IC工艺原理习题

第一章外延思考题

1.外延是______________________________________________________________________

2.名词解释：

同质结外延，异质结外延正外延，反外延SOS,SOI结构软误差，

3.埋层外延中的图形漂移与滑移原因及解决办法。

4.分析外延中的自掺杂效应，讨论解决办法。

5.分析外延中的可能产生的几种缺陷，讨论解决办法。

6.总结影响外延生长速率的几种因素，如何提高外延层质量。

7.根据两种硅气相外延的原理，比较两种硅气相外延的特点。

8.外延技术在双极及MOS电路的主要用途

第二章氧化工艺

10001.根据硅和二氧化硅的密度和分子量，说明生长厚度为xo的氧化层，计算要消耗厚度为一

X。的硅层，二氧化硅的密度用2.27g/cnR硅的密度用2.33g/cn】3,硅的原子量为28,氧的原子量为

16。

选择题

10002.氧化层厚度和氧化时间的关系式为x0="：广汇11,诗化简，当氧化时间很短

2IVA2/4BJ

时，即“+r)«K/4『,则Xo=

A.—(z+r)B.18(f+7)C.—(z+r)D.2^B(f+r)

10004.氧化层厚度和氧化时间的关系式为+当氧化时间很短时，即

2HA2/48)

(z+r)«A2/4B,它属于()

A.表面反应控制B.扩散控制

10006在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要

的时间最长？()

A.干氧B.湿氧C.水汽氧化

10008.二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些______

1.杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数

2.杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数

3.二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度

4.二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度

A.2,4B.1,3C.1,4D.2,3

10010.半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于()

A.结晶形二氧化硅B.无定形二氧化硅

10011.二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有：()

