DB42-T 2034.1-2023 猕猴桃苗木繁育技术规程 第1部分：美味猕猴桃砧木苗组培快繁技术

ICS01.040.65CCSB00/09DB42湖北省市场监督管理局发布IDB42/T2034.1—2023前言 V 12规范性引用文件 13术语和定义 14外植体准备 15初代培养 16继代培养 27生根培养 28组培苗移植 29穴盘苗出圃规格 310生产档案 3DB42/T2034.1—2023本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件DB42/T2034《猕猴桃苗木繁育技术规程》的第1部分。DB42/T2034已经发布了以下部分：——第1部分：美味猕猴桃砧木苗组培快繁技术。本文件由武汉市农业科学院提出。本文件由湖北省农业农村厅归口。本文件起草单位：武汉市农业科学院、武汉维尔福生物科技股份有限公司。本文件主要起草人：张鸿、戢小梅、陈志伟、乐有章、赵志远、李秀丽、王燕、翟敬华、杜迎军、徐刚建。本文件实施应用中的疑问，可咨询湖北省农业农村厅，联系电话邮箱：hbsnab@126.com；对本文件的有关修改意见建议请反馈至武汉市农业科学院林业果树研究所，电话邮箱：zhred9872@163.com。DB42/T2034.1—2023V引言猕猴桃种植效益高，对提高农民收入、促进乡村振兴上扮演重要的角色。新果园修建、老果园改造对湖北省猕猴桃种苗数量和质量提出了艰巨的挑战。因此，制定《猕猴桃苗木繁育技术规程》具有必要性和可行性。制定该标准的意义在于构建猕猴桃苗木繁育的技术标准体系，提升我省的苗木水平，从而推动猕猴桃产业高质量发展。该文件不同部分的划分和技术规程的确立，主要依据繁殖方式、不同分类、嫁接方式、培育方式等技术特点，亦便于该文件各部分的单独使用。《猕猴桃苗木繁育技术规程》拟由6部分构成。——第1部分：美味猕猴桃砧木苗组培快繁技术。根据美味猕猴桃诱导、继代、生根等组培快繁技术特点，对其繁殖技术进行规范。——第2部分：播种育苗。根据美味猕猴桃破眠、播种、育苗、肥水管理等技术特点，对其繁殖方式进行规范。——第3部分：容器育苗。根据猕猴桃苗木对容器类型、规格、基质选择及肥水管理等容器育苗技术特点，对其育苗方式进行规范。——第4部分：扦插。根据对萼猕猴桃对激素、管理等扦插技术特点，对其繁殖技术进行规范。——第5部分：组培苗微嫁接。根据猕猴桃对苗木选择、嫁接方式、管理方式等微嫁接技术特点，对其繁殖方式进行规范。——第6部分：嫁接育苗。根据砧木选择、接穗采集，嫁接时间、嫁接方式、嫁接后管理等技术特点，对其繁殖方式进行规范。以上各部分所涉及的共同特点是均为猕猴桃苗木繁育的技术、方法，同时各部分又有其独特的繁殖、管理技术特点。各部分内容协调互补，共同构成猕猴桃苗木繁育技术标准体系。本文件的发布机构提请注意，声明符合本文件时，可能涉及到3条与初代培养、继代培养、生根培养相关的专利的使用。本文件的发布机构对于该专利的真实性、有效性和范围无任何立场。该专利持有人已向本文件的发布机构承诺，他愿意同任何申请人在合理且无歧视的条款和条件下，就专利授权许可进行谈判。该专利持有人的声明已在本文件的发布机构备案。相关信息可以通过以下联系方式获得：专利持有人姓名：戢小梅，杜迎军，张鸿，陈志伟，乐有章，赵志远，徐刚建，李长林。地址：湖北省武汉市洪山区青菱乡张家湾特1号。请注意除上述专利外，本文件的某些内容仍可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。