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文档简介
1、 PAGE 4制备二极管的工艺流程一、二氧化硅的去除1、BOE液的配制氢氟酸(浓度49 %):氟化氨(浓度40%)=1:5。目的:腐蚀硅片表面的SiO2。 工具:用特氟龙槽耐腐蚀而不需要加热。2、工艺流程 把硅片放在BOE液中(BOE液放进水浴中)(水浴35),看颜色,或脱水,一般为每分钟为200nm,根据情况而定。取出后放入方形石英杯中,用纯水冲洗,约2分钟即可。二、普通硅片的清洗1、3#液的配制(用石英器具,耐酸碱,但不易使用HF,为加热酸及纯水洗涤槽)双氧水(浓度30%):浓硫酸(浓度96%)=1:35。2、工艺过程把3#液用电炉加热至120左右,放入硅片,加入适量双氧水,煮1015分钟
2、,关电炉。3、清洗后在去离子水中反复冲洗(至少10次),去除多余的酸。注意:冲洗时流水方向要与硅片平行。三、烘干 把所要烘干的硅片放在支架中,放入石英烧杯中,放在电炉上,加热、烘干。四、氧化 目的:保护和钝化表面,作为杂质扩散的掩蔽层,氧化层厚度约为40006000A(埃)左右。方法:采用干-湿-干氧化的方法制备氧化层。(5分钟80(90)分钟5分钟) 开始的准备工作,若长时间没使用设备,首先倒掉水浴瓶中旧的去离子水,用新鲜去离子水冲洗数次,更换新的去离子水,水量至水浴瓶的2/3处,放入恒温水浴中,并保证水浴锅中的水量为9/10,加热至9598。1、炉子预热为922左右(打到8档),恒温 30
3、分钟;2、打开氧气、氮气的气阀,调节减压阀大约为1格;3、清洗管道,顺序:下氮气下水浴氧气下氧气,均为2升,各5分钟,然后关闭各流量计;4、打开氮气,2升,开始进样,拉出石英舟(一定要慢:推20公分,停1分钟,大约为34次),将片子小心地放在石英舟上。注意:抛光面要朝向炉子外,保证背向气流;5、舟进入炉管中间恒温区,关下氮气阀门,开下水浴氧气阀,同时调高温度至1100(打到10档),恒温后,保持90分钟;6、关下水浴氧气阀,开下氧气阀,1530分钟后,再关下氧气阀;7、打开下氮气阀门,同时降温至 8档并慢速出片。五、测试二氧化硅膜厚度用椭圆偏振仪测量。六、光刻1、匀胶工艺(用负胶工艺)掩模板上
4、图形与硅片上相反。 打开电源开真空泵调节工艺流程转速(500转/分钟、时间18秒)、转速(3000转/分钟、时间28秒)吸片滴胶(7-8滴)启动。按下“控制”“放片”“吸片”检查一下是否吸住“滴胶”“启动”。2、焙烘工艺 加热恒温70,时间为510分钟;3、曝光工艺开电源、真空泵调节掩膜板3个定位钉右旋固定吸住掩膜板放置硅片吸住硅片(按下吸片)定位上顶硅片固定旋钮放置到光源的中央曝光(大约为18秒) “按下分离曝光按钮”。曝光结束后,打开旋钮下调载物台拉开掩膜板硅片解吸取片,其他还原。4、显影工艺显影12分钟定影30秒显微镜观看若合适坚膜140、时间为30分钟。5、坚膜若合格,放入烘箱坚膜14
5、0、时间为30分钟。七、腐蚀二氧化硅1、打底膜工艺 主机:开电源打开离子刻蚀机上盖装片关盖开低速度泵开高速泵 配电柜: 开电源真空规管加热(电流为 毫安)开启匹配射频电源 开氧气开角阀开质量流量计(大约为22sccm)计时器复零(40秒左右)看起辉 起辉结束按开设备的反方向关设备;2、腐蚀 放入BOE液中腐蚀,速度=200nm/分钟,之后冲水10次;3、腐蚀检验4、去胶放入3号液中,加入适量双氧水,130,10分钟。八、匀硼源1、清洗,与前面的清洗工艺一样;2、烘干;3、匀硼源。 低速:500rpm左右,18秒;高速:30004000rpm,60秒。注意:滴胶时不要挤出大量气泡!九、预扩散1、
6、打开氧气、氮气的气阀,调节减压阀大约为1格,并开上氮气;2、炉子预热为787左右(打到7档),恒温 30分钟;3、关闭氮气,打开氧气,开始进样,拉出石英舟(一定要慢:推20公分,停1分钟,大约为34次)将片子小心地放在石英舟上。注意:抛光面要朝向炉子外,保证背向气流;4、把石英舟放到炉口,烘干5分钟,以后要慢推,推10公分,停12分钟,让有机溶剂挥发,推3次后,停30min,然后继续推,10cm/次,直到恒温区;5、调上氧气为0.5升、氮气2升;6、升温960(开到9档),恒温30分钟;7、降温为787左右(打到7档);8、关闭氮气阀门,调节氧气为2升,10min,然后缓慢拉出(拉10公分,停1分钟)。十、测试1、用BOE液漂光表面(表面脱水)2、用纯水清洗3、烘干4、测试预扩散的方阻(50-60)5、测试预扩散后的二极管特性十一、再扩散1、用3号液清洗,同上2、放入氧化炉(925左右)的石英舟上,开氮气3、慢慢推入(推20公分、停1分钟)到恒温区4、关闭氮气,开氧气,然后开始升温,目标温度1100(放10档);5、10min后,关闭干氧气,打开恒温湿氧60min;6、关湿氧,开干氧15分钟(调节结
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