酞菁氯化铝的合成及光电器件制备

1酞菁氯化铝的合成及光电器件制备金属酞菁化合物具有独特的平面分子结构，这类特殊的物质发展相当迅速。作为一类特殊有机化合物，已受到越来越多的科学家的关注。各种各样的金属酞菁广泛应用于电子涂料、工厂印刷、电子照相、光电化学、电子元器件、医学医疗等领域。本文主要通过化提纯，元素分析，再对制备的样第一章引言质，当这种无色的物质受热后，生成了时他们却没有给它命名。酞菁这一名词第一和染料等着色剂，这主要是因为)不仅色光十分鲜艳，着色力很高，而金属元素。金属元素中又以铜等普2Pa、Np、Am)等。化合物又具有很多功能，所以人们的特殊性，所以合成的酞菁化合物对义。本文就是以酞菁氯化铝所制备成第二章酞菁配合物简介2.1酞菁材料简介发现以来，这类化合物的发制得和发现。它们的用途也由酞菁颜料因为其优良的耐热和子在很多方面都能起到一定多科学研究方面都有一些独特3度等。而酞菁正好具备以上2.2酞菁的结构叶绿素及血红素。通常，它们是四个吡咯单元融合芳香结构(如图2-1)。除了结构类似卟啉、叶绿素及血红非常稳定的特性，而且耐酸，耐物。两者都是经氧化降解的酰亚胺二元2.3酞菁配合物大部分是金属元素，而且酞性可以形成一分子配位体或多分子配位腈混合加热反应，生成物即含有一分子4铁)是他们不易分离开来，所以只有通过破坏酞菁环才能将其分开。大部分金属离子在与酞菁结合时并不会使酞菁大环发生显著畸变，然而也有个别金属离子由于本身的半径太大导致不能完全进入到酞菁的空穴中，只能处于大环平面的上面，从而使酞菁发生比较明显的变形。对于呈正一价态的金属离子来说，酞菁分子中心的氮原子一般会与两个金属阳离为同代正电而发生排斥，所以两，这是与它在材料方主要应用于光动力学治疗，作PDT一个有效的方法。属酞菁及其衍生物，金属酞菁的性能有关。金属酞菁能催化氧化2.4酞菁化合物的用途据这一原理以有机半导体材料制D用。场效应晶体管是设计集成电路的基本元件.有机场效应晶体管(OFET)是近年发展的一可通过化学方法得到不同的分子，而且有机场效应晶体管在室温下易于加工，成本低廉，智能卡等等。料应用于5无机光电导材料比较,价廉，低毒，来源计，得到不同性能的光电导近来有研究表明,酞菁在可逆光存储方面也具有相当大的潜力，这有待科学家们的探索。酞菁化合物对近红外光较为敏感,吸收的波长适宜,并且具有优异的光热稳定性,可以用作光盘的记录介质，可将其制成CD-R，质量很不错。材料器件功能的超微型器件，另有机金属和其他分子材料制造出的用于微电子领域的新型元件，其研究内容涉及分子整流应。条件下催化有机物自动氧化以及模拟生方向。对干我们模拟酶催化，探讨生物理和理论具有十分重要的意义。法的主要应用物质即为有机材料光敏剂。这些有机材料光敏剂能进入并且胞中，并且缓慢积累，当我们用特定波长的光激发产生光动力反应从而使得癌6第三章酞菁氯化铝的合成及表征。RRR11HN11CNCNHNNHN3CNCNHNR4R4R4MRn+nMRn+MR1OR1O1NNRNCNNRN2RMn+2n2RMn+2RMNMNRRMNMNR3HNOCR32NNNRNNN3R34O4R4Rn+MMnRn+MMMn+MR1RO1R11RO1RR2R2HRR2R222ORRR333RRR3332RORR4R4447其中镁(此方法以镁为例，其他金属元素也可类似得到产物)或镁的氧化物或镁的碳酸盐成酞菁镁，然后用溶解，洗涤，洗出酞菁89即可制得酞菁氯化铝。由于合成的酞菁氯化铝中含有大量未反应的邻苯二甲腈和三氯苯等、过滤的提纯操作，以得装瓶后，对其进行元素分制成比较简单的半；(2)实验试剂：邻苯二甲腈；三氯化铝；硫酸；丙酮；铝粉；三氯苯；去离子水等。