MOOC 微电子制造工艺-北京信息职业技术学院 中国大学慕课答案

MOOC微电子制造工艺-北京信息职业技术学院中国大学慕课答案第一章测验1、问题：第一个锗晶体管是（）年发明选项：A、1946B、1947C、1957D、1958正确答案:【1947】2、问题：集成电路的英文简称为（）。选项：A、ICB、MCUC、LCCD、MIC正确答案:【IC】3、问题：8英寸硅片的直径大约（）mm。选项：A、150B、200C、300D、450正确答案:【200】4、问题：微电子学的核心是集成电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】5、问题：集成电路按器件结构分主要可分为：双极型集成电路、MOS集成电路和BiCMOS集成电路等。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题：纳米是长度的单位，1纳米为1微米的1000倍。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：CD(CriticalDimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸，是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：集成电路是通过一系列特定的加工工艺，将晶体管等元器件按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的复杂电子系统。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：集成电路按器件结构分主要可分为：双极型集成电路、MOS集成电路和BiCMOS集成电路等。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、填空题：摩尔定律指出集成电路的晶体管的集成度每_____个月翻一番。正确答案:【18##%_YZPRLFH_%##十八】第二章测验1、问题：1000级的概念是每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于（）个。选项：A、10B、100C、1000D、10000正确答案:【1000】2、问题：高效过滤器的英文简称是（）。选项：A、LEPAB、HEPAC、MICD、DHF正确答案:【HEPA】3、问题：过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液简称是（）。选项：A、DHFB、SPM-1C、SC-1D、HPM正确答案:【SC-1】4、问题：中效过滤器主要滤除大于（）um的尘粒。选项：A、10B、5C、1D、0.3正确答案:【1】5、问题：尘埃的测量方法有（）、（）、（）。选项：A、重量法B、四探针法C、过滤法D、计数法正确答案:【重量法#过滤法#计数法】6、问题：吸烟不会产生尘埃。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：风淋室可保证进入洁净室人员进行人身洁净和防止室外空气侵入。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：乱流洁净室比单向流洁净室洁净度高。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】9、问题：洁净度是用每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数来衡量。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、填空题：10000级是指每立方英尺空气中，0.5um大小尘埃的个数不超过10000颗≈______个/升。（四舍五入取整，1立方英尺=28.3168升）正确答案:【353】第三章半导体材料1作业1、问题：掺入B元素的半导体为（）型半导体选项：A、PB、NC、本征半导体D、中性半导体正确答案:【P】2、问题：下列半导体属于第三代半导体的是（）。选项：A、硅B、锗C、砷化镓D、氮化镓正确答案:【氮化镓】3、问题：半导体行业最常用的半导体材料是（）。选项：A、氮化镓B、石墨烯C、硅D、砷化镓正确答案:【硅】4、问题：掺入P元素的半导体为（）型半导体。选项：A、PB、NC、中性半导体D、本征半导体正确答案:【N】5、问题：面心立方晶胞原子的个数是（）。选项：A、1B、2C、4D、8正确答案:【4】6、问题：硅的晶体结构是（）形状。选项：A、四面体结构B、无定形结构C、六面体结构D、平面结构正确答案:【四面体结构】7、问题：硅晶体内部的空间利用率是（）。选项：A、24%B、34%C、44%D、66%正确答案:【34%】8、问题：最常用的形成N型半导体的杂质有（）()和（）。选项：A、SbB、BC、AsD、P正确答案:【Sb#As#P】9、问题：从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是（）。选项：A、000B、100C、110D、111正确答案:【100#110#111】10、问题：价带中含有的电子数量决定材料的导电性。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】11、问题：由于电子的有效质量小于空穴的有效质量，因而电子的迁移率比空穴的大。