技术课件fma解析方式和流程介绍

FMA解析方式和流程介绍1导言最早应源于《难经》第六十一难曰：经言，望而知之谓之神，闻而知之谓之圣，问而知之谓之工，切脉而知之谓之巧。何谓也？然：望而知之者，望见其五色，以知其病。闻而知之者，闻其五音，以别其病。问而知之者，问其所欲五味，以知其病所起所在也。切脉而知之者，诊其寸口，视其虚实，以知其病，病在何脏腑也。经言，以外知之曰圣，以内知之曰神，此之谓也课程大纲解析流程介绍解析工具介绍解析手法介绍解析实例讲解Defect判定讲解望点灯观察,确认异常现象，推测怀疑方向，初步确认解析项目闻Pixel内部观察问特殊画面观察选择相应解析手法切电性确认机构集中性确认解析流程介绍（1）异常解析秘籍如何迅速切入异常点解析流程介绍（2）制程异常怀疑方向机构异常怀疑方向找出真凶放大招诛之迅速切入异常点，针对异常做针对性改善找出异常点并确认异常改善方向解析工具介绍—S/B&MOD点灯机神兵图谱之照妖镜S/B点灯机:主要功能为进行LOI1和LOI2的Panel点灯确认，可通过特殊的Recipe进行电性调节,进行Defect电性相关的确认MOD点灯机:主要功能为进行OpenCellPanel及客返品点灯确认现象确认，及调整参数进行电性确认。S/B点灯机MOD点灯机解析工具介绍—SEM&FIB神兵图谱之诛仙剑FIBSEMSEM：主要作为为通过裂片观察TFT&CF膜剖面状况，并进行相关特征值量测；

及样品成份分析FIB：主要作用为通过离子束切割膜面，定点观察膜层剖面状况，并进行相关

特征值量测。解析工具介绍—大小OM神兵图谱之倚天剑大小OM:主要功能为进行Panel拆片后TFT及CFPanel的Defect查找及异常判定解析工具介绍—3DOM神兵图谱之屠龙刀3DOM:主要功能为对TFT及CF膜面进行非破坏性的特征值量测及TFT/CF膜面的地形地貌进行立体观察解析工具介绍--TEG神兵图谱之金箍棒TEG:主要功能是用来进行Panel的电性量测及线路阻抗量测确认，重点在于观察TFT结构的Ion&Ioff&Vth

的变化解析工具介绍—CELLGap神兵图谱之幽冥鬼塔CellGap主要作用为针对Panel进行液晶盒厚量测和液晶预倾角量测解析工具介绍—绿光灯&钠灯神兵图谱之小灯泡绿光灯&钠灯主要作用是用来观察TFT&CF膜面Mura的状况，通过调整光源亮度及样品与光源的角度进行观察Defect的形态解析手法简介—点灯电性确认手法

各产品特殊点灯画面作用：主要作用是用来确认各产品Mura类Defect在正常区与Mura区的电性差异，从而以此进行判别Mura为Array厂的电性Mura或者CELL/ARRAY/CF三厂的光学性Mura特殊电灯画面说明：1.L481HZ：用来确认Pixel锁电性能2.L4890HZ：用来确认Pixel充电性能3.Gate-6V&Gate33V：用来确认不同区域TFT性能4.1/2Vgh：将正常L48的Vgh由33V下调至其1/2,16.5V，用以观察正常L48画面可见的Mura是否会加重解析手法简介—点灯电性确认手法

正常L48画面：主要用来确认Mura位置形态90HZL48画面：主要用来确认Pixel充电特性Gate=-6V：主要用来确认Mura区域与OK区域电性差异Gate=33V：主要用来确认Mura区域与OK区域电性差异解析手法简介—OM确认手法

ArrayIssueCFIssueCellIssue大小OM观察:主要以T/C量测用正光与背光进行异常查找为主3DOM量测发现NGPanelPSH比OKPanelPSH低0.2um。3DOM观察：对于TFT/CF做非破坏性特征值量测，及膜面立体构造确认。解析手法简介—OM确认手法

表面光源照片主要作用是用来看异常点表面轮廓；光泽；颜色；位置；异常点表面状况等背光源照片主要作用是用来确定异常点是否透光；异常点周围Patten是否存在形变；透光颜色等。解析手法简介—OM确认手法

正光确认异常点位置，防止拆片后异物掉落。通过表面光泽初步确认异常种类。观察线路是否有受损。背光判断异物是否透光。通过观察颜色判断是否为膜残或色阻残留物。解析手法简介—OM确认手法

