标准解读

《GB/T 11072-1989 锑化铟多晶、单晶及切割片》是中国的一项国家标准，发布于1989年，主要规定了锑化铟（InSb）多晶材料、单晶材料及其切割片的质量要求、测试方法和检验规则。以下是该标准的主要内容概述：

  1. 范围：本标准适用于半导体器件制造中使用的锑化铟多晶、单晶材料及其切割片的质量控制。它覆盖了材料的化学成分、物理性能、几何尺寸及表面质量等方面的规范。

  2. 规范性引用文件：列出了实施本标准时所直接引用或参考的其他标准文档，这些文档对于完全理解并执行标准中的各项要求是必要的。

  3. 术语和定义：对锑化铟多晶、单晶以及切割片的基本概念进行了界定，确保使用者对标准中涉及的专业术语有统一的理解。

  4. 要求：

    • 化学成分：规定了锑化铟材料中主元素In和Sb的含量范围及其杂质元素的最大允许含量，以保证材料的电学性能。
    • 晶体结构和性质：描述了材料应具备的晶体结构类型及相关的物理特性，如电导率、霍尔系数等。
    • 尺寸和形状：对单晶及切割片的尺寸公差、平面度、厚度均匀性等几何参数提出了具体要求。
    • 表面质量：规定了材料表面应无明显缺陷，如裂纹、夹杂、沾污等，并对表面粗糙度设定了标准。
    • 微观结构：涉及晶体的完整性、位错密度等内部结构要求，以确保材料的高质量和性能稳定性。

  5. 试验方法：详细说明了如何进行化学成分分析、物理性能测试（如电学性能测试）、尺寸测量、表面检查及微观结构分析等，确保测试结果的准确性和可重复性。

  6. 检验规则：明确了产品检验的程序、抽样方法、合格判定准则及不合格品的处理方式，确保出厂产品质量符合标准要求。

  7. 标志、包装、运输和储存：规定了产品在标识、包装材料、防护措施、运输条件及储存环境等方面的具体要求，以防止产品在流转过程中受损。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 11072-2009
  • 1989-03-31 颁布
  • 1990-02-01 实施
©正版授权
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文档简介

UDC661.864.147H81中华人民共和国国家标准GB11072-89锦化铟多晶、单晶及切割片TndiumantimonideDolycrystal，singlecrystalsandas-cutslices1989-03-31发布1990-02-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准销化铟多晶、单晶及切割片GB11072-89Indiumantimonidepolycrystal，singleCrystalsandas-cutsliccs主题内客与适用范围本标准规定了佛化钢多品、单品及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等本标准适用于区熔法制备的梯化钢多品及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的梯化烟单品及其切割片。2引用标准GB4326非本征半导体单品霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB8759化合物半导体单晶品向X射线衍射测量方法产品分类3.1导电类型、规格3.1.1多晶老晶的导电类型为N型，按载流子迁移率分为三级。百.1.2单品梯化钢单晶按导电类型分为N型和P型，以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按直径与位错密度分为三级。3.1.3切割片按3.1.2分类与分级，其厚度不小于500um.3.2牌号3.2.1佛化钢多品与单品的牌号表示为：口Insb-口-口-用PInSb表示梯化钢多晶，MInSb表示梯化钢单晶：中国有色金

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