雨课堂学堂在线学堂云《半导体器件与物理（电子科技）》单元测试考核答案

第1题在热平衡条件下,PN结的P型中性区的电势比N型中性区的电势高qVbi。第2题热平衡条件下,PN结电子的费米能级与空穴的费米能级相等,可用统一EF来表示,在能带图中可用一条直线。()第3题热平衡条件下,PN结的电子电流密度Jn和空穴电流密度Jp的大小相等,方向相反,且都不等于0。()第4题对于硅材料而言,P型硅的功函数小于N型硅的功函数。()第5题半导体材料的功函数是指费米能级与真空能级的能量差。()第6题PN结中电子电流密度的计算公式有()ABCD正确答案：ABCD第7题PN结二极管的内建电势的计算公式为()ABCD正确答案：ABCD第8题下面对半导体功函数描述正确的是()A功函数的大小与半导体的掺杂浓度有关B功函数的大小与掺杂的类型无关C功函数是导带底与真空电子能级的能量差D功函数是指一个电子从半导体内部移到外部真空能级所需要的最小能量。正确答案：AD第9题下面对于P+N单边突变结描述正确的是()AP区和N区的杂质均匀分布B杂质浓度在PN结结面处发生突变CN区的掺杂浓度远大于P区的掺杂浓度DP区的掺杂浓度远大于N区的掺杂浓度正确答案：ABD第10题下面关于内建电势说法正确的是()。A掺杂浓度越高,内建电势越低B温度越高,内建电势越大C相同掺杂浓度下,材料的禁带宽度越宽,内建电势越小D以上说法都不正确第1题对于单边突变结,1/C2-V曲线图在外加正向偏压时是一条直线,通过该直线的斜率可以给出轻掺杂一侧的杂质浓度,且该直线的截距是内建电势。()第2题耗尽层电容是外加电压的变化引起耗尽层电离杂质电荷变化。()第3题当外加正向电压时,由于外加电场与内建电场的方向相反,耗尽区的电场减小,耗尽区宽度减小。()第4题在求解泊松方程时,除考虑杂质浓度外,还将多数载流子的贡献计入,得到的热平衡条件下的耗尽区宽度与采用耗尽近似得到的宽度区别仅在于用(bi-2kT/q)代替bi。()第5题在热平衡条件下,P型一侧的单位面积总的负电荷等于N型区一侧单位面积总的正电荷。()第6题下面关于PN结耗尽区宽度描述正确的有()。A掺杂浓度越重,耗尽区宽度越宽B外加电压增加,耗尽区的宽度减小C外加电压减小,耗尽区宽度减小D对于单边突变结,耗尽区主要在轻掺杂一侧进行扩展正确答案：BD第7题热平衡条件下PN结各区的泊松方程正确的是()AP型耗尽区的泊松方程BP型耗尽区的泊松方程CN型耗尽区的泊松方程DN型耗尽区的泊松方程第8题以下关于耗尽近似说法不正确的是()。A耗尽区内载流子浓度等于0B耗尽区内电荷浓度等于0CP型耗尽区内的电荷密度为NA,N型耗尽区内的电荷密度为NDD耗尽区的电荷具有盒型分布。1.1.3课后练习第1题对于变容器而言,变容器的灵敏度s越大越好。()第2题任意掺杂分布的耗尽层电容的大小都与耗尽层的宽度成反比。()第3题下面对于线性缓变结描述正确的是()。AP型耗尽区的宽度等于N型耗尽区的宽度B耗尽区的宽度随外加反向偏压绝对值的增加而增加C浓度梯度越大,耗尽区的宽度越小,耗尽层电容越大D对于同样的浓度梯度,禁带宽度越宽,内建电势越大正确答案：ABCD第4题关于耗尽层电容说法正确的有()。A对于突变结,掺杂浓度越轻,耗尽层电容越小B外加电压越大,耗尽层电容越大C对于单边突变结,耗尽层电容由重掺杂一侧的杂质浓度决定D对于线性缓变结,浓度梯度越大,耗尽层电容约大正确答案：ABD第5题设通用的掺杂分布为(假设一侧为重掺杂)N=Bxm,以下哪种情况下的掺杂分布最适合制作变容器。()Am=1Bm=2Cm=-1Dm=01.2.1课后练习第1题外加反向偏压下，与热平衡时相比，PN结二极管描述正确的是（