1.对杂质的掩蔽作用

2.对器件表面的保护和钝化作用

3.用于器件的电绝缘和电隔离

4.作为电容器的介质材料

5.作为MOS场效应晶体管的绝缘棚材料

A.1,2B.1,2,3C.12,4,5D.1,2,345

10012.扩散系数与下列哪些因素一定成增函数关系（）

1杂质的浓度梯度2温度

3扩散过程的激活能4杂质的迁移率A.L2B.2.3C.2,4D.1,4

10013.硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于A.代位式扩散B.间隙式扩散

填空题：

20001.在硅■二氧化硅系统中存在______电荷、可动电荷、界面态电荷和氧,化层陷阱电荷。

20006.温度是影响氧化速率的一个重要因素，温度越高，氧化速率越_____（大〃J、）。

20008.在一定的氧化条件下，通过改变氧化剂分压可以改变氧化层生长速率，氧化剂分压越一

（大/小），生长速率越慢。

20016.清洗硅片所用的化学试剂、去离子水和生产工具、操作者的汗液及呼出的气体等是氧化层

中的一离子的来源。

20017.在用干涉法测量氧化层厚度时，光的波长为5400人暗条纹数为6条，则氧化层厚度为

30001.某MOS管在1100℃下，用干氧制备栅氧化膜，时间为30min,A=0.09/m,B=4.5X

10““"2/mE"=4.56min,计算所生成的栅氧化层厚度_______“力（保留两位有效数字）

30002.氧化温度为1200℃,要求氧化层厚度为500nm，试求湿氧（水温95℃）需要min（只保留

整数），已知A=0.05pm,B=1.2X102/zrz72/min,r=0o

30003.氧化温度为1200℃,要求氧化层厚度为500nm,试求干氧需要—min（只保留整数），己知

干氧A=0.04jLon,B=7.5X104/#772/min,r=1.62miiio

30004.氧化温度为1200C,要求氧化层厚度为500nm，试求水汽氧化需要—min（只保留整数），

已知干氧A=0.017pon,B=1.457Xr=0o

30005.氧化温度为1100℃,先干氧lOmin,再湿氯40min（T.95℃）,再干氟lOmin.求总的氧化层

厚度—即。（答案保留两位有效数字）

42

己知：干氧A=0.09B=4.5X10/zr77/min,c=4.56min3

22

湿氧A=0.11/.on,B=0.85XIO/ZF/?/min,r=0mino

30006.已知3DK.i开关管硼预淀积的温度为950C,淀积时间共11分钟;硼再分布温度为1180℃,

时间共40分钟。在扩散过程中，对硼起掩蔽作用所需最小SiO?层厚度为（）Ao（只保留整数）

（预淀积扩散系数为1017厘米2/秒,H80℃下,扩散系数为4X1045厘米2/秒）

30007.3DL开关管，基区硼扩散温度为1180C,（硼的扩散系数为4XIO】、厘米?/秒），时间为40

分钟，发射区磷扩散温度为I050C（硼的扩散系数为3X10/6厘米2/秒），

时间为25分钟，因此，在基区硼扩散和发射区磷扩散过程中，对硼起掩蔽作用的最小SiO2层厚

度为（）区。（只保留整数）

30009.某双极型晶体管制备SiCh膜时，先在1000C下湿氧（T水=95C）氧化60min,后来乂在

1200°C用湿氧（T产95℃）氧化60min,求出两次氧化后所生成的氧化层总厚度（）入。（只保留

整数）。己知：

1OOO'C湿氧A=0.226"77,B=0.48X102jjm2/min。r=0

1200℃湿氧A=0.050"〃,B=1.2X10，〃〃2/min。r=0

30010.某•硅片上面已覆盖有0.2厚的SiCh层，现需要在1200C下用干氧氧化法再生长

0.1厚的氧化层，问干氧氧化的时间是（）min.已知：

干氧A=0.04〃〃,B=7.5X10u/#772/min,r=l.62min＜）

第三章扩散工艺

10012.扩散系数与下列哪些因素一定成增函数关系（）:1杂质的浓度梯度2温度3

扩散过程的激活能4杂质的迁移率.