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：P型半导体主要靠空穴导电。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：100晶向垂直于100晶面。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】14、问题：多晶的特点是长程有序，短程无序选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第三章半导体材料2作业1、问题：电子级纯的多晶硅的纯度为（）。选项：A、99.9999999%B、99.9999%C、99%D、99.9%正确答案:【99.9999999%】2、问题：工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。选项：A、直拉法B、沉积法C、区熔法D、三氯氢硅的氢还原法正确答案:【三氯氢硅的氢还原法】3、问题：单晶硅的电阻率测试采用（）。选项：A、热探针法B、悬浮区熔法C、直流光电导衰减法D、四探针法正确答案:【四探针法】4、问题：多晶硅变成单晶硅需要具备以下（）条件。选项：A、要有排列标准B、低温环境C、原子具有一定的动能，以便重新排列D、排列好的原子能稳定下来正确答案:【要有排列标准#原子具有一定的动能，以便重新排列#排列好的原子能稳定下来】5、问题：硅材料的缺陷主要有（）。选项：A、体缺陷B、面缺陷C、点缺陷D、线缺陷正确答案:【体缺陷#面缺陷#点缺陷#线缺陷】6、问题：温度升高会使点缺陷的平衡浓度增加。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：刃型位错是位错线与原子滑移方向相平行。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：如果掺入杂质的失配因子较大，晶格将会发生畸变。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：晶体在（110）方向上腐蚀速度最快。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：肖特基缺陷的特点是空位与填隙原子成对出现。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第四章硅平面工艺流程作业1、问题：MOS的中文含义是（）。选项：A、硅衬底B、多晶硅C、双极型D、金属氧化物半导体正确答案:【金属氧化物半导体】2、问题：LDD的中文含义是（）。选项：A、轻掺杂源漏B、局部场氧化C、浅沟槽隔离D、侧墙掩蔽正确答案:【轻掺杂源漏】3、问题：双极型集成电路制造过程中包括（）等基本工艺。选项：A、氧化B、扩散C、光刻D、掺杂正确答案:【氧化#扩散#光刻#掺杂】4、问题：PMOS管的3个电极分别是（）。选项：A、源极B、基极C、漏极D、栅极正确答案:【源极#漏极#栅极】5、问题：制作PN结最早采用的是硅平面工艺法。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题：重掺杂用于外延的单晶衬底。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：阱是在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相同的区域。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：浅沟槽隔离属于PN结隔离方式。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】9、问题：Bi-CMOS是同时包括双极和MOS管的集成电路。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：局部场氧化工艺的缺陷是在氮化硅下面的氧化物生长形成鸟嘴形状。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第五章薄膜制备1测验1、问题：要产生1000埃厚度的二氧化硅，需要消耗（）厚度的硅。选项：A、1000埃B、440埃C、560埃D、2200埃正确答案:【440埃】2、问题：以下（）选项不属于掺氯氧化的功能。选项：A、界面处的氯能降低固定氧化物电荷B、界面处的氯对Na+俘获和中性化C、氧化速率比在纯氧中低D、掺氯氧化能抑制氧化层错正确答案:【氧化速率比在纯氧中低】3、问题：下面氧化方式中（）氧化方式的氧化速率最快。选项：A、干氧氧化B、湿氧氧化C、低压氧化D、水汽氧化正确答案:【水汽氧化】4、问题：增加热氧化速率的方法有（）。选项：A、增加氧化剂压力B、提高温度C、进行掺杂D、选用合适的氧化方法，例如湿氧氧化正确答案:【增加氧化剂压力#提高温度#进行掺杂#选用合适的氧化方法，例如湿氧氧化】5、问题：二氧化硅厚度的测试方法有（）。选项：A、比色法B、光学干涉法C、椭偏法D、四探针法正确答案:【比色法#光学干涉法#椭偏法】6、问题：氧化层表面的缺陷有（）。选项：A、斑点B、裂纹C、白雾D、层错正确答案:【斑点#裂纹#白雾】7、问题：根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）。选项：A、干氧氧化B、水汽氧化C、湿氧氧化D、掺氯氧化正确答案:【干氧氧化#水汽氧化#湿氧氧化#掺氯氧化】8、问题：桥联氧原子浓度越高，网络的强度越强。