）。A耗尽区内电场减小B耗尽层的宽度增大C势垒高度减小qVD空穴从N区流向P区，电子从P区流向N区正确答案：BD第2题外加偏压时,PN结二极管的总电流等于耗尽区边界上少子扩散电流之和。()第3题载流子浓度梯度的方向是从低浓度指向高浓度。()第4题N型半导体材料中,电子是少数载流子,空穴是多数载流子。()第5题对于PN结二极管,外加偏压的参考极性是以P型区为正,N型区为负。()第6题载流子的迁移率大小与散射机制有关,主要的散射机制有晶格散射和电离杂质散射。()第7题半导体器件内的载流子在外电场作用下的运动规律可以用一套基本方程来加以描述,这套基本方程是分析一切半导体器件的基本数学工具。()第8题下面的哪些图是PN结二极管在外加反向偏压时中性区中的少子浓度分布图。()ABCD正确答案：BD第9题下面关于载流子在外加偏压条件下的运动,说法正确的是()。A当外加正向偏压,电子在耗尽区内通过扩散运动从N区向P区运动。B当反加正向偏压,空穴在耗尽区内通过漂移运动从N区向P区运动。C当外加正向偏压,电子在P型耗尽区边界处积累,然后在P型中性区中做扩散运动。D当外加反向偏压,空穴在P型中性区中做漂移运动。正确答案：ABCD第10题下面电流密度方程正确的是()。AJn=qμnnE+qDndndxBJn=qμnnE−qDndndxCJp=qμppE+qDpdpdxDJp=qμppE−qDpdpdx正确答案：AD第11题外加正向偏压下,与热平衡时相比,PN结二极管描述正确的是()。A耗尽区内电场减小B耗尽区内电场减小C耗尽层的宽度增大D耗尽层的宽度增大E势垒高度减小qVF势垒高度减小qVG电子从N区流向P区,空穴从P区流向N区6外加反向偏压下,与热平衡时相比,PN结二极管描述正确的是(BD)。H空穴从N区流向P区,电子从P区流向N区正确答案：BFH第12题下面关于迁移率正确的说法有()。A温度一定的条件下,掺杂浓度越高,电离杂质散射越厉害,迁移率越低B温度越高,晶格散射越严重,迁移率越低C载流子的有效质量越低,迁移率越大D相同的条件下,电子迁移率大于空穴迁移率正确答案：ACD第13题漂移运动与哪些因素有关。()A载流子浓度分布B载流子浓度梯度分布C电场D迁移率正确答案：ACD第14题扩散运动与哪些因素相关。()A载流子的浓度分布B载流子的浓度梯度C电场D扩散系数正确答案：BD第15题半导体材料中,载流子的运动有哪些方式。()A扩散运动B漂移运动C热电子发射D隧穿正确答案：ABCD1.2.2课后练习第1题推导理想电流电压特性的假设为()。A载流子符合玻尔兹曼统计分布B突变耗尽层近似,即有突变边界的偶极层承受内建电势和外电压,在耗尽层外,半导体呈电中性C小注入假设D在耗尽层内不存在产生-复合电流,并且在整个耗尽区内电子电流和空穴电流恒定正确答案：ABCD第2题对于PN结二极管理想情况下肖克莱方程的推导思路,下面说法正确的是()。APN结二极管的总电流等于耗尽区边界上少子扩散电流之和B假设流进和流出耗尽区的载流子电流密度不变C少子在中性区中只做漂移运动D少子在中性区中只做扩散运动正确答案：ABD第3题当外加偏压时,耗尽区中准费米能级之差等于外加偏压V。()第4题关于PN结二极管温度特性描述正确的是()。A温度度高,反向饱和电流越大B温度度高,正向电流越大C温度度高,正向导通电压越大D温度度高,雪崩击穿电压越大正确答案：ABD第5题下面关于反向饱和电流描述正确的是()。A反向饱和电流的大小主要由轻掺杂一侧的杂质浓度所决定B掺杂浓度越重,反向饱和电流越小C温度度高,反向饱和电流越小D禁带宽度越宽,反向饱和电流越大。正确答案：AB第6题下面关于肖克莱方程的描述正确的是()。A该方程描述的是理想情况下PN结二极管的电流-电压关系B正向偏置时,电流与电压成指数关系C在300K时,电流每改变一个数量级,电压变化59.5mV(=2.3kT/q)D在反向偏置时,电流密度在–J0处饱和正确答案：ABCD第7题非简并半导体中,载流子浓度分布可以表示为()。An=niexp(EF−EikT)Bp=niexp(EF−EikT)Cn=Nvexp(EF−EvkT)Dp=Nvexp(EF−EvkT)正确答案：AD第8题当外加偏压时,耗尽区内的准费米能级保持不变的原因是()。A耗尽区内的载流子浓度相对于中性区的少子浓度高得多B由于耗尽区中电流保持相当恒定,准费米能级的梯度很小。C耗尽宽度通常比扩散长度短得多,因此耗尽宽度内的准费米能级的总下降并不显著D耗尽宽度通常比扩散长度长得多,因此耗尽宽度内的准费米能级的总下降并不显著正确答案：ABC第9题外加偏压下(小注入条件下),关于少子浓度描述正确的是()。AN型耗尽区边界上的电子浓度为平衡时的exp(qV/kT)倍BN型耗尽区边界上的空穴浓度为平衡时的exp(qV/kT)倍C外加反向偏压时,耗尽区边界上的载流子浓度近似等于0D外加反向偏压时,耗尽区边界上的少子浓度高于中性区中的少子浓度1.2.3课后练习第1题下面的哪个图是PN结发生大注入时的能带和载流子分布图。（

