《硅集成电路工艺》集成电路工艺期末试卷A

1、-装-订-线- -装-订-线- - 学院课程考试试题（A卷）（ 学年度第 1 学期）课程名称：硅集成电路工艺基础 试卷类型：（A、B、C） 考试专业、年级：微电子0701-03集成电路0701-03题号一二三四五六七八九总分得分阅卷人将填空题、判断题、选择题的答案都写到答题纸上。填空题。（20分，每空1分）发生漂移和畸变的根本原因：硅的 和腐蚀速率的 。在低阻材料上生长高阻外延层的工艺为 。杂质在二氧化硅中的存在形式有 和 。在集成电路工艺中，通常把 作为光刻水平的标志。杂质的扩散机构有 和 。晶面构造可以用三个特征来描述： 、 和 。注入离子在靶内的能量损失分为 和 两个过程。到达角越 ，黏

2、滞系数越 ，表面迁移能力越强，保形覆盖越好。金属化引线中的电迁移现象是一种在大电流密度作用下的 。刻蚀技术有 和 。薄膜生长技术最基本的两种方法是 和 。二.判断题。（10分，每题1分）1Ag在W丝上熔化后易脱落，说明它湿润性好。（ ）2轻离子在注入时，其损伤是以核阻止为主导。（ ）3杂质在硅中的扩散运动只有通过空位机制才能实现。（ ）共 页 第 页年 月 日考试用 专业班级 姓名 学号 说明：1、除填空题、图解及特要求外一般不留答题空间。 总印 份 （附答题纸 页）4. MOS集成电路因为采用（100）面的硅做衬底， 铝尖楔现象更为突出。（ ）5二氧化硅之所以能起到掩蔽作用，是因为它能阻止其

3、它杂质的进入。 ( )6. 扩散系数是与杂质浓度无关的常数。（ )7. 维持自持放电过程的主要机制是非弹性碰撞。（ )8. 正胶的分辨率比负胶高。（ )9. 相同能量注入离子，离子越轻，横向效应越显著。（ )10.在干氧氧化时，氧化增强的效果按（100）、（110）、（111）的顺序递减。（ )选择题。（20分，每题2分）1一般情况下，双极器件选取的圆片材料的晶向是 。A.（110） B. （111） C. （100）2当靠近界面处的硅中杂质浓度高于靠近界面处二氧化硅中浓度时，其 。A.m1 B.m1 C. m=13溅射选在 。A.汤生放电区 B.辉光放电区 C.反常辉光放电区 D.电弧放电区

4、 4在氧化过程中，下列哪种物质主要依靠空位机制完成扩散运动。A.硼 B.磷 C.锑 D.砷5外延时，在低温区，生长速率对温度变化非常敏感，生长速率由 控制。A.扩散速度 B.气相质量输运 C.表面化学反应6. 根据菲克第一定律，当浓度梯度变小时，扩散将 。A.增强 B.减缓 C.不变7. 硅的热氧化发生在 。A. Si内 B. SiO2内 C.Si/SiO2界面8当扩散系数很小时，生长速率由 决定。A.扩散速度 B.化学反应速度 C.氧化速度9在一定温度下，快速的水汽氧化比慢速的干氧氧化所引起的再分布程度增大，即水汽氧化CS/Cb值比干氧氧化 。A.小 B.大 C.不变 10注入离子的能量可分为三个区域，低能区是以 占主要地位。A.核阻止本领 B.电子阻止本领 C. 核阻止和电子阻止本领2装订试卷，考生答卷时不得拆开或在框外留写标记，否则按零分计。-装-订-线- -装-订-线- -四、名词解释(每题3分，共12分)1. 发射区推进效应2.分凝现象3.自掺杂效应4.热退火五、问答题：(共38分)解释硼在氧化气氛中扩散存在明显增强，而锑却被阻止现象的机理？ （8分）2简述光刻工艺的基本原理及流程？ （8分）3简述D-G模型及热氧化的两种极限情况？ （10分） 4画一个双阱工艺制作的工序流程图并用文字简要说明。（12分）共 页 第 页 专业班级