硅材料生产技术学习通超星课后章节答案期末考试题库2023年

硅材料生产技术学习通超星课后章节答案期末考试题库2023年____也称为温度场,指的是热系统内的温度分布状态。

参考答案:

热场

下面哪种铸锭方法可以实现连续化生产?()

参考答案:

电磁铸锭法

为了使晶体不断长大,一方面要求液相必须能连续不断地向结晶界面供应原子,另一方面结晶界面不断地牢靠地接纳原子,晶体生长主要由后者控制。

参考答案:

对

从晶体的外观可以判断晶体是否为无位错,<111>单晶会有()条轴对称的“棱线”。

参考答案:

3

位错对多晶硅的影响主要有()。

参考答案:

杂质偏聚、沉淀,造成新的电活性中心###产生补偿作用###扩散增强

位错既可以接收电子也可以提供电子。

参考答案:

对

切割籽晶用的单晶电阻率应高一些,这样无论拉制低阻单晶、高阻单晶,N型的、P型的都可以用。但是已经拉制过单晶的旧籽晶不能随便使用,拉制过不同型号的旧籽晶也不能混用。

参考答案:

对

判断收尾的时间很重要,收尾太早,容易断苞,合格率降低;收尾太晚,造成浪费。

参考答案:

错

区熔单晶过程中,多晶硅棒受到____、电磁托力、____和离心力几个方面的作用力。熔体之所以可以被支撑在单晶与棒料之间,主要是由于硅熔体____的作用。

参考答案:

表面张力###重力###表面张力

区熔硅单晶的掺杂方法主要有()。

参考答案:

填装法###中子嬗变掺杂###气相掺杂法###液体掺杂

单位时间内,某杂质从熔体单位面积上蒸发出来的原子数与熔体中杂质浓度之比称为杂质的____。蒸发效应常以该常数和____来描述。

参考答案:

蒸发速度常数###时间常数;蒸发时间常数

单位距离内温度的变化率为____。

参考答案:

温度梯度

单晶硅片取自于____部分。

参考答案:

等径

单晶硅生长时,热场中温度梯度有多种,对结晶状态影响最大的是____,它在一定程度上决定着单晶的质量。

参考答案:

生长界面处的温度梯度;(dT/dr)S-L

可以通过（

）粗略判断铸锭多晶硅固液界面的形状。

参考答案:

纵截面电阻率等值线###晶体生长趋势

在低温热处理时,过饱和的氧一般形成____;在相对高温热处理或多步热处理循环时,过饱和的氧形成____。

参考答案:

氧施主###氧沉淀

在柱状晶生长过程中，对其形状应先过的主要因素是（

）。

参考答案:

热量的传输；热流；热流的情况

在结晶前沿处,只有很薄的一层熔体是低于熔化温度的(过冷度为1℃左右),其余部分的熔体都是处于过热状态,这样可以抑制自发形核,该理论为()。

参考答案:

科塞耳理论

多晶硅铸锭主要分为喷涂、备料及____三部分工序。

参考答案:

铸锭

多晶硅铸锭定向凝固生长技术包括（

）。

参考答案:

浇铸法###布里奇曼法###热交换法###电磁铸锭法

多晶硅铸锭炉中保持工艺要求的关键是____系统。

参考答案:

加热

多晶硅铸锭炉通常由钢结构平台及炉体、真空供气系统、____与控制系统、____系统、水冷却系统等组成。

参考答案:

电源供应###加热隔热

多晶铸锭炉的控制系统中____完成控制工艺的设置、控制过程的监控及各种反馈信息,记录整个硅结晶过程的各种参量的变化情况,生成相应的图表。____以智能控制系统为主体,完成对温度的控制、真空度及氩气的压力控制、隔离笼的提升控制、多晶硅结晶的速度及冷却水流量等的检测。

参考答案:

上位机###下位机

多晶铸锭炉的炉室为夹层架构,中间通冷却水冷却炉室表面温度。

参考答案:

对

如果高温热处理后冷却速率很快,金属的扩散速率相对较慢,晶体硅中金属为()。

参考答案:

间隙态###替位态

将界面上出现的周期性干扰考虑为正弦干扰,根据界面稳定性理论,界面的稳定性取决于正弦波的____。

参考答案:

振幅随时间的变化率

拉制低电阻率单晶(小于10-2Ω·cm),一般选用____作掺杂剂;拉制较高电阻率的单晶(大于10-1Ω·cm),一般选用____做掺杂剂。

参考答案:

纯元素###母合金

拉速曲线一般为匀速下降的线性曲线。

参考答案:

错

放肩角度必须适当,如果角度太小,则晶体实收率低;角度过大,容易造成熔体过冷,甚至产生位错和位错增殖。

参考答案:

对

晶体生长过程中引入的缺陷称为____。

参考答案:

原生缺陷

晶核的临界半径rC的大小与溶体的过冷度有直接关系,过冷度越大,临界半径就越____。

参考答案:

小

晶粒互相接触后发生核心互相吞并，吞并机制主要有（

）。

参考答案:

表面扩散机制###热运动机制###气相转移机制

有效分凝系数Keff是和熔体性质、结晶速度、杂质的扩散系数及熔体的搅拌情况有关的一个物理量,通过()方式可以增大有Keff。

参考答案:

增大熔体粘滞系数###增大结晶速度###增加杂质富集层或贫乏层厚度###减小扩散系数

来自熔体的原子进入下图晶格座位，判断下列选项中哪些顺序是正确的。（

）

参考答案:

1=2<4=5<3

根据成分过冷理论和MS理论,固液界面形态有(a)平面状、(b)绝对稳定性平面、(c)枝状、(d)胞状。随着凝固参数G/v的减小,固液界面形态变化顺序为()

参考答案:

adcb

根据界面稳定性理论,当温度梯度超过一临界值时,其稳定化效应会完全克服溶质扩散的不稳定化效应,这时无论凝固速度如何,界面总是稳定的,这种绝对稳定性称为____。

参考答案:

高梯度绝对稳定性

母合金晶体使用时切成0.5-1.0mm的薄片,是为了使用时容易碎成小块,称重时方便微量调节。

参考答案:

对

氢对于晶体硅中的主要杂质氧作用主要表现为()。

参考答案:

增强氧施主生成###促进氧的扩散###增强氧沉淀生成###形成复合体

氧在硅中的分凝系数为1.25左右,因此氧浓度一般从先凝固的晶锭底部到最后凝固的晶锭上部逐渐____。

参考答案:

降低;减小;减少

氧在硅中的分凝系数大于1,因此其分布为(

)。

参考答案:

底部低上部高

氧在硅中的分凝系数大于1，因此其分布为（

）。

参考答案:

底部低上部高

氧沉淀的影响因素很多,其中哪些是氧沉淀的主要影响因素?()

参考答案:

热处理的时间###热处理的温度###初始氧浓度

氮在铸造多晶硅中的存在形式有()。

参考答案:

氮氧复合体###沉淀态###氮对

沿界面的（

）效应会使界面趋于稳定，（

）效应造成界面不稳定，这两者时对界面稳定性产生影响的互为矛盾的两个因素。

参考答案:

扩散###界面能

电子器件在不同的温度下性能有差异,采用一些措施抑制这种差异的影响称为____。

参考答案:

温度补偿

界面稳定性理论认为界面上出现任何周期性的干扰都可以考虑为正弦干扰，界面的稳定性取决于正弦波的（

）。

参考答案:

振幅随时间的变化率

目前大直径的石英坩埚均采用____法生产。

参考答案:

电弧

直拉单晶硅中掺杂元素一般根据()等进行选择。

参考答案:

熔解度###扩散系数###导电类型###分凝系数

直拉单晶硅化料过程中,温度控制不当会造成()。

参考答案:

温度太低,影响生产效率###温度过高,影响单晶质量,反应过于剧烈甚至会发生喷硅现象###温度过高,导致坩埚、炉壁、炉底产生变形###温度过高,硅蒸气大量聚集容易拉弧造成过流

直拉单晶硅装料时应该首先在底部铺平板料,然后铺大块料,最后用边角或小块料填缝。

参考答案:

错

直拉单晶硅过程中使用的氩气要进行检测,检测项目主要有()。

参考答案:

露点###纯度###氧含量

直熔法生产铸锭多晶硅的优点有()。

参考答案:

生长的硅锭质量较好###晶体生长过程易控制、易自动化###“原位”热处理降低硅锭内的热应力

硅不同晶面自由能不相同,导致表面自由能____的晶面优先生长,特别是晶面吸附杂质改变表面自由能,所以多晶硅柱状晶生长方向不直且伴有分叉。(填高或低)

参考答案:

低

硅中的金属杂质一般以间隙态、____、复合体或____的形式存在

参考答案:

替位态###沉淀

碳在硅中主要处于替位位置,属于非电活性杂质,因此多晶硅中的碳不影响其电学性能。

参考答案:

错

磁控直拉生长技术产生的磁致()控制了流体的运动,也减少了熔体的温度波动,可以达到控制()的目的。

参考答案:

粘滞性、氧含量

过冷的温度于熔点的温度差称为____,该值越大,结晶速度越____。

参考答案:

过冷度###快

进行热场设计,使得硅熔体在凝固时自底部开始到上部结束,其固液界面始终保持与水平面平行,称为____。

参考答案:

平固液界面凝固技术

通常晶体生长速度受()过程的限制。

参考答案:

硅原子在结晶界面上按晶格位置排列的速度###熔硅热量的传递速度###结晶界面处结晶潜热的释放速度

通常硅锭的晶粒尺寸分布为()。

参考答案:

上大下小、中间大边缘小

金属在硅中沉淀的密度和形态与()有关。

参考答案:

形核方式###冷却速率###扩散速率

金属杂质的浓度分别为上部和底部区域高,在中部的浓度较低。

参考答案:

错

铁硼复合体是电活性的,能引入深能级。在200℃以上热处理或在太阳光长时间照射时,铁硼复合体会重新分解。

参考答案:

对

铸造多晶硅不能使用微电子工业单晶硅生产的剩余料。

参考答案:

错

铸造多晶硅中坩埚涂层的作用为()。

参考答案:

降低多晶硅中的氧、碳杂质浓度###坩埚可能重复使用,降低生产成本###解决坩埚和硅料的黏滞问题

铸造多晶硅中的碳杂质对氧杂质的影响有()。

参