）ABC正确答案：BC第2题半导体材料的禁带宽度随温度的升高而降低。()第3题突变PN结二极管的耗尽层电容与电压成幂函数关系,扩散电容与电压成指数关系。()第4题PN结二极管的中性区中的少数载流子分布可以瞬间改变。()第5题扩散电容是值中性区中非平衡载流子随外加电压的变化。()第6题采用P+-N--N+结构的二极管结构可以减小串联寄生电阻效应。()第7题对于PN结二极管而言,当外加偏压较大时发生大注入效应,此时的理想因子等于2。()第8题对于正偏PN结,当正向电压增加到使注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于该区的平衡多子浓度时,就发生了大注入。()第9题PN结的耗尽区内有最大的复合率,即电子浓度等于空穴浓度。()第10题在正向偏置的状态下,耗尽区中的载流子浓度增加,载流子在耗尽区中以复合过程为主。()第11题扩散电容在()条件下才重要。A高频时B低频时C反向偏压D正向偏压正确答案：BC第12题室温下,硅PN结二极管外加反向偏压,其实测lnI-V特性曲线与理论曲线之间有如下的区别()。A实测电流大于理论电流,因为此时的电流以耗尽区产生电流为主B实测电流大于理论电流,因为此时的电流以扩散电流为主C实测电流随反向偏压绝对值的增加,电流逐渐增大,因为耗尽区产生电流与耗尽区宽度成正比D实测电流随反向偏压绝对值的增加,电流逐渐增大,因为耗尽区产生电流与耗尽区宽度成反比正确答案：AC第13题室温下,硅PN结二极管正向偏置时,其实测lnI-V特性曲线与理论曲线之间有如下的区别()。A电压较小时,电流比理论值大,且斜率为q/2kT,其原因是此时的电流以耗尽区产生电流为主B电压较小时,电流比理论值大,且斜率为q/2kT,其原因是此时的电流以耗尽区复合电流为主C电压较大时,曲线的斜率变为q/2kT,其原因是此时发生了大注入效应D发生大注入后,电压继续增加,曲线的斜率大于q/2kT,其原因是因为串联寄生电阻效应正确答案：BCD第14题下面关于大注入描述正确的是()。A发生大注入的一侧存在内建电场,该电场抑制多子原有的扩散运动,增强少子的扩散运动B发生大注入一侧的载流子同时做扩散和漂移两种运动C大注入发生在轻掺杂一侧D大注入发生时,该区的多子和少子浓度在耗尽区附近相等正确答案：ABCD第15题下面关于PN结反向电流描述正确的有()。A对于硅PN结,室温下反向电流以扩散电流为主,B对于硅PN结,高温下反向电流以扩散电流为主C对于锗PN结,室温下反向电流随外加反向偏压绝对值的增加而略微增加D对于锗PN结,室温下反向电流随外加反向偏压几乎不变化正确答案：BD第16题关于非理想情况下PN结二极管电流描述正确的是()。A正向偏压较小时,电流以耗尽区的产生电流为主B正向偏压增大,PN结发生大注入,电流与电压的指数关系从exp(qV/kT)变为exp(qV/2kT)C当正向电流大时,PN结二极管的寄生电阻效应不能忽略D温度很高的情况下,外加反向偏压的电流以扩散电流为主正确答案：ABCD第17题少数载流子分布变化的特征时间与()有关。A多数载流子弛豫时间B少数载流子弛豫时间C多数载流子寿命D少数载流子寿命第18题对于一个PN+单边突变结,当外加正向偏压较大时发生大注入效应,下面的描述正确的有()。AP区发生大注入,且该区内自建电场的方向为P区指向N区BN区发生大注入,且该区内自建电场的方向为P区指向N区CP区发生大注入,且该区内自建电场的方向为N区指向P区DN区发生大注入,且该区内自建电场的方向为N区指向P区第19题下面关于正偏时PN结理想因子描述正确的是()。A复合电流占主导时,理想因子等于1B扩散电流占主导时,理想因子等于2C两种电流可比拟时,其值在1-2之间D以上说法都不正确1.3.1课后练习第1题PN结二极管发生雪崩击穿的条件就是一个载流子在耗尽区内至少通过碰撞电离可以产生一对电子空穴对即可。()第2题雪崩倍增因子是指包括雪崩倍增作用在内的流出势垒区的总电流与流入势垒区的原始载流子电流之比。()第3题为了定性地描述碰撞电离现象,把自由电子(或空穴)在单位距离内通过碰撞电离而产生的新的电子空穴对的数目,称为电子(或空穴)的碰撞电离率。()第4题当载流子在电场中运动获得能量,当积累的能量大于材料的禁带宽度后与晶格价键电子碰撞,有可能后者获得足够能量从价带跃迁到导带,形成一对新的电子空穴,这就是碰撞电离。()第5题对于扩散结击穿电压说法正确的是()。A浓度梯度较大时,击穿电压与衬底掺杂浓度无关B浓度梯度较大时,击穿电压随衬底掺杂浓度增加而减小C浓度梯度较小时,击穿电压与衬底掺杂浓度无关D浓度梯度较小时,击穿电压随衬底掺杂浓度增加而减小正确答案：BC第6题碰撞电离率与以下哪些因素有关。()A材料的种类B电场的大小C温度D光照正确答案：ABC第7题对于PN结二极管来讲,反向偏压时发生结击穿有以下几种机理。()A雪崩倍增B隧道效应C热击穿D穿通正确答案：ABCD第8题提高PN结二极管击穿电压的方法()。A增加掺杂浓度B增大PN结结深C增加浓度梯度D减小轻掺杂区的厚度第9题对于穿通二极管,下面说法正确的是()。A对于单边突变结,轻掺杂区的厚度足够低时,容易发生二极管穿通B对于相同的轻掺杂区浓度,随着该区宽度的增加,击穿电压可以无限增加C对于相同的轻掺杂区的宽度,该区掺杂浓度越低,击穿电压越高D以上都不正确第10题下面关于PN结雪崩击穿条件说法正确的是()。A掺杂浓度轻,容易发生雪崩击穿B禁带宽度大,容易发生雪崩击穿C温度越高,越容易发生雪崩击穿D浓度梯度大,容易发生雪崩击穿1.3.2课后练习第1题利用PN结二极管的击穿特性可以制作具有稳压功能的器件。()第2题当反向电压增加到隧道长度小到了一个临界值,这时大量的P区价带电子通过隧道效应流入N区导带,使隧道电流急剧增加。这种现象称为齐纳击穿或“隧道”击穿。()第3题根据量子理论,电子具有波动性,可以有一定的几率穿过位能比电子动能高的势垒区,这种现象称为隧道效应。()第4题关于PN结二极管温度特性的方法有()。A使用限流电阻B采用导热率高的材料C采用禁带宽度大的材料D硅二极管的温度特性比氮化镓二极管的好正确答案：ABC第5题下面关于PN结发生齐纳击穿条件说法正确的是()。A掺杂浓度轻,容易发生齐纳击穿B禁带宽度大,容易发生齐纳击穿C温度越高,越容易发生齐纳击穿D浓度梯度大,容易发生齐纳击穿正确答案：CD第6题下面关于PN结热击穿说法正确的是()。A发生在反向偏压时B发生在正向偏压时C反偏发生热击穿时I-V特性曲线会出现负阻效应D热击穿是不可逆的正确答案：ABCD1.4.1课后练习第1题对于P+N单边突变结,正偏时储存在N型中性区内的非平衡空穴电荷量为Ifp。()第2题在开关过程中,PN结从反向到正向的响应相当快,从正向到反向的响应时间受到少数载流子电荷存储的限制。()第3题减小PN结二极管关断时间的方法有()。A引入有效的复合中心B减小反向电流C增大正向电流D采用薄基区二极管结构正确答案：AD第4题PN结二极管关断过程中,少子存储电荷下降的途径有()A少子的热激发B少子自身的复合C反向电流的抽取D反向电流的灌入正确答案：BC第5题在PN结二极管关断过程中存在两个阶段,分别是()。A存储时间B上升时间C下降时间D延迟时间正确答案：AC第6题对于P+N单边突变结,正向偏置时存储在()区的少子电荷量是产生较长关断过程的原因。AP型中性区BP型耗尽区CN型中性区DN型耗尽区1.4.2课后练习第1题噪声是由半导体器件内部大量载流子的无规则运动引起的。()第2题下面关于1/f噪声描述正确的是()A当频率在约1200Hz以下时,噪声将随频率的降低而增大,并与频率成1/f的关系B与器件表面的界面态有关C与晶格缺陷有关D只在低频时有较大影响,高频时可不予考虑正确答案：ABCD第3题下面关于闪粒噪声描述正确的是()。A由形成电流的载流子的分散性造成B在大多数半导体器件中,它是主要的噪声来源C在低频和中频下,散粒噪声与频率无关,是白噪声D高频时与频率有关。正确答案：ABCD第4题下面关于热噪声描述正确的是()。A由载流子的无规则热运动引起的电流起伏B温度越高,载流子的热运动就越剧烈,热噪声越大C热噪声是白噪声D噪声功率正比于频宽f正确答案：ABCD第5题PN结的噪声源有()。A热噪声B闪粒噪声C1/f噪声正确答案：ABC2.1.1课后练习第1题对于n型阻挡层,当迁移率较低,势垒的宽度比电子的平均自由程大得多时,电子通过势垒区要发生多次碰撞,这样的阻挡层适用于扩散理论正,必须同时考虑漂移和扩散运动。()第2题在金半接触中,不同偏置下从金属进入半导体的电子的势垒高度保持相同。从金属流入半导体的电流不受外加电压的影响,等于热平衡时从半导体流到金的电流。()第3题肖特基势垒的反向饱和电流比pn结反向电流小。()第4题肖特基势垒的势垒高度随温度升高而降低。()第5题金半接触的阻挡层具相有与PN结类似的的I-V特性,具有整流作用。但相较于PN结,金半接触的不同之处在于()。A正向压降低B响应速度慢C反向电流小D击穿电压低正确答案：AD第6题