(1)酞菁氯化铝的合成声波清洗仪器中20分钟左右，是反应物充分混合接触，再在烧瓶底部贴上连接热电偶的(2)酞菁氯化铝的提纯酸，做酸化处理，将其中能溶于酸滤操作，将得到滤饼洗涤，并在此1由于该方法为化学合成方法，故实验药品为一些有毒且具有挥发性的化学试剂，所以人们认为温度升高的速度会影响生成酞菁化合物的反应，这是由于在开口烧瓶内，邻快验的基减小误差，制备尽量多，足够纯净的酞菁3.5产率分析表4-2酞菁氯化铝的产量及产率表理论产量(理论产量(g)实际产量(g)3.6元素分析的平均值，制得以下表格，分析结N2.7852.870误差9.48.05碳元素和氢元素的误差分别为10.82%、9.84%和3.05%，种元素分别计算得到的纯度为90.0%，90.1%,97.0%,取三种的平均数大致估计我们得到的样品的纯度在93.0%左右。结果分析:理论上各元素的含量与实际测得的各元素的含量差距不小，这说明合成的酞菁产率则意味着我们析。元素含量与理论含量的比较接近，而碳、氮元素的实际值与薄膜性能不够优越，是由于实验设第四章酞菁氯化铝薄膜器件的制备及光电性能分析空镀膜方法简介优缺点，本实验发物质的原子或分间、温度以及蒸发源与待镀工件距积的蒸发镀膜，应该采用旋基片之间的距离应该小于蒸2结构示意图如下:1.在没有光照的条件下，测得不同栅极电压下，暗电流随源极和漏极之间的电压变化的关系如图所示:322s20V40V60V80V00VIId-2-4-50-40-30-20-10010V(V)图4-3暗电流输出特性曲线(1#)压的增大而增大，表现出显著的场效6V=-10V=-100VgsWmm2I-4-6-50-40-30-20-10010V(V)图4-4650nm波长光电流输出特性曲线(1#)64242gsgsmmII-6-50-40-30-20-10010V(V)I0-50102030VI0-50102030V(V)1.器件二没有作任何处理，在没有光照的条件下，测得暗电流在不同栅极电压下，随源极50VVV0V暗电流输出特性曲线(2#)暗电流输出特性曲线(2#)nmVgsV，变化光强的大小，测得电流随源0-100WWmmsIdI00600-100102030405060V(V)图4-7650nm波长光输出特性曲线(2#，关态)图4-7为器件二在不同光功率下的输出特性曲线(取Vgs=0V，器件处于关态)，由图可IIWWmmsId-1000-1500-2000-100102030405060V(V)图4-8650nm波长光输出特性曲线(2#，开态)-8为器件二在不同光功率下的输出特性曲线(取Vgs=50V，器件处于开态)，由图可00V0VVV0VVds-300060405060-100405060V(V)图4-9暗电流输出特性曲线(3#)20Vgs0sIdId-20mm30300405060-100405060V(V)图4-10850nm波长光电流输出特性曲线(3#，关态)Vgs=50V200mmmmsIdI405000-1001020-10V(V)850nm波长光输出特性曲线(3#sdI50VV50V-152025405060-100405060V(V)图4-12暗电流输出特性曲线(4#)80Vgs=0V20s-20060s-20060WmmIdI-100-100102030-100102030V(V)650nm650nm波长光电流输出特性曲线(4#，关态)600Vgs=50V00s-400s-400600-1000WmmI-1200-100102030-100102030V(V)650nm650nm波长光电流输出特性曲线(4#