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：热氧化反应一般发生在硅和二氧化硅的界面。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：热氧化的速率与晶圆的晶向有关，但与氧化剂压力无关。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】11、问题：掺氯氧化可以减少氧化层错堆垛，吸附钠离子。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：氧化速率随着氧化层厚度的增加（氧化时间的增加）而下降。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：二氧化硅是一种介质材料，具有一定的导电性。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】14、问题：氧化层有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题：利用不同厚度的SiO2膜对白光反射得到不同的干涉色彩的现象可以判断膜厚。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第五章薄膜制备1作业1、问题：热氧化0.6μm氧化层，硅片增厚了（）μm。选项：A、0.264B、0.336C、0.936D、0.864正确答案:【0.336】2、问题：线性速率常数是（）。选项：A、BB、AC、B/AD、A/B正确答案:【B/A】3、问题：氧化层密度排序：干氧湿氧水汽选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：比色法比椭偏法测量精度高。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：在线性阶段，(111)晶向的氧化速率将比(100)晶向稍慢。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第五章薄膜制备2作业1、问题：通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。选项：A、化学气相淀积B、物理气相淀积C、等离子淀积D、热氧化正确答案:【化学气相淀积】2、问题：LPCVD的含义是（）。选项：A、常压化学气相淀积B、低压化学气相淀积C、等离子体化学气相淀积D、光化学气相淀积正确答案:【低压化学气相淀积】3、问题：薄膜的生长包括（）（）（）（）。选项：A、岛生长B、连续成膜C、晶核形成D、桥联正确答案:【岛生长#连续成膜#晶核形成#桥联】4、问题：介质薄膜有（）。选项：A、SiO2B、Si3N4C、SiD、GaAs正确答案:【SiO2#Si3N4】5、问题：薄膜是指某一维尺寸远小于另外两维上尺寸的固体物质。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：薄膜淀积时，衬底不要求是单晶的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：如果hgks，CVD速率对温度特别敏感。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：二氧化硅薄膜只能采用APCVD方法制备。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：如果hgks，CVD速率受质量输运控制。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第五章薄膜制备3作业1、问题：TEOS的中文含义是（）。选项：A、磷硅玻璃B、硼磷硅玻璃C、正硅酸乙酯D、硼酸三甲酯正确答案:【正硅酸乙酯】2、问题：CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。选项：A、硅烷B、二氯硅烷C、TEOSD、氮化硅正确答案:【硅烷】3、问题：金属钨的CVD方法中要用到的气体源是（）。选项：A、SiH4B、WF6C、金属钨D、SiF4正确答案:【WF6】4、问题：以气相形式输运至衬底，在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的外延称为（）。选项：A、气相外延B、液相外延C、固相外延D、分子束外延正确答案:【气相外延】5、问题：氮化硅的CVD制备方法有（）。选项：A、APCVDB、LPCVDC、PECVDD、LCVD正确答案:【LPCVD#PECVD】6、问题：外延层测量电阻率的方法有（）。选项：A、三探针法B、四探针法C、电容-电压法D、层错法正确答案:【三探针法#四探针法#电容-电压法】7、问题：分子束外延能生长极薄外延层，厚度可薄至?量级。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：异质外延存在晶格失配的问题。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：外延时要求衬底必须是单晶的。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：Si3N4可以掩蔽Ga、In、ZnO。