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  • 1989-03-31 颁布
  • 1990-02-01 实施
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GB/T 11068-1989砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法_第1页
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PDC661.868.146*621.317.32/.33H21中华人民共和国国家标准CB11068-89砷化镖外延层载流子浓度电容-电压测量方法GalliumarsenideepitaxiallayerDeterminationofcarrierconcentration-Voltage-capacitancemethod1989-03-31发布1990-02-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准砷化镖外延层载流子浓度电容-电压测量方法GB11068-89Galiumarsenideepitaxiallayer-Determinationofcarrierconcentration-Voltage-capacitancemethod主题内客与适用范围本标准规定了砷化缘外延层载流子浓度电容-电压法的测量方法、本标准适用于砷化镖外延层及体材料中载流子浓度的测量。测量范围：1×104～5×10-cm-"。语2.1击穿电压当反向偏压增加到某一值时,肖特基结就失去阻挡作用，反向电流迅速增大时的电压值.2.2接触面积汞探针与试样表面的有效接触面积。2.3垒电容半导体内垂直于接触面的空间电荷区的电容。2.4势垒宽度起势全作用的空间电荷区的线性宽度。2.5载流子浓度纵向分布自半导体表面向体内垂直方向上载流子浓度与深度的对应关系方法原理汞探针与砷化家表面接触形成肖特基势垒，当反向偏压增大时，势全区向砷化镖内部扩展。用高频小讯号测量某一反向偏压下的势垒电容(F)及由反向偏压增量“V(V)引起的势全电容增量“C(F)。根据式(1)和式(2)计算出势垒扩展深度(X)和其相应的载流子浓度（w（X)。一（1°N（X）一·…（2）式中：X-势垒扩展宽度·mN（X）载流子浓度，c

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