DB42/T2034.1—20231猕猴桃苗木繁育技术规程第1部分：美味猕猴桃砧木苗组培快繁技术本文件规定了美味猕猴桃（Actinidiachinensisvar.deliciosa）砧木苗组培快繁的外植体准备、初代培养、继代培养、生根培养、组培苗移植、穴盘苗出圃规格等的技术要求。本文件适用于美味猕猴桃组培苗的工厂化繁育。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB19174猕猴桃苗木3术语和定义本文件没有需要界定的术语和定义。4外植体准备4.1取样宜于4～5月份晴朗上午剪取无明显病虫害危害、健壮的当年生枝条幼嫩部分。4.2消毒消毒步骤宜为：先用自来水冲洗30min，然后在超净台内用75%酒精浸泡3min，后用无菌水冲洗4次，再用0.1%HgCl2溶液浸泡12min，最后无菌水冲洗4次。4.3切段应在超净工作台上无菌操作，切成长1.0cm～1.5cm、带1个腋芽的茎段，基部刀口成斜面。5初代培养5.1培养基培养基应先在高压灭菌锅中121℃灭菌20min。采用MS培养基+蔗糖30g/L+琼脂7.5g/L+萘乙酸（NAA）0.20mg/L～0.25mg/L+6-苄氨基嘌呤（6-BA）2.0mg/L～2.5mg/L。2DB42/T2034.1—20235.2接种每个培养瓶接种4～6个茎段，基部切口全部插入培养基，腋芽朝上。培养瓶宜高10.5cm，容积350mL。5.3培养条件宜为温度24℃~26℃,光照强度3000Lux～3200Lux，光照时间12h/d。6继代培养6.1培养基培养基应先在高压灭菌锅中121℃灭菌20min。采用MS(MurashigeandSkoog)培养基+蔗糖30g/L+琼脂7.5g/L+6-苄氨基嘌呤（6-BA）0.5mg/L～0.8mg/L+赤霉素（GA3）3.5mg/L～4.0mg/L，待GA3加入之后再进行高温灭菌。6.2继代不定芽苗高4cm以上可继代，每瓶接种4～5株。培养瓶宜高10.5cm，容积350mL。6.3培养条件培养温度宜为24℃~26℃,光照强度为3000Lux～3200Lux，光照时间为12h/d。宜4～6周继代一次。7生根培养7.1培养基培养基应先在高压灭菌锅中121℃灭菌20min。采用1/2MS培养基+蔗糖30g/L+琼脂7.5g/L+吲哚丁酸（IBA）1.0mg/L～1.2mg/L+萘乙酸（NAA）0.2mg/L～0.3mg/L。7.2接种不定芽苗高4cm以上可生根，每瓶接种4～5株。培养瓶宜高10.5cm，容积350mL。7.3培养条件先进行弱光培养，光照强度400Lux，时长12h/d，温度20℃~24℃。15d后转入正常培养，光照强度3000Lux～3200Lux，光照时长12h/d，温度20℃~24℃。8组培苗移植8.1基质基质应疏松透气，且有一定的肥力。宜用纯泥炭土与珍珠岩配制，配比4：1。基质应先用杀菌剂消毒处理、水分充足。宜用50%多菌灵可湿性粉剂800～1000倍溶液消毒。DB42/T2034.1—202338.2炼苗应于移栽前炼苗。宜在苗高4cm～5cm、根长2cm～3cm且具5～6叶时炼苗。宜将培养瓶置于温度为24℃~26℃温室中驯化3d，之后揭除瓶盖驯化1d～2d。光照强度宜5000Lux左右。8.3移植生根苗应先洗净根部残留培养基后移栽于穴盘，宜用上口径48mm，底部23mm，深度40mm的50孔穴盘育苗。8.4管理8.4.1水分应根据苗龄调整基质湿度。其中，出瓶后3周内相对湿度宜为90％左右，第4周开始宜75%～85%。8.4.2温度出瓶后温度宜24℃~26℃。8.4.3光照移栽后不同时期光照强度分别宜为出瓶后第1周3000Lux，第2周5000Lux，第3周8000Lux，第4周10000Lux～15000Lux，第5周