肖特基二极管与pn结二极管的区别包括()A肖特基管由多数载流子导电B肖特基管导通电压更低Cpn结存在少子存储效应D肖特基管反向击穿电压更高正确答案：ABC第7题

影响肖特基势垒高度的因素有()A金属和半导体的功函数B半导体表面态密度C掺杂浓度D外加电场正确答案：AB第8题

形成欧姆接触的方法包括()A高浓度掺杂半导体表面B选择金属功函数与半导体接近C在接触层引入界面态D制作尖峰势垒正确答案：AB第9题

以下属于肖特基势垒特性的是()A整流特性B势垒高度与掺杂浓度无关(理想情况)C单向导电性D适用于高频器件正确答案：ABCD第10题

金属-半导体接触中,热电子发射理论适用于()A厚势垒(势垒宽度>>载流子平均自由程)B薄势垒(势垒宽度<<载流子平均自由程)C中等宽度势垒D所有情况第11题

肖特基势垒的势垒宽度随半导体掺杂浓度的增加而()A变宽B变窄C不变D先宽后窄第12题

对于p型半导体与金属接触,形成肖特基势垒的条件是()A金属功函数>半导体功函数B金属功函数<半导体功函数C两者功函数相等D与掺杂类型无关第13题

肖特基二极管的导通方向是()A从金属到n型半导体B从n型半导体到金属C双向导通D无法导通第14题

对于n型半导体与金属接触,若金属功函数小于半导体功函数,会形成()A肖特基势垒(阻挡层)B欧姆接触(反阻挡层)C绝缘层Dpn结第15题

理想情况下,金属与半导体接触形成肖特基势垒的关键因素是()A金属和半导体的功函数差异B半导体的掺杂浓度C接触面积大小D环境温度2.1.2课后练习第1题

通过高温退火可完全消除半导体自由表面的表面态。()第2题

表面态会导致半导体表面电导增加,形成表面沟道。()第3题

表面态仅存在于n型半导体表面,p型半导体无表面态。()第4题

界面态的存在会增加MOS器件的栅极漏电流。()第5题界面态只能通过半导体表面清洁工艺消除,退火处理无效。()第6题

表面态的存在会使肖特基势垒高度对金属功函数的依赖性减弱。()第7题

金属与n型半导体接触一定形成肖特基势垒。()第8题关于说法正确的是()。A半导体表面Ev以上有附加能级q0,被称为中性能级。Bq0以上的状态为受主型,即能级空时为电中性,填充电子后带负电Cq0以下的状态为施主型,即有电子填充时为电中性,空时带正电Dq0中性能级约在价带顶以上三分之一带隙处正确答案：ABD第9题界面态对MOSFET器件性能的主要影响是()A阈值电压漂移B载流子散射,降低迁移率C产生复合中心,增加漏电流和噪声D影响器件稳定性正确答案：ABCD第10题半导体界面态是指存在于半导体与其他材料(如绝缘体、金属或另一种半导体)界面处的能级状态,通常源于界面处的()A原子排列失配B悬挂键C缺陷D杂质正确答案：ABCD第11题

以下关于镜像力和隧道效应的说法正确的是()A镜像力在强电场下显著B隧道效应在高掺杂时显著C镜像力会增加势垒高度D隧道效应会导致电流急剧增大正确答案：ABD第12题

当半导体表面存在高密度表面态时,费米能级会()A钉扎在禁带中某一位置B移动至导带底C移动至价带顶D不受影响第13题

在理想半导体表面(无表面态),表面处的能带会()A向上弯曲(n型)B向下弯曲(p型)C保持水平D随机弯曲第14题

硅()半导体表面态的主要成因是():A表面原子悬挂键B氧化物层中的杂质C体内掺杂原子D界面应力第15题半导体表面态的定义是()A存在于半导体与绝缘体界面的能级B半导体自由表面(与真空接触)的局域能级C半导体体内的缺陷能级D金属与半导体界面的电荷态第16题欧姆接触在半导体器件中的主要作用是()A抑制载流子注入B提供低阻导电通道C形成整流结D隔离不同区域第17题

欧姆接触的特性是()A具有整流特性B接触电阻随电压增大而增大C电流-电压呈线性关系D仅适用于n型半导体第18题

镜像力效应会导致肖特基势垒高度()A升高B降低C不变D周期性振荡2.2.1课后练习第1题对于n型阻挡层，当迁移率较低，势垒的宽度比电子的平均自由程大得多时，电子通过势垒区要发生多次碰撞，这样的阻挡层适用于扩散理论正，必须同时考虑漂移和扩散运动。第2题在金半接触中,不同偏置下从金属进入半导体的电子的势垒高度保持相同。从金属流入半导体的电流不受外加电压的影响,等于热平衡时从半导体流到金的电流。()4对于n型阻挡层,当迁移率较低,势垒的宽度比电子的平均自由程大得多时,电子通过势垒区要发生多次碰撞,这样的阻挡层适用于扩散理论正,必须同时考虑漂移和扩散运动。()第3题

在肖特基接触中,热电子发射理论适用于描述低电场下的电流输运。()第4题热电子发射电流随温度升高呈线性增长。()第5题在室温下,(以下哪些)半导体材料的肖特基势垒中的电流输运机构主要是多数载流子的热电子发射。()A氧化亚铜B砷化镓C硅D锗正确答案：BCD第6题下列哪项因素不会影响热电子发射电流()A材料功函数B环境温度C材料体积D表面清洁度第7题热电子发射的本质是()A电子通过隧道效应穿透势垒B电子因热能克服表面势垒逸出C电子在外加电场作用下被拉出D光激发电子逸出表面2.2.2课后练习第1题

