集成电路制造工艺 课件 7.2 单晶硅的质量检验_第1页
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集成电路制造工艺

--硅单晶的制备单位：江苏信息职业技术学院微电子教研室第七章衬底制备硅单晶的制备硅单晶的质量检验硅圆片的制备本章要点第七章衬底制备硅单晶的制备硅单晶的质量检验硅圆片的制备本章要点§7.2硅单晶的质量检验单晶锭拉完以后，主要从以下几个方面进行质量检验：物理性能是否单晶晶向直径电气参数导电类型电阻率少子寿命载流子迁移率缺陷位错微缺陷（1）对光的反射单晶对光线反射均匀，表面光滑，色泽一致多晶是由多个小单晶构成，两个单晶体相交地方，有反射光线，色泽不一致（2）棱线单晶结构对称，有规则的棱线多晶的棱线不规则，不明显一.物理性能的检验1.单晶体的检验：2.晶向的测定：三根或六根：（111）晶向四根或八根：

(100）晶向六根不对称：（110）晶向（2）位错腐蚀法：（1）根据棱线的数目判定晶向：原理：位错处原子排列不规则，所以位错处原子首先被腐蚀，不同的晶向，腐蚀坑的形状不同，所以可以根据腐蚀坑的形状判定晶向。腐蚀液：铬酸腐蚀液HF（48%）：铬酸溶液（5克分子浓度）=1：1结论：（111）晶向（100）晶向（110）晶向位错腐蚀法还可以测试硅单晶中的缺陷（1）热探针法原理：利用半导体温差电动势的效应I：电阻丝使AB探针产生热量，在探针A端半导体由于受热产生非平衡载流子II：金半接触产生整流结，产生的非平衡少子被扫入探针中III：从A点到D点存在一个多子的浓度梯度，于是多子就由热端向冷端运动，形成电位差IV：由光点检流计的偏转方向即可判定导电类型（2）霍尔法：原理：利用半导体的霍尔效应（一般了解）+-ADBCG1.导电类型的测量二.电气参数的检验2.电阻率的测量----四探针法测量原理：样品为半无限大样品，在1，4探针中通电流，2，3探针测出半导体的电压，根据电阻率ρ～f(V2,3,I1,4)的公式可算出电阻率Ρ=2πsV2,3/I1,4G电位差计1234GS少子寿命----少数载流子从非平衡状态恢复到平衡状态的时间就

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