A.1,2B.2,3C.2,4D.1,4

10013.硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于

A.代位式扩散B.间隙式扩散

10014.下面哪个方程是扩散方程（）j=-D7NB.j=D・NN

//（x,i）籽N（x,R

C・-----------=-D-------------------=D------；---

次为2次&2

10015.以F过程不属于恒定表面源扩散的有（工隐埋扩散B.隔离扩散的硼预淀积C.基

区扩散的硼预淀积D.基区主扩散

10016.下面选项属于预扩散狗作用有（）。

A.调节表面浓度B.控制进入硅表面内部的杂质总量C.控制结深

10017.下面选项属于主扩散的作用有（）。

I.调节表面浓度2.控制进入硅表面内部的杂质总量3.控制结深

A.1D.2C.3D,1,3

10（）18.以下说法错误的是：（）

A.扩散是微观粒子的一种热运动方式，运动结果使浓度分布趋于均匀。

B.间隙式杂质从一个间隙到相邻位置的运动称为间隙式扩散。

C.以间隙形式存在于硅中的杂质，主要是那些半径较小的杂质原子。皆位式扩散就是替位杂质和近邻晶格位

置上的原子互换。

1（）019.下面哪个条件不属于恒定表面源扩散（）

A.N（0,t）=Ns=Q

C.N（8j）=0D.N（xfi）=0,x>0

10020.预扩散是在较—温度下（与主扩散相比），采用—扩散方式，在硅片表面扩散一层数

量一定，按形式分布的杂质。（）

A.高、恒定表面源、余误差函数B.高、有限表面源、高斯函数

C.低、恒定表面源、余误差函数D.高、有限表面源、余误差函数

10021.下面对扩散层薄层电阻的说法错误的是（）

A.薄层电阻就是表面为正方形、厚度为Xj的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻

B.Rs=p/3,夕就是扩散表面杂质的电阻率。

C.扩散层薄层电阻反映了扩散到半导体内部的杂质总量。

D.扩散层薄层电阻Rs仅与扩散层厚度和平均电阻率有关。

10022.以下说法错误的是（）

A.采用恒定表面源扩散可以比较准确地控制扩入硅片表面的杂质总量和获得高的表面浓度。

B.采用恒定表面源扩散可以获得任意控制的表面浓度。

C.有限表面源扩散的杂质分布为

QX1

N（x,t）=,——exp（---------），在扩散过程中Q为常量。

y//iDi4Di

D.有限表面源扩散，当温度保持恒定，随着扩散时间的增加，杂质扩散深度增大，表面杂质浓度不断卜.降。

10023.结深表达式可统一写成：Xj=A历，对于恒定表面源扩散，A=（）

（%，哨

10024.结深表达式可统一写成：Xj=AyfDt,

对于有限表面源扩散，A=（）A.2erfcl（Ny^B.2（ln组）

10025.如果用脚码“1”表示预扩散有关参数，用脚码“2”表示主扩散有关参数，则当Dg»D2t2

时，杂质分布为：（）

A.高斯分布B.余误差分布C.Smith分布

10026.如果用脚码“1”表示预扩散有关参数，用脚码“2”表示主扩散有关参数，则当DMVVD2I2

时，杂质分布为：（）

A.高斯分布B.余误差分布C.Smilh分布

填空题：

2（X）18.扩散只用于浅结扩散（对/错）

20019.扩散法与合金法相比，它重复性好，均匀性好，适合大量、成批的连续生产—（对/

错）。

20020.扩散多在_（高/低）温下进行.

20021.杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构:

式扩散和间隙式扩散。

20022.杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构:代位

式扩散和式扩散。

20023.恒定表面源扩散的杂质分布服从分布。

2024.有限表面源扩散的杂质分布服从分布。

20025.恒定表面源扩散表面浓度Ns的值主要与不同杂质在硅内的—有关

2026.占据晶格间隙的杂质称为—式杂质。

2027.占据晶格位置的外来原子称为式杂质。

X

20028.恒定表面源扩散的杂质分布为N（x,i）=Ns•/%（1=），其中Ns近似为扩散杂质在扩

2折

散温度卜的固溶度，因此可以通过改变温度来达到控制硅片表面浓度Ns的目的。这种说法

（对/错）。

20029.结深的测量方法有法、磨槽法、光干涉法

20030.结深的测量方法有磨角法、一法、光干涉法。

20031.结深的测量方法有磨角法、磨槽法、法。

计算题

30006.已知3D&开关管硼预淀积的温度为950C,淀积时间共11分钟;硼再分布温度为1180℃,

时间共40分钟。在扩散过程中，对硼起掩蔽作用所需最小SiOz层厚度为（）Ao（只保留整数）

（预淀积扩散系数为102厘米2/秒，1180℃下，扩散系数为4X10/5厘米2/秒）

30007.某npn硅晶体管在1200C下进行基区氧化，氧化过程为:15min干氧+45min湿氧

（TH20=95℃）+I5min干氧，求所生成的SiCh层厚度1）A.（只保留整数）（己知：干氧

A=0.04/#n,B=7.5XIO_4r=1.62min。湿氧A=O.O5pun,B=1.2X10'2/#M2/min.）

3OOO8.某npn硅晶体管在1200C下进行基区氧化，氧化过程为：

15min干氧+45min湿氧（TH2O=95℃）+15min干氯，求所生成的SiO2层厚度（）人。（只保留整

数）（已知:干氧A=0.04fj）n,B=7.5X1042/min,r=1.62min.湿氧A=0.05刖,B=I.2X

102/#772/min.）

30009.某双极型晶体管制备SiCh膜时，先在1000℃下湿氧（T水=95℃）氧化60min,后来又在

1200℃用湿氧（T水=95℃）氧化60min.求出两次氧化后所生成的氧化层总厚度（）区。（只保留

整数）,已知：lOOOr湿氧A=0.226jinn,R=0.48XI02/z^??2/min«r=0,1200℃湿氧

A=0.050X#7?.B=1.2XIO。r=0,

30010.某一硅片上面己覆盖有0.2〃m厚的SiCh层，现需要在1200C下用干氧氧化法再生长

0.1厚的氧化层，问干氧氧化的时间是（）min.已知：干氧A=0.04"〃.B=7.5X1（尸4〃=min,

r=1,62mirio

30011.已知N-Si衬底NE=10，m-3,在1150℃作硼再分布扩散后测得Xj=2.5um,Ns=2X

10l9cnr3,D=6X1013cm2/s由NS/NB求得A=6.3,求扩散时间l=min.（只保留整数部分）

30012.已知N-Si衬底NB=10%II-3,硼预扩散温度为ioooC,D=2X10“4cm2«,时间为20而小Ns=4

XIO2Ocm-3,由NS/NB求得A=65求通过单位表面积扩散到硅片内部得杂质总量Q=X

1O'匕］了.（答案保留二位有效数字）

30013.已知N-Si衬底NB=10i5cm"硼预扩散温度为1000℃,D=2X10l4cm2/s,时间为20min,Ns=4

X10205-3,由NS/NB求得A=6.5,求结深为Um（答案保留两位有效数字）

30014.某数字集成电路的埋层采用睇源箱法扩散，扩散温度为1200℃,扩散时间为2小时，试

求n+埋层的厚度为umo已知Ns=6.4X1019cmVNB=2X1015cm，，D=3X

1O/3cm2/s,erfc-i（3.125X10-5）=2.9.

30015.某数字集成电路的埋层采用睇源箱法扩散，扩散温度为I200C,扩散时间为1.5小时，试

求n+埋层的平均杂质浓度______X10,9cnr\（答案保留三位有效数字）已知Ns=6.4X

1019cm3,NB=2X1015cm3,D=3X10lW/s,erfcl（3.125Xl（P）=2.9.

30016.某硅晶体管基区硼预症积的温度为950C,衬底NB=2X|015cm7要求预淀积后依力块电

阻为80。/口，试确定预淀积所需要的时间为min.（答案只保留整数）已知了=660（Q-cm）

Ns=4X1020cnr3,erfc-'（2.5X105）=2.95,D=5X10l5cnr/s.

30017.某集成电路采用的n型外延层衬底浓度为NB=2X|（）i6cm-3,晶体管基区硼预淀积的温度为

950℃,时间为10min,Nsi=4XlO^cm^DQXN%m2/s,erfc«5X10*=2.89,再分布的温度为

1180r,D2=lX10%m2/s.试求再分布后的结深为____口川。（答案保留三位有效数字）

30018.某集成电路采用的n型外延层衬底浓度为NB=2X10/m-3,晶体管基区硼预淀积的温度为

20152

950℃,时间为10min,NSi=4X10cm\Di=5X10'cm/s,erfc«5X10可=2.89,再分布的温度为

1180℃,D2=1X1O42cm2/s.试求再分布后的表面浓度为____X10l8cnf\（保留三位有效数字）

30019.己知N-Si衬底NE=2X10%［江3,在1150℃作硼再分布扩散后测得Xj=2.5um,Ns=3X

10l9cnr3,D=6X10/33宿限求扩散时间t=min.（只保留整数部分）

第四章离子注入工艺

10045.离子注入掺杂纯度高，是因为（）.

,A.杂质源的纯度高B.注入离子是通过质最分析器选出来的

10046.离子注入与热扩散相比，哪个要求温度低（）

A.离子注入B.热扩散

10047.离子注入与热扩散相比,哪个掺杂纯度高（）

A.离子注入B.热扩散

KXJ48.离子注入与热扩散相比,哪个高浓度掺杂不受

固溶度限制（）

A.离子注入B.热扩散

10049.离子注入与热扩散相比,哪个掺杂均匀性好()

A.离子注入B.热扩散

10050.离子注入与热扩散相比,哪个可精确控制

掺杂浓度，分布和注入深度（）

A.A.离子注入B.热扩散

10051.离子注入与热扩散相比,哪个横向效应小（)

A.离子注入B.热扩散

10052.离子注入与热扩散相比,哪个只用于浅结（)

