐射持续作用，表面电荷将达到新的平衡，不再释放电荷，也不再有电压信

25、号输出。因此，热释电器件不同于其他光电器件，在恒定辐射作用的情况下输出的信号电压为零。只有在交变辐射的作用下才会有信号输出。 恒温T1电荷中和时间：秒小时温升到T2 束缚电荷减少 极化驰豫时间皮秒“释放” 电荷（输出电信号） 热“释电”的物理过程 设晶体的自发极化矢量为Ps，Ps的方向垂直于电容器的极板平面。接收辐射的极板和另一极板的重迭面积为Ad。面束缚电荷密度与自发极化强度Ps之间的关系可由下式确定 若辐射引起的晶体温度变化为T，则 Q =Ad(Ps/T)T = AdT 式中， = Ps/T称为热释电系数，其单位为c/cm2K，是与材料本身的特性有关的物理量，表示自发极化强度随温度的变化率

26、。 (5-37) 2. 热释电器件的工作原理由此引起表面上的束缚极化电荷为Q = Ad=AdPs 若在晶体的两个相对的极板上敷上电极，在两极间接上负载RL，则负载上就有电流通过。由于温度变化在负载上产生的电流可以表示为 RL电压可见，热释电器件的电压与晶体和入射辐射达到平衡的时间无关。 面电极结构： 电极面积较大，极间距离较小，极间电容较大，故其不适于高速应用边电极结构：电极所在的平面与光敏面互相垂直，电极间距较大，电极面积较小，极间电容较小。因此，在高速运用时以边电极为宜。输出电压的幅值为 输入到放大器的电压为 如果将热释电器件跨接到放大器的输入端，其等效电路为如图5-17所示。由等效电路可

27、得热释电器件的等效负载电阻为 则可推出： (1) 当入射为恒定辐射，即0时，Sv=0，说明热释电器件对恒定辐射不灵敏； (2) 在低频段1/T或1/e时，灵敏度S v与成正比，为热释电器件交流灵敏的体现。 (3) 当e T时，通常eT，在1/T 1/e范围内，Sv与无关； (4) 高频段（1/T、 1/e）时， 电压灵敏度5.3.2 热释电器件的灵敏度 即灵敏度与信号的调制频率成反比。 图5-18给出了不同负载电阻RL下的灵敏度频率特性，由图可见，增大RL可以提高灵敏度，但是，频率响应的带宽变得很窄。应用时必须考虑灵敏度与频率响应带宽的矛盾，根据具体应用条件，合理选用恰当的负载电阻。 热释电器

28、件的基本结构是一个电容器，因此输出阻抗很高，所以它后面常接有场效应管，构成源极跟随器的形式，使输出阻抗降低到适当数值。因此在分析噪声的时候，也要考虑放大器的噪声。这样，热释电器件的噪声主要有电阻的热噪声、温度噪声和放大器噪声等。 5.3.3 热释电器件的噪声热噪声来自晶体的介电损耗和与探测器的并联电阻。若等效电阻为Reff，则热噪声电流的方均值为1. 热噪声热噪声电压为 当22e 1时，上式可简化为 表明热噪声电压随调制频率的升高而下降。 放大器噪声来自放大器中的有源元件和无源器件，及信号源的阻抗和放大器输入阻抗之间噪声的匹配等方面。设放大器的噪声系数为F，把放大器输出端的噪声折到输入端，认为

29、放大器是无噪声的，这时，放大器输入端的噪声电流方均值为Ik = 4k(F-1)Tf/R2. 放大器噪声 温度噪声来自热释电器件的灵敏面与外界辐射交换能量的随机性，噪声电流的方均值为 (553) 式中，A为电极的面积，Ad为光敏区的面积，为温度起伏的方均值。 如果这三种噪声不相关，则总噪声为 3. 温度噪声 考虑统计平均值时的信噪功率比为 如果温度噪声是主要噪声源而忽略其它噪声时，噪声等效功率: (NEP)2(4kT 2G2f/2A222R) 1+(TN/T)2 由上式可以看出，热释电器件的噪声等效功率NEP具有随着调制频率的增加而减小的性质。 热释电探测器在低频段的电压响应度与调制频率成正比，

30、在高频段则与调制频率成反比，仅在1/T 1/e范围内，Rv与无关。响应度高端半功率点取决于1/T 或 1/e中较大的一个，因而按通常的响应时间定义，T 和e中较小的一个为热释电探测器的响应时间。通常T较大，而 e与负载电阻有关，多在几秒到几个微秒之间。由图5-18可见，随着负载的减小，e变小，灵敏度也相应减小。 响应时间 如图5-19所示为常用的电路。图中用JFET构成源极跟随器，进行阻抗变换。由于热释电材料具有压电特性，因而对微震等应变十分敏感，因此在使用时应注意减震防震。 热释电探测器的阻抗特性 热释电探测器几乎是一种纯容性器件，由于电容量很小，所以阻抗很高，常在109以上。因此，必须配高

