第一章 电路及基本元器件

知识要点电路及基本物理量电路中的基本元器件电压源和电流源基尔霍夫定律支路电流法电路中电位的计算返回主目录第一章电路及基本元器件知识要点

电路模型的概念电流、电压的参考方向功率、电位的计算电路基本元件的特性基尔霍夫定律及其应用1.1电路和电路模型一、电路的组成和作用

电路一般由电源、负载和中间环节三部分组成。电源是向电路提供电能的设备，它们可将机械能、化学能等转换为电能；负载为各类用电器，它们吸收电能并将电能转换成光能、热能和机械能等；中间环节主要起连接和控制作用。二、电路模型

实际电路中元件种类很多，电磁性质也比较复杂。为了使问题简化，采用将实际电路元件理想化的方法，以便突出其主要的电磁性质，这就是所谓的理想电路元件。在理想电路元件中主要有理想电阻元件、理想电感元件、理想电容元件、理想电源元件等。由理想电路元件所组成的电路，就是实际电路的电路模型。

常用理想电路元件图形符号

1.2电路的基本物理量及其参考方向

一、电流

1、电流的大小：电荷的定向移动就形成了电流，电流的大小为单位时间内通过某导体横截面的电荷量，即：

当电流的大小、方向均不随时间变化时，称为直流电流，即：

2、电流的方向

正电荷运动的方向为电流的正方向。任意选定某一方向作为电流的正方向，称为电流的参考方向。当电流的实际方向与参考方向一致时，该电流为正值；当电流的实际方向与参考方向相反时，该电流为负值，如图1-1所示。图1-1二、电压和电动势

1、电压电场力把单位正电荷从a点移动到b点所做的功称为ab两点间的电压，即：电压的实际方向是由高电位端指向低电位端。在实际电路的分析计算中，也需要引入一个电压的参考方向。根据电压的参考方向与数值的正负就可判断出电压的实际方向，如图1-2所示。2、电动势

电动势描述的是在电源中外力做功的能力，它的大小等于外力在电源内部克服电场力把单位正电荷从负极移动到正极所做的功，用字母来表示。它的实际方向在电源内部是由电源负极指向电源正极的，如图1-3所示。

图1-2

图1-3

三、电功率和电能

1、电功率电流通过电路时传输或转换电能的速率称为电功率，简称为功率，用符号p表示。当电压与电流为关联参考方向时，功率的计算公式为：

当电压与电流为非关联参考方向时，功率的计算公式为：2、电能

电路在一段时间内吸收的能量称为电能。在国际单位制（SI）中，电能的单位是焦耳（J）。1J等于1W的用电设备在1s内消耗的电能。电力工程中，电能常用“度”作单位，它是千瓦小时（kWh）的简称，1度等于功率为1kW的用电设备在1小时内消耗的电能。

1.2电路中的基本元器件

一、电阻元件

1、电阻和电导

电阻是反映元件对电流阻碍作用的参数，电阻元件在电路中的主要特征是消耗电能。电阻的倒数称为电导，电导表示了导体的导电能力，用G来表示，即电导的单位是西门子（S）。2、伏安特性

在关联参考方向下，流过线性电阻元件的电流与电阻两端的电压成正比，其表达式为：

u=Ri

线性电阻的电阻值是一个常数，所以其伏安特性曲线是一条经过原点的直线，如图1-4所示。图1-4

常用电阻元件的外形与图形符号

二、电感元件

电感元件是实际电感器的理想化模型，它是反映电路器件储存磁场能量这一物理性能的理想元件。

如图1-5所示，一个电感线圈，当电流通过后，会产生磁通，若磁通与N匝线圈相交链，则线圈的磁链：

图1-5

常见电感器的外型和图形符号

三、电容元件

电容元件是实际电容器的理想化模型，它是反映在电路中储存电场能量这一物理性能的理想元件。我们常将电容元件简称为电容，它也是表征材料（或器件）储存电场能量的一种参数。

电容元件的电容量与电容器上存储的电荷量q和它两端的电压uC的关系为：

常用电容元件的外型与图形符号

四、半导体二极管1、半导体的基础知识

(1)半导体及其特性

导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，常用的半导体材料有硅和锗等。根据掺杂半导体中导电粒子的不同，半导体可分为N型半导体和P型半导体。N型半导体的导电粒子主要是自由电子，P型半导体的导电粒子主要是空穴。(2)PN结及其特性

一块P型半导体和一块N型半导体采用特殊工艺合为一体，则在其交界处就会形成一种特殊的薄层。这种薄层称为PN结，如图1-6所示。

图1-62、二极管的结构与特性

从PN结的P区和N区各引出一个电极，再用管壳加以封装，即构成一个二极管。由P区引出的电极称为正极，由N区引出的电极称为负极。二极管具有单向导电性，其实验电路如图1-7所示。图1-7

3、二极管的伏安特性曲线（硅管）五、半导体三极管1、三极管的结构

图1-82、三极管的电流放大作用

三极管工作在放大状态的条件是：发射结正偏，集电结反偏。

(1)电流分配关系：发射极电流等于基极电流和集电极电流之和，即：(2)电流比例关系：IC与IB的比值称为三极管的共发射极直流放大系数，即：(3)电流控制关系：△

IC与△IB的比值称为三极管共发射极交流电流放大系数，即：

3、三极管的伏安特性曲线

三极管的特性曲线分为输入特性曲线和输出特性曲线两种，如图1-9所示。图1-9(1)输入特性死区电压：硅管约为0.5V，锗管约为0.2V；导通电压(发射结)：硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。

(2)输出特性截止区：UBE小于死区电压，IC≈0，UCE≈UCC，。饱和区：集电结正向偏置，UCE＜UBE，IC≈UCC/RC

。放大区：发射结正偏，集电结反偏

,IC≈βIB。

六、MOS型场效应晶体管

场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的电压控制型器件，它的输入阻抗高且热稳定性好，并且还有制造工艺简单等优点，现在已经在放大电路中得到广泛应用。场效应晶体管分为结型（J型）和绝缘栅型（MOS型）两大类。

MOS型场效晶体管的图形符号

七、晶闸管

晶闸管是一种可控的大功率半导体器件，具有体积小、重量轻、耐压高、容量大、效率高、控制灵敏等优点。晶闸管的外部结构有三个电极：阳极A、阴极K和控制极G（也称门极），晶闸管的图形符号如图1-10

所示。

图1-10八、集成电路集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或隧道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)。

1.3电压源和电流源一、电压源1、理想电压源图1-11理想电压源图1-12理想电压源的伏安特性曲线2、实际电压源

U=US-IR0

图1-13实际电压源图1-14实际电压源的伏安特性

二、电流源1、理想电流源图1-15理想电流源图1-16理想电流源的伏安特性曲线

2、实际电流源