专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》-试卷-答案

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）GordonMoore1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）分）A.12 B.18 C.20 D.24.标准答案：BMOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。（2分）体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通.标准答案：CCMOSMOS管工作在（）（2分）亚阈值区 B.深三极管区C.三极管区 D.饱和区.标准答案：DMOS管一旦出现（）MOS（2分）夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽.标准答案：A（）MOS（2分）A.B.C.D..标准答案：CCascodeNMOS管具有不相同的（）（2分）A.B.C.D..标准答案：B基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）（2分）B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C第1页共7页

下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）（2分）B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C镜像电流源一般要求相同的（）（2分）制造工艺 B.器件宽长比C.器件宽度W D.器件长度L.标准答案：D某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要严格相等，应取为（）。（2分）A.B.C.D..标准答案：A选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）（2分）A.共源级放大器 B.源级跟随器C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器.标准答案：A下图中，其中电压放大器的增益为-A电路的等效输入电阻为（）。（2分）A.B.C.D..标准答案：AHspice命令是（）（2分）A.DC B.AC C.OP D.IC.标准答案：C模拟集成电路设计中的第一步是（）（2分）A.电路设计 B.版图设计C.规格定义 D.电路结构选择.标准答案：C（）可提高图中放大器的增益。（2分）小，减小增大，增大大，减小小，增大.标准答案：A模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）（2分）A.增益 B.输出电阻 C.输出摆幅 D.输入电阻.标准答案：C模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）（2分）A.增益 B.电压净空 C.输出摆幅 D.输入偏置.标准答案：A第2页共7页

在NMOS中，会使阈值电压（）（2分）A.增大 B.不变 C.减小 D.可大可小.标准答案：ANMOSVB变得更负，则耗尽层（）（2分）A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变.标准答案：C随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（）分）A.不断提高 B.不变 C.可大可小 D.不断降低.标准答案：DMOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）（2分）A.电导 B.电阻 C.跨导 D.跨阻.标准答案：CMOS管，可以被看作是一个（）（2分）A.恒压源 B.电压控制电流源C.恒流源 D.电流控制电压源.标准答案：B密勒效应最明显的放大器是（）（2分）A.共源极放大器 B.源极跟随器C.共栅极放大器 D.共基极放大器.标准答案：A不能直接工作的共源极放大器是（）（2分）A.电阻负载 B.二极管连接负载C.电流源负载 D.二极管和电流源并联负载.标准答案：C模拟集成电路设计中的最后一步是（）（2分）A.电路设计 B.版图设计C.规格定义 D.电路结构选择.标准答案：B在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS.标准答案：BMOSgmbMOS管的（）（2分）A.二级 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通.标准答案：BPMOS管的导电沟道中依靠（）导电。（2分A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷.标准答案：BMOS管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）。ABCD（2分）A.见图 B.见图 C.见图 D.见图.标准答案：DMOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），（2分）A.大 B.小 C.近似于W D.精确.标准答案：AMOS电容中对电容值贡献最大的是（）（2分）A.C

A.亚阈值区 B.深三极管区C.三极管区 D.饱和区.标准答案：BVBVin0逐MOS管是（）。（2分）A.M1 B.M2C.两个同时进入 D.都有可能.标准答案：DGSB.CB.GDC.C

下面放大器的小信号增益为（）。 （2分）A.grA.moDBD.C

gmroSBo.标准答案：A下面几种电路中增益线性度最好的是（）。（2分）A.电阻负载共源级放大器 B.电流源负载共源级放大器C.二极管负载共源级放大器 D.源极负反馈共源级放大.标准答案：C电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。（2分）A.增大器件宽长比 B.增大负载电阻C.降低输入信号直流电平 D.增大器件的沟道长度L.标准答案：DVDD下降，NMOS管首先进入（2分）第3页共7页

B. 1gRmsC.1msD.理论上无穷大.标准答案：A下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）（2分）A.为放大器管提供固定偏置 B.为放大管提供电流通C.减小放大器的共模增益 D.提高放大器的增益.标准答案：D下图电流镜的输出电压最小值为（）。 （2分）