A.离子注入B.热扩散

10054.减弱或消除沟道现象的措施有：（）

1.提高样品温度2.降低样品温度

3.增大注入剂量4.减小注入剂量

A.1,2B.1,3C.2,3D.2,4

10055.减弱或消除沟道现象的措施有：（）

I.入射方向偏离沟道轴向2.入射方向平行沟道轴向

3.样品表面淀积一层二氧化硅4.样品表面淀积一层氮亿硅

A.1,3B.2,3C.1,3,4D.2,3,4

10056.离子注入所造成的品格损伤会直接影响半导体材料

和器件的特性，主要影响有（）

1.载流子迁移率上升2.载沆子迁移率下降

3.少子寿命下降4.少子寿命上升

A.l,3B.1,4C.2,3D.2,4

10057.离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料

和器件的特性，主要影响有（）

1.PN结反向漏电流增大2.载流子迁移率下降

3.少子寿命下降4.杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能

A.2,3B,1,2,4C.2,3,4D.1,2,3,4

20039.离子注入时，消除沟道现象的措施有：

注入角—（大于/小于）临界角（8度左右）。

20040.入射离子的两种能量根失模型为：碰撞和电子碰撞。

20041.入射离子的两种能量损失模型为：核碰撞和碰撞。

20042.进入靶内的离子，通过____把能量传递给靶原子核及其电子，不断的损失能量，最后停

止在靶内某一位置。

30020.已知n型硅外延层的电阻率为0.5Q♦cm,现用硼离子注入法形成基区，其能量为60kev,

若注入剂量为1XlOi'cmU试求注入的峰值浓度为XIOl9cm-3,已知Rp=233.7nm,A

Rp=75.2nm（答案保留两位有效数字）

30021.已知n型硅外延层的电阻率为0.5Q-cm,现用硼离子注入法形成基区，其能量为4（）kev,

若注入剂量为2X10/m-2,试求注入的峰值浓度为X102°cnr3己知Rp=156.6nm,

ARp=58.0nm（答案保留三位有效数字）

30022.己知n型硅外延层的电阻率为0.5。・cm,现用硼离子注入法形成基区，其能量为80kev,

若注入剂量为1.5XlO/m-T式求注入的峰值浓度为X1019cm4已知Rp=308.1nm,

ARp=88.9nm（答案保留三位有效数字）

30023.已知n型硅外延层的电阻率为0.5Q-cm,现用硼离子注入法形成基区，其能量为80kev,

若注入剂量为1.5X10/1］产,：式求结深为X105cm.已知Rp=3O8.1nm,

163

ARp=88.9nm,NB=10cm-（答案保留三位有效数字）

30024.已知n型硅外延层的电阻率为0.5Q.cm,现用硼离子注入法形成基区，其能量为40kev,

若注入剂量为2X1015cm-2,试求结深为X105cm.已知Rp=156.6nm,

ARp=58.0nm,Ni）=1016cm-3（答案保留两位有效数字）

30025.已知n型硅外延层的电阻率为0.5。・cm,现用硼离子注入法形成基区，其能量为60kev,

若注入剂量为1X1015cm工,试求结深为X10-5cm.已知Rp=233.7nm,

l63

ARp=75.2nm,NB=10cm-（答案保留三位有效数字）

30026.已知n型硅外延层的电阻率为0.5。・cm,现用硼离子注入法形成基区，其能量为60kev,

若注入剂量为1X1015cm-2,试求注入离子的平均浓度为x1019cm-3已知Rp=233.7nm,

163

ARp=75.2nm,NB=I0cm-（答案保留三位有效数字）

30027.已知n型硅外延层的电阻率为0.5Q-cm,现用硼离子注入法形成基区，其能量为40kev,

若注入剂量为2X1015cm々试求注入离子的平均浓度为x1019cm?已知Rp=l56.6nm,

ARp=58.0nm,NB=1（答案保留两位有效数字）

30028.已知n型硅外延层的电阻率为0.5Q-cm,现用硼离子注入法形成基区，其能量为80kev,

若注入剂量为1.5X试求注入离子的平均浓度为X10l9cm'3已知Rp=308.1nm,A

Rp=88.9nm,NB=10Wm-3（答案保留三位有效数字）

第五章CVD（化学气相淀积）

10028.化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，

下面哪些说法是正确的：（）

1.CVDSiO2,衬底硅不参加反应。2.CVDSiCh,衬底硅参加反应。3.CVDSiO2,温度高。4.CVD

SiCh，温度低。

A.1,3B.1,4C.2,4D.2,3

10030.化学气相淀枳SiO2与热生长SiCh相比较，

下面哪些说法是正确的：（）

1.热生长SiO?只能在Si衬底上生长。2.CVDSiCh可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶

