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文档简介

晶体二极管二极管的结构和电路符号如图：晶体二极管＋－一、二极管的伏安特性曲线

二极管的伏安特性与PN结的伏安特性很接近，仅在于阴线的接触电阻、P区的体电阻和Ｎ区的体电阻以及表面漏电流造成二者稍有差异。ＰN结的结电容：Cj=CT+CD

当外加电压变化量为Δu时，电子和空穴的浓度变化如图中实线所示，引起的电子和空穴的变换量分别为ΔQp和ΔQn，从而在N区和Ｐ区存储的总电荷为ΔQ＝

ΔQp＋ΔQn，用扩散电容ＣＤ表示这种电容效应。正偏时以CD为主，Cj≈CD

，其值通常为几十至几百pF；反偏时以CT为主，Cj≈CT，其值通常为几至几十pF。

一般用ＰＮ结的电流方程描述二极管的伏安特性：击穿Is：反向饱和电流，取决于半导体材料、制作工艺和温度等。室温下为２６ｍＶ导通电压UD(on)

：正向电压小于导通电压，正向电流很小，当超过时，正向电流明显变化。室温下，硅管UD(on)=(0.5~0.6)V，锗管UD(on)=(0.1~0.2)V。正偏二极管在小电流时，电流与电压为指数关系，电流较大时，P区、N区体电阻和引线接触电阻的作用增强，电流、电压近似呈线性关系。反偏时，对小功率管，未击穿时反向电流仍很小，硅管一般小于，锗管小于几十微安，可近似认为零。１、二极管的导通、截止与击穿二极管对直流和低频信号有很好的单向性。２、二极管的管压降＋＋－－电路伏安特性曲线负载线伏安特性曲线电路负载特性

导通时二极管的伏安特性近似垂直，因此认为二极管的压降为二极管的导通电压。

３二极管的电阻：直流电阻和交流电阻1）直流电阻RD

RD：二极管端直流电压UD与流过的直流电流ID之比

正向的RD随工作电流增大而减小。二极管的直流电阻RD不同的Q点具有不同的直流电阻RD。RD的几何意义：Q(ID,UD)点到原点直线斜率的倒数。2）交流电阻rDrD：Q点的电压与电流的微变量之比交流电阻rD与工作电流IDQ成反比，并与温度有关。由二极管的电流方程有：

rD的几何意义：Q(IDQ,UDQ)点处切线斜率的倒数。交流电阻rD

结论：二极管伏安特性是非线性，交、直流电阻均是非线性电阻，即特性曲线上不同点处的交、直流电阻不同，同一点处交流和直流电阻也不相同。当二极管的端电压为u=UDQ+Δu，其电流iD室温下(T=300K):

二、温度对二极管伏安特性的影响测试结果：温度每升高1℃，UD(on)减小约。

测试结果：温度每升高10℃，反向饱和电流IS增大一倍。如果温度为T1时，IS=IS1；温度为T2时，IS=IS2，则T↗本征激发↗少子浓度↗IS↗热电压UT↗↗综合：T↑，反向饱和电流IS作用明显，总体正向电流增加。温度升高，雪崩击穿电压增加，而齐纳击穿电压下降。

二极管是一种非线性电阻(导)元件，在大信号工作时，其非线性主要表现为单向导电性，而导通后所呈现的非线性往往是次要的。

三、晶体二极

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