40.（）可提高图中放大器的增益。 （2OD thV 分）OD th

WC.2VC.ODD.D.OD GS

减小

L1,2L.标准答案：C

仅增大

1,2W39.下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该

增大

L1,2仅减小

W1,2.标准答案：C电路的等效输出电阻为（）。 （2分）R1AR11AAAR11AD..标准答案：B第4页共7页

MOS管的端电压变化时，源极和漏极（）（2分）A.能 B.不能C.不知道能不能 D.在特殊的极限情况下能.标准答案：ACMOS工艺里不容易加工的器件为（）（2分）A.电阻 B.电容 C.电感 D.MOS管.标准答案：CMOS管的特征尺寸通常是指（）（2分）A.W B.L C.W/L D.tox.标准答案：BMOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）（2分）A.反型 B.夹断 C.耗尽 D.导通.标准答案：C源极跟随器通常不能用作（）（2分）A.缓冲器 B.放大器 C.电平移动 D.驱动器.标准答案：B能较大范围提高阈值电压的方法是（）（2分）A.增大MOS管尺寸 B.提高过驱动电压C.制造时向沟道区域注入杂质D.增大衬底偏置效应.标准答案：CPMOS管导电，依靠的是沟道中的（）。（2分A.电子 B.空穴 C.电荷 D.电子空穴对.标准答案：BMOS管对外表现出受控电流源的特性，我们通常让其工作在（）区。（2分）A.截止 B.三极管 C.线性 D.饱和.标准答案：DMOS管中最大的电容是（）（2分）A.氧化层电容B.耗尽层电容C.交叠电容 D.结电容.标准答案：AMOS器件小信号模型中的是由MOS管的（）效应引起。（2分）A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通.标准答案：C在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS.标准答案：B（）1965年预言:18（2分）A.比尔盖茨 B.摩尔 C.乔布斯 D.贝尔.标准答案：B最常见的集成电路通常采用（）（2分）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS.标准答案：B工作在（）MOS（2分）A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和.标准答案：D工作在（）MOS（2分）A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和.标准答案：D载流子沟道就在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”（2分）第5页共7页

A.夹断层 B.反型层 C.导电层 D.耗尽层.标准答案：B形成（）的栅源电压叫阈值电压（）（2分）A.夹断层 B.反型层 C.导电层 D.耗尽层.标准答案：BNMOSVBS变得更小，则耗尽层（）（2分）A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变.标准答案：CNMOS管的导电沟道中依靠（）（2分）A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷.标准答案：AMOS管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。ABCD（2分）A.见图 B.见图 C.见图 D.见图.标准答案：CMOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）（2分）A.跨导 B.受控电流源C.跨阻 D.小信号增益.标准答案：A长调制效应系数，对于较长的沟道，值（）（2分）A.较大 B.较小 C.不变 D.不定.标准答案：B共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）（2分）A.低 B.一般 C.高 D.很高.标准答案：DNMOS管中，对阈值电压影响最大的是（）（2分）A.VBS B.VGS C.VDS D.W/L.标准答案：ACascodeNMOS具有相同的（）（2分）A.沟长调制 B.体 C.背栅 D.衬底偏置.标准答案：A小信号输出电阻相对最小的放大器是（）（2分）A.共源级放大器 B.源级跟随器C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器.标准答案：B差分放大器中，共模输入电平的变化不会引起差动输出的改变的因素是（）。（2分）A.尾电流源输出阻抗为有限值B.输入MOS管不完全对C.负载不完全对称 D.输入对管工作在饱和区.标准答案：D下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）（2分）A.为放大器管提供固定偏置 B.为放大管提供电流通C.减小放大器的共模增益 D.提高放大器的增益.标准答案：D

A.OD thA.B.VB.OD thC.2VC.ODD.D.OD GS.标准答案：B71.下图中，其中电压放大器的增益为-A电路的等效输出电阻为（）。（2分）R1AR11 AR1A R11A.标准答案：B69.下面电路的差模小信号增益为（）。 （2分）

Hspice仿真中，耗时最长的一般是（）（2分）A.直流工作点分析 B.瞬态分C.交流分析 D.直流分析A.

Rm1 D

.标准答案：BB.gB.m1C.g

ro4||g

||r

模拟电路中，精度最高的电阻是（）（2分）A.金属电阻 B.比例电