欧姆接触的接触电阻与半导体掺杂浓度成反比。()第2题在金半接触结构中,为了减小少数载流子的注入比,可采取的措施()A低电阻率材料B低的电势高度C大的禁带宽度D较小的正偏电压正确答案：ABCD第3题欧姆接触的应用场景包括()A二极管的阳极和阴极引线B晶体管的源极、漏极和基极电极C太阳能电池的电极接触D肖特基二极管的金属-半导体结正确答案：ABC第4题形成欧姆接触的常用方法包括()A在半导体表面制作高掺杂层(如n⁺/p⁺)B选择金属功函数与半导体接近C在接触界面引入绝缘层D高温退火形成合金接触正确答案：ABD3.1.1课后练习第1题放大状态下,NPN管发射极电流有()。AJNEBJPECJREDJNC正确答案：ABC第2题俄歇复合的过程为电子-空穴复合时,能量传递给第三个载流子(电子或空穴),使其跃迁至高能态,随后通过声子散射释放能量回到平衡态。()第3题中性基区内单位面积得掺杂总量,称为Gummel数,其典型值为102~103cm-2。()第4题对于NPN管,InE/InC是基区输运系数。()第5题下面关于俄歇复合说法正确的是()。A当发射区中掺杂很高时,俄歇复合变成主要复合机制B俄歇复合增强,使发射结耗尽区复合电流IrE增加,发射效率降低。C俄歇复合增强,发射区的少子扩散长度小于发射区宽度,发射区空穴扩散电流IpE增大D俄歇复合增强,基区输运系数增大正确答案：ABC第6题半导体材料的复合机制有()。A陷阱辅助复合B俄歇复合C辐射复合D表面复合正确答案：ABCD第7题基区杂质分布产生的内建电场的作用是()。A增加INCB增加INEC提高基区输运系数D提高注入效率正确答案：AC第8题对于NPN管,基区掺杂浓度分布不均匀会在基区引入内建电场,下面对内建电场说法正确的是()。A电场方向与放大状态下基区少子的扩散方向一致时,该电场为加速场B电场方向与放大状态下基区多子的扩散方向一致时,该电场为加速场C加速场的引入,将增大基区输运系数D加速场的引入,将增大注入效率正确答案：AC第9题根据发射结和集电结的偏压,双极性晶体管有四种工作状态,下面描述正确的是()。A发射结正偏,集电结反偏,晶体管处于放大状态,用于模拟电路做放大用B发射结反偏,集电结反偏,晶体管处于截止状态,用于数字电路表示关态C发射结正偏,集电结正偏,晶体管处于饱和状态,用于数字电路表示开态D发射结反偏,集电结正偏,晶体管处于倒向放大状态正确答案：ABCD第10题放大状态下,NPN管集电极电流有()。AJRBBJNCCJREDJCO正确答案：BD第11题放大状态下,NPN管基极电流有()。AJRBBJPECJREDJCO正确答案：ABCD第12题下面对于双极性晶体管基区输运系数说法正确的是()。A基区宽度越小,基区输运系数越大B同样的结构下,NPN管的基区输运系数小于PNP管C发射区掺杂浓越重,基区输运系数越大D基区掺杂浓度越重,基区输运系数越大第13题对于双极性晶体管,基区宽度为()时,发射结和集电结之间没有任何联系,晶体管作用消失。A1mB0.1mC2mD3.1.2课后练习第1题电流ICO是指发射结零偏,集电结反偏时的集电极电流。()第2题下面关于双极型晶体管跨导描述正确的是()。A发射结电压对集电极电流的控制能力B跨导正比于集电极电流C大的跨导要求低的寄生发射极电阻D温度增加,跨到下降正确答案：ABC第3题在大电流时,NPN管的共发射极静态增益随集电极电流增大而减小,原因是()。A大注入效应B寄生串联电阻效应C基区扩展效应D表面泄漏电流正确答案：AC第4题在小电流时,NPN管的共发射极静态增益随集电极电流减小而减小,原因是()。A发射结耗尽区的复合电流B基区复合电流C集电结耗尽区的复合电流D表面泄漏电流正确答案：AD第5题对于同一双极型晶体管,若集电极电流从1mA增大到10mA,其跨导会()。A增大10倍B减小到1/10C增大但不到10倍D基本不变第6题增大双极型晶体管注入效率的方法有()。A增大基区禁带宽度B增加发射区的宽度C增大发射区掺杂浓度D增大基区掺杂浓度第7题共发射极支流增益可表示为()。AInE/IEBInC/InECIC/IEDIC/IB3.1.3输出特性第1题Early效应产生的原因是在基极电流IB集不变的条件下,VCE不变,VCB增加,集电结耗尽区展宽,中性基区宽度缩小,基区少子浓度梯度增加,集电极电流增大。()第2题在实测时,NPN管的共发射极静态增益随集电极电流不变化。()第3题对于给定的发射区掺杂浓度,共发射极静态增益反比于Gummel系数。()第4题对于NPN管而言,注入效率是指InE/IE。()第5题电流ICEO是指基极开路,集电结反偏时的集电极电流。()第6题电流ICBO是指发射极开路,集电结反偏时的集电极电流。()第7题抑制厄尔利效应的措施有()。A增加基区掺杂浓度B增加集电区掺杂浓度C减小基区宽度D增加基区宽度正确答案：AD第8题在实际测量中,共基极接法的NPN管输出特性曲线,当输入电流IE是等差变化时,放大区输出电流之间的差是()。A不变B随IE增大而增大C随IE增大而减小D随IE增大先增大后减小第9题Early效应会导致共射极接法NPN管的输出特性曲线()。A水平平移B向下凹陷C向上倾斜D变为垂直线第10题关于双极型晶体管,共射极接法的输出特性曲线描述的是()。A基极电流IB与集射极电压VCE的关系B集电极电流IC与基极电流IB的关系C集电极电流IC与集射极电压VCE的关系D发射极电流IE与VCE的关系3.1.4课后练习第1题对于NPN管,共基极接法的雪崩击穿条件是()。ABCD第2题对于NPN管,共射极接法的雪崩击穿条件是()。ABCD第3题对于NPN管,共基极接法的雪崩击穿电压记为VBCEO,共射极接法的雪崩击穿电压记为VBCBO。()第4题下面关于VBCEO和VBCBO说法正确的是()。AVBCEO大于VBCBO,这是由于双极增益的正反馈造成的。BVBCEO小于VBCBO,这是由于双极增益的正反馈造成的。CD正确答案：BC3.1.5课后练习第1题在双极型晶体管中，kirk效应可以增加器件的电流增益。第2题在大电流状态下，具有轻掺杂外延集电区的双极性晶体管，其集电区内的净电荷发生显著变化，高场区从集电结移位到集电区n+衬底。有效基区从WB增加到(WB+WC)，这种高场移位现象称为Kirk效应。第3题双极晶体管基区重掺杂会导致禁带变窄，从而降低电流增益。第4题

下列措施中,能抑制电流集边效应的是()A增大发射极宽度B增加基极掺杂浓度C采用叉指型发射极结构D减小工作电流正确答案：BCD第5题在NPN管中,为了获得高的注入效率,发射区要求重掺杂。下面关于发射区重掺杂的描述正确的是()。A发射区禁带宽度变窄,IpE增加,电流增益减小B俄歇复合增强,IrE增加,电流增益减小C少子寿命减小,扩散长度小于发射区宽度,IpE增大,电流增益减小D发射区的掺杂浓度不超过1019cm-3正确答案：ABCD第6题