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第五章薄膜制备4作业1、问题：通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是（）。选项：A、CVDB、氧化C、蒸镀D、溅射正确答案:【蒸镀】2、问题：1Torr等于（）Pa。。选项：A、133B、760C、1/760D、1.33正确答案:【133】3、问题：蒸镀的方式除了电阻丝加热蒸镀还有（）蒸镀方式。选项：A、MOCVDB、电子束蒸镀C、VPED、MBE正确答案:【电子束蒸镀】4、问题：铝的蒸发温度是1250℃，这时它的平衡蒸汽压是（）Pa。选项：A、1.33B、133C、1torrD、760正确答案:【1.33】5、问题：真空蒸镀成膜的过程是包括：（）。选项：A、吸附B、成核C、连片D、生长正确答案:【吸附#成核#连片#生长】6、问题：真空蒸镀台阶覆盖特性的改善方法有（）。选项：A、衬底加热B、衬底旋转C、衬底支架设计为半球形D、衬底静止正确答案:【衬底加热#衬底旋转#衬底支架设计为半球形】7、问题：下面（）薄膜制备方法是PVD。选项：A、蒸镀B、VPEC、磁控溅射D、MOCVD正确答案:【蒸镀#磁控溅射】8、问题：PVD是物理过程，淀积的薄膜台阶覆盖差，适合淀积金属。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：电离规用于低真空度测量。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：磁控溅射可以提高氩气的离化率，并将二次电子束缚在靶周围的区域，提高溅射的效率。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第六章光刻技术1作业1、问题：传统常规的光刻的光源最主要采用的是（）。选项：A、电子束B、紫外光C、X射线D、红外光正确答案:【紫外光】2、问题：光刻工艺是按照下列（）流程顺序进行操作。选项：A、气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、坚膜、显影、刻蚀、检查B、气相成底膜、软烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、刻蚀、检查C、气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、检查、刻蚀D、气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、检查正确答案:【气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、检查】3、问题：光刻技术中的紫外光源主要包括（）。选项：A、准分子激光B、红外线C、X射线D、汞灯正确答案:【准分子激光#汞灯】4、问题：光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】5、问题：涂胶前处理（加HMDS）是为了去除粘附在硅片表面的尘埃。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第六章光刻技术1测验1、问题：软烘的温度是（）℃。选项：A、60~80B、90~100C、120~140D、150~160正确答案:【90~100】2、问题：气相成底膜的工艺步骤是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脱水烘焙，以下选项排列正确的是（）。选项：A、①②③B、①③②C、②①③D、③①②正确答案:【①③②】3、问题：哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。选项：A、灵敏度B、分辨率C、粘附性D、抗蚀性正确答案:【分辨率】4、问题：哪个是表征光刻胶对光敏感度的性能指标（）。选项：A、灵敏度B、分辨率C、粘附性D、抗蚀性正确答案:【灵敏度】5、问题：涂胶的基本步骤包括：a旋转铺开、b溶剂挥发、c分滴、d旋转甩掉多余的胶，请选出正确的涂胶顺序（）。选项：A、cbadB、cadbC、cdbaD、cdab正确答案:【cadb】6、问题：光刻胶由（）组成。选项：A、树脂B、感光剂C、溶剂D、HMDS正确答案:【树脂#感光剂#溶剂】7、问题：负性光刻后，与掩膜版上图形相同的图形复制到硅片表面。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：涂胶前处理（加HMDS）是为了提高光刻胶粘附力的作用。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：在涂胶工艺中胶的厚度可以通过旋涂的速度来控制。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：软烘的目的是蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使硅片表面的胶固化。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第六章光刻技术2作业1、问题：套准容差大约是关键尺寸的（）。选项：A、1/2B、1/3C、1/4D、1/5正确答案:【1/3】2、问题：已知k=0.6，NA=0.45，λ=193nm，则分辨率R等于（）。