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文档简介
单晶硅电磁片生产工艺流程之勘阻及广创作1、硅片切割，资料准备：?工业制作硅电池所用的单晶硅资料，一般采纳坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，而后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）。2、去除损害层：?硅片在切割过程会发生大量的概略缺点，这就会发生两个问题，第一概略的质量较差，此外这些概略缺点会在电池制造过程中致使碎片增加。所以要将切割损害层去除，一般采纳碱或酸腐化，腐化的厚度约10um。??
3、制绒：制绒，就是把相对圆滑的原资料硅片的概略经过酸或碱腐化，使其凸凹不服，变得粗拙，形成漫反射，减少直射到硅片概略的太阳能的损失。关于单晶硅来说一般采纳NaOH加醇的方法腐化，利用单晶硅的各向异性腐化，在概略形成无数的金字塔构造，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。关于多晶来说，一般采纳酸法腐化。?4、扩散制结：?扩散的目的在于形成
PN结。广泛采纳磷做
n型混杂。因为固态扩散需要很高的温度，所以在扩散前硅片概略的干净特别重要，要求硅片在制绒后要进行冲洗，即用酸来中和硅片概略的碱残留和金属杂质。?5、边缘刻蚀、冲洗：?扩散过程中，在硅片的周边概略也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，一定将它除掉。周边上存在任何细小的局部短路都会使电池并联电阻降落，以至成为废品。当前，工业化生产用等离子干法腐化，在辉光放电条件下经过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。扩散后冲洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。?6、堆积减反射层：?堆积减反射层的目的在于减少概略反射，增添折射率。宽泛使用PECVD淀积SiN,因为PECVD淀积SiN时,不只是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片拥有概略钝化和体钝化的两重作用,可用于大量量生产。?7、丝网印刷上下电极：?电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步伐，它不只决定了发射区的构造，并且也决定了电池的串联电阻和电池概略被金属覆盖的面积。，最早采纳真空蒸镀或化学电镀技术，而此刻广泛采纳丝网印刷法，即经过特别的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正反面，以形成正负电极引线。8、共烧形成金属接触：?晶体硅太阳电池要经过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才华形成优秀的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只要一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳
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