在功率晶体管中,电流集边效应与哪种失效模式密切相关?()A雪崩击穿B热击穿C齐纳击穿D穿通击穿第7题

电流集边效应会导致晶体管()。A电流均匀分布B发射极边缘热耗散集中C电流增益β增大D反向击穿电压升高第8题

电流集边效应最显著的场景是()。A发射极宽度较窄(如窄条结构)B基极掺杂浓度极高C大电流密度工作时D低温环境下第9题双极型晶体管电流集边效应的主要成因是()。A发射极电阻过大B基极电阻造成的横向电压降C集电极电容耦合D温度梯度引起的载流子迁移第10题禁带宽度变窄会导致半导体的()A载流子浓度降低B电导率下降C本征载流子浓度增大D击穿电压升高第11题下列哪项是禁带变窄的主要物理机制?()A载流子扩散B库仑作用与泡利不相容原理C晶格振动D雪崩击穿第12题禁带宽度变窄效应主要发生在()。A本征半导体中B轻掺杂半导体中C重掺杂(简并)半导体中D所有半导体中3.2.1课后练习第1题对于给定的材料系统，建议截止频率与击穿电压VBCEO之积保持常数。第2题电容CSC代表由发射结电压决定的电流注入到集电区引起的耗尽层中空间电荷的变化，而CDC代表由于耗尽区宽度的变化引起空间电荷的变化。第3题在高频应用中，为了得到较高的fT，在不发生不良的大电流效应的条件下，双极性晶体管的工作电流要尽可能的大。第4题下面关于特征频率fT与集电极电流之间关系正确的是()。A在小电流时,fT随着电流的减小而减小B随着电流的增大,fT达到最大值,然后迅速减小。C最大fT所对应的集电极电流应小于发生Kirk效应的电流值D随着VCB的增加,最大fT所对应集电极电流的数值增加。正确答案：ABCD第5题对于双极型晶体管,特征频率fT的定义是()A共射极电流增益下降到1时的频率B功率增益下降到1时的频率C晶体管失去电流放大能力的最低频率D晶体管失去放大能力的最低频率正确答案：AC第6题

对于NPN晶体管,特征频率高于PNP晶体管的主要原因是()。A电子电荷量更大B电子迁移率高于空穴迁移率C基区更厚D集电结反向偏压更高第7题下列哪项措施不能提高晶体管的特征频率fT?()A减小基区宽度WBB提高基区掺杂浓度C增大发射结面积D采用高迁移率材料3.2.2课后练习第1题双极型晶体管的开关过程中,存储时间的物理本质是()A基区少子的复合时间B集电区区少子的复合时间C发射极电流上升时间D晶格热振动正确答案：AB第2题提高双极型晶体管开关速度的方法有()。A减少超量电荷的存储B缩短基区少子寿命C选择负载和偏置以使开态时不工作在饱和区D工作在深饱和区正确答案：ABC第3题以饱和区作为导通状态的开关称为饱和开关,它很接近于理想开关的导通状态。饱和开关的优点是()。A导通状态时的压降很小B静态功耗很小C抗干扰性好D开关速度快正确答案：ABC第4题双极型晶体管作为开关使用时,在开态选择工作在哪个工作状态好?()A放大B截止C饱和D反向放大4.1.1课后练习第1题对于P型半导体MIS结构而言，强反型是指表面的电子浓度等于体内平衡多子浓度。第2题MIS电容的阈电压是指半导体发生强反型时所加的栅电压。第3题对于MIS电容而言，当金属上施加偏压，电场穿过绝缘层进入半导体层，电压分别降落在氧化层和半导体上。第4题

MIS电容的非理想因素包括()A界面态密度B氧化层漏电流C半导体表面复合D金属电导率正确答案：ABCD第5题

影响MIS电容阈值电压的因素包括()A氧化层中的固定电荷B半导体类型(N型/P型)C金属电极材料D绝缘体介电常数正确答案：ABCD第6题

MIS电容的偏置状态包括()A积累B耗尽C反型D击穿正确答案：ABC第7题

MIS电容的阈值电压是指使半导体表面发生强反型所需的电压,其主要影响因素包括:()A金属-半导体功函数差B氧化层厚度C半导体掺杂浓度D界面电荷正确答案：ABCD第8题

MIS电容的基本结构由哪三层组成?()A金属-半导体-绝缘体B绝缘体-金属-半导体C金属-绝缘体-半导体D半导体-金属-绝缘体4.1.2课后练习第1题对于MIS电容，刚刚发生强反型时，由于反型层电荷的浓度等于耗尽层电荷浓度，而反型层厚度远小于耗尽层厚度，半导体一侧的电荷可以忽略反型层电荷。第2题对于N型半导体,当发生强反型时,半导体一侧的电荷由()构成。A电子B空穴C施主电离杂质D受主电离杂质正确答案：BC第3题下面关于P型半导体MIS电容强反型后的状态描述正确的是()。A电压继续增加,表面电势保持不变B电压继续增加,耗尽层厚度保持不变C电压继续增加,耗尽层总电荷量保持不变D电压继续增加,反型层总电荷量保持不变正确答案：ABC第4题下面关于MIS电容在高频反型状态时的描述正确的是()。A栅上电荷的变化由反型层电荷平衡B电荷变化在氧化层和最大耗尽层的两侧C电容保持最小电容不变D电容大小与栅上的偏置条件无关正确答案：ABCD第5题下面关于MIS电容在耗尽状态时的描述正确的是()。A栅上电荷的变化由电离杂质电荷平衡B电荷变化在氧化层和耗尽层的两侧C电容等于栅氧化层电容和硅耗尽层电容串联而成D电容大小与栅上的偏置条件无关正确答案：ABC第6题下面关于MIS电容在低频反型状态时的描述正确的是()。A栅上电荷的变化由反型层电荷平衡B在氧化层的两侧有平行电荷层C电容等于栅氧化层电容D电容大小与栅上的偏置条件无关正确答案：ABCD第7题下面关于MIS电容在多子积累状态时的描述正确的是()。A栅上电荷的变化由积累层内的多子平衡B在氧化层的两侧有平行电荷层C电容等于栅氧化层电容,D电容大小与栅上的偏置条件无关正确答案：ABCD第8题对于MIS电容中反型层电荷描述正确的是()。A反型层中的载流子由热激发产生;B反型层中的载流子产生过程较慢C反型时半导体一侧的电荷由反型层电荷和耗尽层电荷共同构成D高频时反型层载流子不能跟随信号的变化正确答案：ABCD第9题

当MIS电容处于积累状态时,半导体表面的载流子类型为()。A少子B多子C电子-空穴对D无载流子第10题下面关于MIS电容在深耗尽状态时的描述正确的是()。A栅上电荷的变化由反型层电荷平衡B电荷变化在氧化层和最大耗尽层的两侧C电容等于栅氧化层电容和硅耗尽层电容串联而成D电容大小与栅上的直流偏置条件无关第11题下面是MIS电容在4中不同状态时的电荷分布示意图,其中,对应深耗尽状态下电荷分布的是图()。AB.BD.第12题下面MIS结构的能带图中,耗尽状态对应的是图()。ABCD第13题