瓷、及其它半导体材料上，3.CVDS1O2，衬底硅不参加反应。4.CVDSiO2,温度低。

A.1,2B.2,4C.1,4D.1,2,4E.1,2,3,4

10（）3LSiN4薄膜在集成电路中的应用主要有：A.钝化膜B.选择氧化C.电容介质

由于氮化硅氧化速率极低，因此被用作（）的掩蔽膜。

l（）032.SiN4薄膜在集成电路中的应用主要有：A.钝化膜B.选择氧化C.电容介质

由于水和钠离子在氮化硅膜中扩散系数很小，所以常被用作（）

10033.SiNj薄膜在集成电路中的应用主要有：A.钝化膜B.选择氧化C.电容介质

由于氮化硅膜介电常数大，所以被用作（）

10034.LPCVD淀积过程中主要控制参数有：（）

1.压力2.温度3.温度梯度4.反应气体浓度5.反应气体比例

A.1、2B.1、2、4C.2、3、4D.1、2、3、4、5

10035.以下反应方程式不属于LPCVD淀积Si3N4的是：（）

A.3SiH4+4NH3<——>5174+12%B.3SiH2C12+4NH3<——>Si3N4+6HCl+6H2

C.3SiCl4+4NH^——>Si3N4+12HClD.3SiH4+2N2<——>S13N4+6H2

10036.LPCVD淀积多晶硅常用温度为60（）-650℃,采用热分解法，反应方程式为：（）

A.SiCl.!------->Si+2ChB.SiH4------->Si+2H2

C.Si3N4»3Si+2N2D.SiH2cbSi+Cl2+H2

1OO37.LPCVD淀积过程中气相淀积，P型常用（)A.PH3B.ASH3C.B2H6

10038.LPCVD与APCVD相比,哪个均匀性好（)A.LPCVDB.APCVD

10039.LPCVD与APCVD相比,哪个投片量大（)A.LPCVDB.APCVD

10040.LPCVD与APCVD相比,哪个成本低（）A.LPCVDB.APCVD

10041.LPCVD与APCVD相比,哪个温度低（）A.LPCVDB.APCVD

10042.PECVD淀积氮化硅反应方程式为：（）

1.SiH4+NH3------>SiNH+3H22.3SiH4+4NH3<——>Si3N4+12H2

3.3SiH4+2N2------►S13N4+6H24.SiH4+N<——>2SiNH+3H2

A.2,3B.1C.1,4D2

10043.PECVD淀积氮化硅薄谟的性质与具体条件关系

密切，许多参量都会影响其性质，如：（）1.工作频率2.功率3.压力4.温度

A.3,4B.2,3,4C1,3,4D.1,2,3,4

10044.PECVD淀积氮化硅薄膜的性质与具体条件关系密切，许多参量都会影响其性质，如：（）

I.反应气体压力2.反应器几何形状3.电极空间4.电极材料5.抽速

A.1,2D.2,3,4C1,2,3,4D.1,2,3,4,5

填空题

20032.在LPCVD中，由于上G»ks,即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系

统中，淀积过程主要是质量转移控制（对/错）

20033.在LPCVD中，由于k»ks,即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系

统中，淀积过程主要是表面反应速率控制（对/错）

20034.LPCVD淀积多晶硅，其掺杂方法有三种：CVD法、法和离子注入法。

2OO35.LPCVD淀积多晶硅，其掺杂方法有三种：CVD法、扩散法和法。

20036.气相掺杂将影响多晶龄的淀积速率，如与不掺杂多晶硅相比，掺As约减少7倍，掺P约

减少2.5倍，掺B提面2倍，原因是这些杂质在表面的吸附，起着抑制或促进SiH4分解反应的作

用。这句话（正确/错误）

20037.LPCVD淀积Si6采用正硅酸乙酯［Si（OC2H5）4,（TEOS）］,热分解法,用6作稀释气

体，并通入一定量的N?,反应式为：

Si（OC2H5）4+1202-SiO2|+10H2O+8CO2|

这句话（正确/错误）

20038.LPCVDSig的淀积温度为800-850℃,温度偏高，不适用于多层布线的绝缘介质膜及金属

化后的表面钝化膜可用CVD淀积SiN.i作绝缘介质膜和钝化膜。

第六章光亥人•第七章刻蚀

10061.不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：1.刻蚀2.前烘3.显影4.去

胶5.涂胶6.曝光7.坚膜.以下选项排列正确的是：（）

A.2561437B.5263471C.5263741D.5263714

10062.以下关于正胶的说法错误的是（）

A.分辨率高B.抗干法腐蚀能力和抗热处理能力强

B.粘附性好D.