31、阻抗的负载。常用JFET器件作热释电探测器的前置放大器。 1. 硫酸三甘肽（TGS）晶体热释电器件 它在室温下的热释电系数较大，介电常数较小，比探测率D*值较高D*(500, 10 ,1) 15109cmHz1/2W1。在较宽的频率范围内，这类探测器的灵敏度较高，因此，至今仍是广泛应用的热辐射探测器件。 TGS可在室温下工作，具有光谱响应宽、灵敏度高等优点，是一种性能优良的红外探测器，广泛应用红外光谱领域。 掺丙乙酸的TGS（LATGS）具有很好的锁定极化特点。温度由居里温度以上降到室温，仍无退极化现象。它的热释电系数也有所提高。掺杂后TGS晶体的介电损耗减小，介电常数下降。前者降低了噪声，后

32、者改进了高频特性。在低频情况下，这种热释电器件的NEP为41011 W/Hz-1/2，相应的D*值为5109cmHz1/2W1。它不仅灵敏度高，而且响应速度也很快。 5.3.4 热释电器件的类型 图5-20所示为LATGS的等效噪声功率NEP和比探测率D*随工作频率f的变化关系。 这种热释电器件由于材料中钡含量的提高而使居里温度相应提高。例如，钡含量从0.25增加到0.47，其居里温度相应从47C提高到115C。SBN探测器在大气条件下性能稳定，无需窗口材料，电阻率高，热释电系数大，机械强度高，在红外波段吸收率高，可不必涂黑。工作在500MHz也不出现压电谐振，可用于快速光辐射的探测。但SNB

33、晶体在钡含量x0.6时，晶体在生长过程会开裂。 在SNB中掺少量La2O2可提高其热释电系数，掺杂的SBN热释电器件无退极化现象，D*(500, 10 ,1) 达8.0108cmHz1/2W1。掺镧后其居里温度有所降低，但极化仍很稳定，损耗也有所改善。 2.铌酸锶钡 (SBN)热释电器件 该器件的居里温度Tc高达620C，室温下的响应率几乎不随温度变化，可在很高的环境温度下工作；且能够承受较高的辐射能量，不退极化；它的物理化学性质稳定，不需要保护窗口；机械强度高；响应快（时间常数为1310-12s，极限为110-12s；）；适于探测高速光脉冲。已用于测量峰值功率为几个千瓦，上升时间为100ps

34、的Nd:YAG激光脉冲。其D*（500, 30, 1）达8.5108cmHz1/2W1。 3. 钽酸锂（LiTaO3） 压电陶瓷器件的特点是热释电系数较大，介电常数也较大，二者的比值并不高。其机械强度高、物理化学性能稳定、电阻率可以控制；能承受的辐射功率超过LiTaO3热释电器件；居里温度高，不易退极化。例如，锆钛酸铅热释电器件的Tc高达365，D*（500，1，1）高达7108cmHz1/2W1。此外，这种热释电器件容易制造，成本低廉。 4. 压电陶瓷热释电器件 有机聚合物热释电材料的导热小，介电常数也小；易于加工成任意形状的薄膜；其物理化学性能稳定，造价低廉；虽然热释电系数不大，但介电系数

35、也小，所以比值并不小。在聚合物热释电材料中较好的有聚二氟乙烯（PVF2）、聚氟乙烯（PVF）及聚氟乙烯和聚四氟乙烯等共聚物。利用PVF2薄膜已得到D*（500，10，1）达108cmHz1/2W1。 5. 聚合物热释电器件 由于热释电器件的输出阻抗高，因此需要配以高阻抗负载，因而其时间常数较大，即响应时间较长。这样的热释电器件不适于探测快速变化的光辐射。即使使用补偿放大器，其高频响应也仅为103Hz量级。 近年来发展了快速热释电器件。快速热释电器件一般都设计成同轴结构，将光敏元置于阻抗为50的同轴线的一端，采用面电极结构时，时间常数可达到1ns左右，采用边电极结构时，时间常数可降至几个ps。图5-21所示为一种快速热释电探测器的结构原理图。光敏元件是SBN晶体薄片，采用边电极结构，电极Au的厚度为0.1m，衬底采用Al2O3或BeO陶瓷等导热良好的材料。输出用SMA/BNC高频接头。这种结构的热释电探测器的响应时间为13ps，6. 快速热释电探测器