在P型半导体MIS结构中,施加负偏电压(金属接负)可能导致()。A空穴积累B电子反型C空穴耗尽D电子耗尽第14题

当采用低频信号测量MIS电容,得到的C-V曲线的在反型区的特点是()。A电容随电压增大而增大B电容随电压增大而减小C电容趋于恒定最小值D电容趋于恒定最大值第15题

在MIS结构中,若金属功函数小于半导体功函数,则平带电压为()。A正值B负值C零D无法确定第16题

当MIS电容处于耗尽状态时,半导体表面的空间电荷区主要由()组成。A多子B少子C电离杂质离子D自由载流子第17题

在N型半导体MIS结构中,施加正偏电压(金属接正)时,可能出现的状态是()。A电子积累B空穴反型C电子耗尽D空穴积累第18题

MIS电容的C-V特性曲线中,平带电压对应的条件是()。A半导体表面无电荷B金属与半导体功函数差为零C绝缘体中无电荷D半导体表面势为零4.1.3课后练习第1题P型半导体MIS结构在反型后耗尽区宽度达到最大值的原因是()。A反型层电子浓度随表面电势指数式增加B反型层电子浓度随表面电势幂函数式增加C耗尽层电离杂质电荷随表面电势指数增加正确答案：A第2题在MIS电容中,衬底费米势与()有关。A衬底掺杂浓度B材料的种类C温度D掺杂的类型正确答案：ABCD4.2.1课后练习第1题热氧化生成的二氧化硅，其界面区的化学组分依次为单晶硅、单层SiOx、薄的SiO₂应变区和无应变的无定形SiO₂。第2题MOS电容的界面陷阱主要存在于()。A栅极金属层内部B二氧化硅绝缘层中C硅-二氧化硅界面处D半导体衬底体内第3题对于P型硅MOS电容,存在高密度界面陷阱时,其阈值电压会()。A增大B减小C不变第4题对于N型硅MOS电容,存在高密度界面陷阱时,其阈值电压会()。A增大B减小C不变第5题

在MOS电容可靠性测试中,界面陷阱密度的增加会导致()。A栅极漏电流降低B器件抗辐射能力增强C阈值电压漂移加剧D载流子迁移率提高第6题

界面陷阱捕获电子后,对MOSFET亚阈值摆幅()的影响是()。A亚阈值摆幅减小,器件性能改善B亚阈值摆幅增大,器件性能恶化C亚阈值摆幅不变D仅在高温下影响亚阈值摆幅第7题

界面陷阱对MOS电容C-V曲线的影响是()。A曲线出现拉伸现象B曲线整体向正电压偏移C最大电容值显著减小D曲线完全失去线性特性第8题界面陷阱的特征是()。A固定不动B能捕获和释放载流子,响应速度与频率相关C仅影响MOS电容的直流特性D密度与半导体掺杂浓度无关第9题MOS电容中,关于界面陷阱描述正确的是()。A施主界面陷阱能级靠近导带底B施主界面陷释放电子后带正电。C受主界面陷俘获电子后带负电D施主界面陷阱能级靠近价带顶正确答案：ABCD第10题

下列工艺中,能有效降低界面陷阱密度的是().A使用(100)晶面材料B引入钠离子污染C采用低温淀积氧化物D界面处进行氢钝化处理正确答案：AD第11题

导致界面陷阱密度增加的工艺因素是()A高温氢气退火B氧化工艺中严格控制杂质C沟道热载流子效应DX射线照射正确答案：CD第12题在MIS电容中,氧化物电荷有()。A界面陷阱电荷B可动离子电荷C固定氧化物电荷D氧化陷阱物电荷正确答案：ABCD4.2.2课后练习第1题对于MIS电容，最大电容值等于栅氧化层电容，这意味着电极两侧的电荷紧靠着绝缘层的两个界面。这种假设对于绝缘层特别薄时误差特别大。第2题在理想的MIS电容中，假定绝缘层电导为零。当电场或温度足够高时,实际的绝缘层的可能现出一定程度的载流子导电现象。第3题下面关于MOS电容中氧化物陷阱电荷描述正确的是()。A正电荷B沟道热载流子效应产生CX射线照射产生D随机分布在氧化层中正确答案：BCD第4题下面关于MOS电容中可动离子电荷描述正确的是()。A正电荷B随机分布在氧化层中,并能在电场的影响下进行漂移C会造成C-V曲线的滞后现象D可采用抗可动离子渗透的保护膜抑制生成正确答案：ABCD第5题下面关于MOS电容中固定氧化层电荷描述正确的是()。A正电荷B距Si-SiO₂界面非常近C氧化反应不完全引起的结构缺陷D密度随氧化温度的降低而增加正确答案：ABCD第6题

当MOSFET从铝栅(Φm≈4.2eV)改为多晶硅栅(Φm≈4.1eV,n型掺杂),对于n-Si衬底,其阈值电压会()。A略微升高B略微降低C不变D反向偏置第7题

在硅基MOSFET中,若采用高功函数金属(如W、Ni)作为n-MOS栅极,其阈值电压会()。A显著降低,接近零伏B显著升高,难以反型C不变,仅影响载流子迁移率D随机波动第8题

若希望降低n-MOSFET的阈值电压,可采取的措施是()。A选择功函数更大的金属栅极B选择功函数更小的金属栅极C增加氧化层厚度D降低半导体掺杂浓度第9题在p型半导体衬底的MOSFET中,若功函数差为负值,则阈值电压会()。A向正方向偏移B向负方向偏移C变为零D仅在高频下变化第10题对于N型半导体衬底的MOSFET,若金属功函数>半导体功函数,则功函数差对阈值电压Vth的影响是()。A使Vth升高(向正方向偏移)B使Vth降低(向负方向偏移)C无影响D仅影响漏电流第11题

MOS电容的阈值电压公式中,金属-半导体功函数差的定义是:()。A半导体功函数减金属功函数B金属功函数减半导体功函数C金属功函数加半导体功函数D仅与半导体掺杂浓度有关4.2.3课后练习第1题TBD和QBD均为衡量介质击穿可靠性的关键参数，其中QBD更适用于评估电荷注入型绝缘失效。第2题在MIS结构中，渗透理论是指在高能载流子运动的路径上随机地产生缺陷，当缺陷足够密集形成了一个连续的链条，使栅和半导体连接后，就形成了一个导电通道，发生毁坏性击穿。第3题