选项：A、257nmB、193nmC、145nmD、476nm正确答案:【257nm】3、问题：准分子激光器的材料为KrF时，产生波长是（）nm。选项：A、157B、193C、248D、365正确答案:【248】4、问题：光刻工艺曝光的光源有（）。选项：A、汞灯B、准分子激光C、白炽灯D、日光灯正确答案:【汞灯#准分子激光】5、问题：影响分辨率的参数有（）。选项：A、波长B、数值孔径C、工艺因子D、焦平面正确答案:【波长#数值孔径#工艺因子】6、问题：光学增强技术包括（）。选项：A、PSMB、OPCC、OAID、添加衬线正确答案:【PSM#OPC#OAI#添加衬线】7、问题：数值孔径用来衡量透镜收集衍射光的能力。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：焦深增大会导致分辨率减小。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：接触式光刻机容易导致掩膜版损坏，但可一次完成曝光。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：I线光刻胶曝光后烘焙的目的是提高粘附性并减少驻波。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第七章掺杂技术1作业1、问题：选项：A、图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散B、图（a）、（b）都是限定源扩散C、图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散D、图（a）、（b）都是恒定源扩散正确答案:【图（a）、（b）都是限定源扩散】2、问题：2、扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸____，这是____效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。选项：A、小，横向扩散B、大，场助扩散C、大，横向扩散D、大，氧化增强正确答案:【大，横向扩散】3、问题：方块电阻的测量方法是（）。选项：A、四探针法B、热探针法C、三探针法D、光电导衰减法正确答案:【四探针法】4、问题：替位式扩散的杂质原子一般与硅原子的直径差不多，因此扩散的速度（）。选项：A、较快B、适中C、较慢D、很快正确答案:【较慢】5、问题：方块电阻的单位是（）。选项：A、1/(Ω.cm)B、Ω.cmC、mΩ/□D、Ω/□正确答案:【Ω/□】6、问题：遵循在扩散过程中外界始终提供杂质源，硅片表面浓度恒定规律的扩散方法称之为（）。选项：A、限定源表面扩散B、两步扩散法（包括预扩散和住扩散）C、恒定源表面扩散D、自由式扩散正确答案:【恒定源表面扩散】7、问题：根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为（）。选项：A、填隙式扩散B、替位式扩散C、有限源扩散D、恒定源扩散正确答案:【填隙式扩散#替位式扩散】8、问题：热扩散的条件是（）。选项：A、籽晶B、浓度梯度C、温度D、杂质原子正确答案:【浓度梯度#温度】9、问题：扩散的目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型、电阻率、或形成PN结。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物，这些气体的毒性很大，且易燃易爆，操作上要十分小心。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第七章掺杂技术2作业1、问题：以下关于离子注入优点的选项中，（）的说话是错误的。选项：A、离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。B、注入杂质的纯度高，属于低温工艺C、横向扩散现象很小D、很好的杂质均匀性正确答案:【离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。】2、问题：抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。选项：A、提高离子注入的速度B、衬底的预非晶化处理（破坏表面结晶层）C、偏转注入或倾斜硅片D、在衬底表面制作掩膜氧化薄层（非结晶材料），使入射离子进入硅晶体前无序化正确答案:【衬底的预非晶化处理（破坏表面结晶层）#偏转注入或倾斜硅片#在衬底表面制作掩膜氧化薄层（非结晶材料），使入射离子进入硅晶体前无序化】3、问题：离子注入设备主要包括以下（）组成部分。选项：A、离子源B、加速管C、扫描系统和终端靶室D、吸收电极（即吸极）和质量分析器正确答案:【离子源#加速管#扫描系统和终端靶室#吸收电极（即吸极）和质量分析器】4、问题：离子注入最主要的缺点是（）。选项：A、沟道效应（或通道效应）存在B、高温工艺C、会对晶体结构产生损伤D、离子注入设备复杂且昂贵正确答案:【沟道效应（或通道效应）存在#会对晶体结构产生损伤#离子注入设备复杂且昂贵】5、问题：离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第七章掺杂技术2测验1、问题：能够挑选出唯一需要注入离子的部分是（）。选项：A、离子源B、磁分析器C、聚焦系统D、扫描系统正确答案:【磁分析器】2、问题：磁分析器挑选出来的离子，为了达到所需要的能量，通过要经过（）。