去PI前确认异物表面状况，是否具有PI光晕，确认异物周围膜面状况。去PI后确认异物周围是否存在ITO晕，以判断是否为前厂来料异常解析手法简介—移片观察确认手法

将PanelCF侧右侧POL切掉一部分，约40mm左右，将切掉POL的TFT侧POL切掉一角，而后用热风枪进行烘烤用刀将Panel撬开一角，而后勇较薄的纸片插入，并用受按住划开全部Seal，而后用切割刀将玻璃切下解析手法简介—移片观察确认手法

移片手法：1.用手压住Panel两侧，使Panel上下弯曲，2.将CF向切掉玻璃的一侧推动，3.将Panel放到点灯机上进行点灯若Panel无法驱动，可以尝试用手按压上下两边，使AUBall能够充分与T/C量测接触解析手法简介—CELLGap量测确认手法

以32A05边缘漏光异常为例说明：1.量测时需从OK区域开始进行量测并贯穿Mura区，OK与NGPanel量测位置需相同2.以此片量测结果可见NGPanel的CellGap在面内与边缘的断差较OKPanel明显偏大，故以此推断，边缘漏光主因为面内的CellGap偏低造成。量测方向Mura区解析手法简介—TEG量测确认手法

32A04Leak亮点以点类Defect例1.TEG量测需做NG区和OK区的对比，但选点切勿过近2.以此片量测结果看，NGPixelIoff明显偏高，以此可断定NGPixel存在漏电现象，依此后续可以送SEM进行TFT结构确认NGIoffIonOKIoffVth解析手法简介—MACRO观察手法

绿光灯下TFT绿光灯下CF钠灯下TFT钠灯下CF解析手法简介—MACRO观察手法

收束钠灯观察—蝴蝶Mura解析手法简介—MACRO观察手法

PI相关Mura确认手法：呼气像确认呼气大法：第一步：气沉丹田第二步：瞄准目标（Panel）第三步：用力呼气直到缺氧第四步：在水汽消失之前迅速从不同角度进行观察解析手法简介—SEM&FIB观察手法

SEM裂片后拍照成像TOPView-TFT成像OM下观察-TFT成像Sample吃酸后成像M2:吃酸后M2被掏空M1:吃酸后M1被掏空G-SiNX：高速成膜a-Si：高速成膜a-Si：低速成膜G-SiNX：低速成膜a-SiRemain玻璃基板TFTFIB剖面图Sample吃酸后成像TFTSEM剖面图M1Al玻璃基板M1MoG-SiNXa-SiM2TOPMoM2AlM2BottomMoP-SiNX解析手法简介—SEM&FIB观察手法

FIB照片：通过在OM下确认异常点，而后在FIB下做定点截面观察。适用于指定位置的异常点确认。SEM照片：针对一个区块进行特征值确认，因作业手法的限制，无法精确定位到制定的位置适用于Mura类非特定点异常特征值量测TOPViewFIBSEMSEMIssueDescription：285M0.5T吸盘印MuraYieldlose：CSOTMOD2.44%模位集中性：集中于19;24模位置集中性：

位置固定机构集中性:N/A机构比对：CF厂机构Mapping有比对到PhotoALN_VStagePin

Cell厂机构Mapping有比对到ODFCASMO_RB1ROBORT_FORK

HVAUVORB1DEFULTArray厂机构Mapping有比对到ETCHDRYT/MTELFMA解析结果：1.CellGap量测无明显异常2.BM/R/G/B膜厚量测NG区与OK区无明显异常3.TFT/CF侧PI膜厚量测NG区与OK区无明显异常4.ITOCD量测NG区与OK区无明显异常工程对策结果：暂无对策改善状况：N/AFollowUP：1.请CF协助确认PhotoALN_VStagePin状况2.请Cell协助确认ODFCASMO_RB1ROBORT_FORK和HVAUVORB1DEFULT状况3.请Array协助确认ETCDRYT/MTEL状况解析实例讲解—28吸盘印Mura285Mask0.5TPanelID:TA420321AQ24Issue：吸盘印MuraTime：2014-02-18Location：MODName:王海波How：送片解析Image&Description解析实例讲解—28吸盘印Mura解析实例讲解—28吸盘印Mura（点灯确认）API照片确认L48階画面可见，MOD点灯L48画面可见TA420566AN19TA420321AQ242-18LOI1chip集中性LOI1API照片确认NG1NG2NG3OK1OK2解析实例讲解—28吸盘印Mura（CELLGap）CellGap量测无明显差异解析实例讲解—28吸盘印Mura（PSH）PSH量测无明显差异解析实例讲解—28吸盘印Mura（SEM）BM/R/G/B膜厚NG区与OK区相比无明显异常，G膜厚均有超规格下限解析实例讲解—28吸盘印Mura(SEM)1.TFT/CF侧PI膜厚NG区与OK区相较无明显异常2.ITOCDNG区与OK区相较无明显异常解析实例讲解—垂直淡线（GeAbnormal）1.OM下观察可见Data侧Fanout线路存在异常2.1-10~1-16垂直淡线共计解析32pcs，其中20pcs为Array责，其中GEAbnormal10pcsShopFmaDefectName汇总ARRAYGE-Abnormal10