选项：A、聚焦系统B、加速器或者加速管C、偏转系统D、扫描系统正确答案:【加速器或者加速管】3、问题：离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为（）。选项：A、投影射程B、离子射程C、横向射程D、标准偏差正确答案:【离子射程】4、问题：空间电荷中和解决了（）问题。选项：A、离子束膨胀B、中性束流陷阱C、硅片充电D、电子碰撞正确答案:【离子束膨胀】5、问题：能够使注入的离子偏转，中性原子被收集的是（）。选项：A、磁分析器B、中性束流陷阱C、加速管D、扫描系统正确答案:【中性束流陷阱】6、问题：离子注入后，杂质的浓度分布基本符合（）。选项：A、抛物线性函数B、高斯函数C、余误差函数D、线性函数正确答案:【高斯函数】7、问题：作为掺杂的几种方式中，适合低温工艺并不受固溶度限制的是（）。选项：A、离子注入B、合金法C、生长法D、扩散正确答案:【离子注入】8、问题：退火的作用是（）。选项：A、抑制鸟嘴效应B、抑制沟道效应C、激活杂质D、修复晶格损伤正确答案:【激活杂质#修复晶格损伤】9、问题：离子注入通过扫描系统时，必须注意硅片表面的充电情况，因为它导致电荷积累，会氧化层发生击穿现象。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高，并且杂质浓度更容易控制。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第八章金属化与平坦作业1、问题：双大马士革工艺中，采用（）代替刻蚀。选项：A、CMPB、CVDC、PVDD、SOG（旋涂膜层）正确答案:【CMP】2、问题：平坦化时，先填充一层牺牲材料，再进行高处刻蚀的方法是（）。选项：A、SOGB、CMPC、高温回流D、反刻正确答案:【反刻】3、问题：采用离心力来填充图形地处，温度比较低，能够获得表面形貌的平滑效果的平坦化技术是（）。选项：A、CMPB、反刻C、SOGD、高温回流正确答案:【SOG】4、问题：下列选项中（）不属于传统平坦化技术范畴。选项：A、反刻B、玻璃回流C、旋涂膜层D、CMP正确答案:【CMP】5、问题：IC采用铝互连系统时，下列（）（）方法可以避免Al-Si的尖楔现象。选项：A、在淀积的铝膜中掺入约1%的Au；B、在淀积的铝膜中掺入约1%的Si；C、在淀积铝之前先淀积一层阻挡层；D、在铝膜表面覆盖Si3N4。正确答案:【在淀积的铝膜中掺入约1%的Si；#在淀积铝之前先淀积一层阻挡层；】6、问题：CMP工艺中，常用的终点检测方法有（）。选项：A、电动机电流终点检测B、显微镜终点检测C、四探针法终点检测D、光学干涉终点检测正确答案:【电动机电流终点检测#光学干涉终点检测】7、问题：反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：CMP后要进行清洗，主要采用去离子水进行冲洗。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：CMP既有机械研磨又有化学作用。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：平坦化就是一种去除表面凹凸，使晶片表面保持平整平坦的工艺。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】阶段考试1（第一章~第三章）1、问题：8英寸硅片的直径大约（）mm。选项：A、450B、300C、200D、150正确答案:【200】2、问题：第一块集成电路（）年发明。选项：A、1946B、1947C、1957D、1958正确答案:【1958】3、问题：过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液简称是（）。选项：A、DHFB、SPM-1C、SC-1D、HPM正确答案:【SC-1】4、问题：1000级的概念是每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于（）个。选项：A、10000B、1000C、100D、10正确答案:【1000】5、问题：下列半导体属于第三代半导体的是（）。选项：A、硅B、锗C、氮化镓D、砷化镓正确答案:【氮化镓】6、问题：掺入P元素的半导体为（）型半导体选项：A、NB、PC、本征半导体D、中性半导体正确答案:【N】7、问题：高效过滤器的英文简称是（）。选项：A、LEPAB、DHFC、MICD、HEPA正确答案:【HEPA】8、问题：体心立方晶胞原子的个数是（）。选项：A、1B、2C、4D、8正确答案:【2】9、问题：当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。选项：A、还原法B、氧化法C、FZ法D、CZ法正确答案:【CZ法】10、问题：工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。选项：A、直拉法B、沉积法C、区熔法D、三氯氢硅的氢还原法正确答案:【三氯氢硅的氢还原法】11、问题：尘埃的测量方法有（）。选项：A、重量法B、过滤法C、四探针法D、计数法正确答案:【重量法#过滤法#计数法】12、问题：从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是（）。选项：A、111B、110C、100D、000正确答案:【111#110#100】13、问题：最常用的形成N型半导体的杂质有（）。