SEAbnormal8

ArrayESD1

ALSR-Fail1ARRAY汇总

20CELLPadScratchoutofS/B(Data)7

Dent3

PadScratchinS/B(Data)2CELL汇总

12总计

32解析实例讲解—垂直淡线（SEM确认）FIB确认发现M1Peeling造成线路异常M1M2M1缺失解析实例讲解—垂直淡线（SEM确认）FIB确认发现M1Peeling造成线路异常M1M2M1缺失解析实例讲解—垂直淡线(SEM确认)FIB确认发现M1Peeling造成线路异常M1M2M1缺失Defect判定讲解—Cell责Defect(APIFiber)Fiber形态：一般为细长线形形态,背光观察一般呈透明状.未拆片前背光观察为透明异物,形态为线形。拆片后正光发现异物周围无PI晕，确认为APIFiber未拆片前正光观察比较不容易发现异常点未拆片前背光观察为透明异物,形态为线形。拆片后正光发现异物周围无PI晕，确认为APIFiberDefect判定讲解—Cell责Defect（TFT-UPIParticle）未拆片前正光观察可见异物未拆片前背光观察可见异物呈半透明状拆片去PI前正光观察可见异物位于TFT侧且其周围有较明显PI晕拆片去PI前正光观察异物周围可见异物周围具有较明显带光环PI光晕，确认为TFTUPIParticle拆片去PI前背光观察可见异物呈半透明状拆片去PI后正光观察可见异物消失，确认为非前厂带来异物Defect判定讲解—Cell责Defect（TFT-APIParticle）未拆片前正光+背光观察可见异物拆片去PI前正光观察可见异物位于TFT侧且其周围无PI晕存在拆片去PI前背光观察可见异物呈半透明状，以此判断为有机物拆片去PI后正光观察CF侧，有发现伤痕，为异物挤压造成Defect判定讲解—Cell责Defect(TFT-APIParticle)拆片去PI前背光观察异物可见异物为半透明状拆片去PI正光观察CF侧可见异物痕迹未拆片前正光观察不可见异物未拆片前背光观察可见异物呈半透明状拆片去PI前正光观察可见异物位于TFT侧且其周围有较明显不带光环PI晕Defect判定讲解—Cell责Defect(TFT-PISpot(WParticle))未拆片前正光观察可见异物未拆片前背光观察可见异物呈半透明状拆片去PI前正光观察TFT侧可见异物周围可见异物周围具有较明显PI光晕边界，且PI光晕圆环范围内无PI膜痕迹，以此判定为有核PI不沾Defect判定讲解—ARRAY责Defect（GE-Residue-P）拆片前正光观察可见Gateline有异常形变，且膜残边缘较光滑拆片前背光观察可见异常区膜残不透光拆片后正光观察可见异常区膜残边缘较光滑且膜残边缘无颜色渐层现象，Dataline完整Defect判定讲解—ARRAY责Defect（GE-Residue-T）拆片前正光观察可见COMline有异常形变，且膜残边缘圆滑拆片前背光观察异常区不透光拆片后正光观察膜残区域有异物存在拆片后背光观察可见膜残周围棕色半透明状膜残，此为AS残留，为因M1成膜异常造成AS膜残Defect判定讲解—ARRAY责Defect（SE-Particle）拆片正光观察TFT侧可见Dataline有异常形变，异常处线路偏细并有异物存在拆片背光观察异常区有缺失Defect判定讲解—ARRAY责Defect（SE-Abnormal）拆片后正光观察可见Datal