选项：A、SbB、BC、AsD、P正确答案:【Sb#As#P】14、问题：多晶硅变成单晶硅需要具备以下（）条件。选项：A、要有排列标准B、低温环境C、原子具有一定的动能，以便重新排列D、排列好的原子能稳定下来正确答案:【要有排列标准#原子具有一定的动能，以便重新排列#排列好的原子能稳定下来】15、问题：单晶硅的单参数测试包括（）。选项：A、导电类型B、少子寿命C、载流子迁移率D、电阻率正确答案:【导电类型#少子寿命#载流子迁移率#电阻率】16、问题：微电子是研究电子在半导体和集成电路中的物理现象、物理规律及其应用的学科。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题：CD(CriticalDimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸，是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】18、问题：乱流洁净室比单向流洁净室洁净度高。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】19、问题：由于电子的有效质量小于空穴的有效质量，因而电子的迁移率比空穴的小。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】20、问题：单晶生长过程中使用到的籽晶的作用是作为排列的标准。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】阶段测验21、问题：MOS的中文含义是（）。选项：A、硅衬底B、多晶硅C、双极型D、金属氧化物半导体正确答案:【金属氧化物半导体】2、问题：LDD的中文含义是（）。选项：A、轻掺杂源漏B、局部场氧化C、浅沟槽隔离D、侧墙掩蔽正确答案:【轻掺杂源漏】3、问题：要产生1000埃厚度的二氧化硅，需要消耗（）厚度的硅。选项：A、1000埃B、440埃C、560埃D、2200埃正确答案:【440埃】4、问题：以下（）选项不属于掺氯氧化的功能。选项：A、界面处的氯能降低固定氧化物电荷B、界面处的氯对Na+俘获和中性化C、氧化速率比在纯氧中低D、掺氯氧化能抑制氧化层错正确答案:【氧化速率比在纯氧中低】5、问题：下面氧化方式中（）氧化方式的氧化速率最快。选项：A、干氧氧化B、湿氧氧化C、低压氧化D、水汽氧化正确答案:【水汽氧化】6、问题：热氧化法生成二氧化硅线性速率常数是（）。选项：A、BB、AC、B/AD、A/B正确答案:【B/A】7、问题：通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。选项：A、化学气相淀积B、物理气相淀积C、等离子淀积D、热氧化正确答案:【化学气相淀积】8、问题：CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。选项：A、硅烷B、二氯硅烷C、TEOSD、氮化硅正确答案:【硅烷】9、问题：PECVD的含义是（）。选项：A、低压化学气相淀积B、常压化学气相淀积C、等离子体增强化学气相淀积D、光化学气相淀积正确答案:【等离子体增强化学气相淀积】10、问题：以气相形式输运至衬底，在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的外延称为（）。选项：A、气相外延B、液相外延C、分子束外延D、固相外延正确答案:【气相外延】11、问题：增加热氧化速率的方法有（）。选项：A、增加氧化剂压力B、提高温度C、进行掺杂D、选用合适的氧化方法，例如湿氧氧化正确答案:【增加氧化剂压力#提高温度#进行掺杂#选用合适的氧化方法，例如湿氧氧化】12、问题：双极型集成电路制造过程中包括（）等基本工艺。选项：A、氧化B、扩散C、光刻D、掺杂正确答案:【氧化#扩散#光刻#掺杂】13、问题：氧化层表面的缺陷有哪些？选项：A、斑点B、裂纹C、层错D、白雾正确答案:【斑点#裂纹#白雾】14、问题：外延层厚度的测量方法有（）。选项：A、称重法B、层错法C、磨角法D、红外干涉法正确答案:【称重法#层错法#磨角法#红外干涉法】15、问题：可用于制备二氧化硅薄膜的CVD方法有哪些？选项：A、APCVDB、LPCVDC、LCVDD、PECVD正确答案:【APCVD#LPCVD#PECVD】16、问题：阱是在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相同的区域。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】17、问题：局部场氧化工艺的缺陷是在氮化硅下面的氧化物生长形成鸟嘴形状。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】18、问题：热氧化反应一般发生在硅和二氧化硅的界面。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】19、问题：薄膜淀积时，衬底必须是单晶的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】20、问题：如果hgks，CVD速率受质量输运控制。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】阶段考试31、问题：通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就