在相同电场下,介质的TBD值越大,表明其击穿可靠性越低。()第4题随着工艺的发展,栅氧化层的厚度越来越小,但是栅电容的大小不能跟随氧化层厚度减小而减小,原因是()。A不管是在积累状态还是在强反型状态,半导体一侧的电荷分布是由界面算起的距离的函数B在经典模型中,尽管载流子浓度峰值在表面处,但它可延伸至若干纳米距离外C在量子力学中,载流子的浓度峰值出现在距界面约为10Å的位置。D即使多晶硅是简并掺杂,耗尽层和积累层依然存在有限的厚度正确答案：ABCD第5题下面关于MIS电容载流子隧穿导电描述正确的有()。A强场下最通常的绝缘层导电机制B隧穿发射是电子波函数穿透势垒的量子力学效应的结果C与外加电压有强烈的关系,与温度没有固有的关系D分为直接隧穿和载流子只通过部分势垒宽度的Fowler-Nordheim隧穿正确答案：ABCD4.2.4课后练习第1题对于MIS电容,TBD(TimetoBreakdown)的物理意义是()A介质承受击穿所需的最短时间B介质从加压到发生击穿的时间间隔C介质击穿时的时间常数D介质击穿后的持续时间第2题

在均匀电场中,介质的TBD与施加电压的关系通常为()。A电压越高,TBD越长B电压越高,TBD越短C无关D先增加后减少第3题

QBD主要用于表征介质击穿的哪种可靠性特征?()A与时间相关的累积损伤B与电荷累积相关的损伤阈值C与温度相关的热击穿特性D与机械应力相关的击穿行为第4题关于MIS结构中雪崩倍增机制的描述正确的是()。A在表面耗尽层中,由雪崩倍增产生的载流子,将会有足够的能量越过界面能量壁垒,进入氧化层B热电子进入氧化层时,在氧化层中通常会产生固定电荷、体和界面陷阱CMIS电容的击穿电压比相同掺杂的PN结击穿电压高D可以应用于非挥发半导体存储器中正确答案：ABCD第5题MIS结构从深耗尽的不平衡态恢复到平衡态可以采用的方法()。A光照B升温C放慢电压变化D停止电压变化正确答案：ABCD第6题下面对于MIS结构的深耗尽状态描述正确的是()。A是一种非平衡状态B该状态下耗尽层宽度比平衡态时的最大值还大C产生的原因是热产生率跟不上所需的少数载流子数目D半导体上存在强电场正确答案：ABCD5.1.3课后练习第1题弹道输运时，MOSFET器件的电流和跨导要比速度饱和时的高。第2题沟道长度与平均自由程同量级或小于平均自由程时，沟道载流子不会遭受散射。它们不会因为散射而失去从电场获得的能量，因而其速度可以比饱和速度高的多。这种效应称为弹道输运，也称为速度过冲。第3题

电子迁移率越高,在相同电场下电子的漂移速度就越快。()第4题

温度升高时,由于载流子迁移率下降,MOSFET的跨导会降低。()第5题

MOSFET工作在线性区时的跨导比饱和区的跨导更大。()第6题MOSFET的跨导定义为漏极电流变化量与漏源电压变化量的比值。()第7题当半导体处于强电场中发生速度饱和时,电子迁移率会随着电场强度增加而持续增大。()第8题

短沟道MOSFET中,由于短沟道效应,实际跨导比长沟道理论值()。A更高B更低C相等D不确定第9题

若其他参数不变,增大MOSFET的沟道宽度W,其跨导会()。A增大B减小C不变D先增后减第10题MOSFET的跨导定义为()。A漏极电流变化量与栅源电压变化量的比值B漏极电流变化量与漏源电压变化量的比值C栅源电压变化量与漏极电流变化量的比值D漏源电压变化量与栅源电压变化量的比值第11题

当MOSFET的栅源电压VGS固定时,若沟道长度减小,漏源饱和电压VDS()会因短沟道效应而()。A增大B减小C不变D先增后减第12题

以下关于MOSFET漏源饱和电压的描述,正确的是?()AVDS(sat)是器件从线性区进入饱和区的临界电压B减小阈值电压可降低VDS(sat)C饱和区中,VDS(sat)保持恒定不随漏极电流变化D温度升高时,VDS(sat)会因载流子迁移率下降而增大第13题MOSFET进入饱和区时,漏源饱和电压与下列哪个参数直接相关?()A栅极氧化层厚度B衬底掺杂浓度C栅源电压与阈值电压的差值D漏极电流温度系数第14题

单选题:若两种半导体材料A和B的电子迁移率分别为μA和μB(μA>μB),在相同电场作用下,材料A中电子的漂移速度()材料B。A大于B小于C等于D无法确定第15题在半导体中,电子迁移率定义为电子的漂移速度与()的比值。A载流子浓度B外加电场强度C温度D半导体禁带宽度第16题

在MOSFET等半导体器件中,载流子速度饱和会导致器件的()A跨导增大B输出电阻增大C最大电流受限D阈值电压降低第17题半导体材料中载流子发生速度饱和现象的本质原因是()A晶格散射加剧B外加电场消失C载流子浓度下降D能带结构改变第18题在MOSFET缓变沟道近似中,假设沟道内电场沿()方向的变化远小于沿垂直于沟道方向的变化。A栅极长度B沟道宽度C沟道长度D衬底厚度第19题

当MOSFET作为开关使用时,理想状态是工作在()。A截止区和饱和区B截止区和线性区C线性区和饱和区D仅饱和区第20题

PMOS管的输出特性曲线与NMOS管的主要区别是()。A电压和电流方向相反B饱和区条件不同C线性区电阻更大D无截止区第21题

当MOSFET工作在截止区时,其状态为()。AVGS<VT,沟道未形成,ID=0BVGS>VT,沟道夹断,ID恒定CVGS=VT,沟道刚形成DVDS=0,ID=0第22题

在MOSFET输出特性的线性区,器件可等效为()A恒流源B压控电阻C电容D二极管第23题

NMOS增强型管工作在饱和区的条件是()。AVGS<VT且VDS>VGS-VTBVGS>VT且VDS<VGS-VTCVGS>VT且VDS>VGS-VTDVGS<VT且VDS<VGS-VT第24题MOSFET的输出特性曲线是指:()AID随VGS变化的曲线(固定VDS)BID随VDS变化的曲线(固定VGS)CVGS随VDS变化的曲线(固定ID)DID随温度变化的曲线第25题

在MOSFET中,提高跨导的方法包括()A减小栅极氧化层厚度B增大沟道长度C提高载流子迁移率D增加栅源电压与阈值电压的差值正确答案：ACD第26题

以下哪些因素会影响MOSFET的跨导大小?()A栅极氧化层厚度B沟道宽度与长度之比(W/L)C衬底掺杂浓度D工作温度正确答案：ABCD第27题

以下哪些因素会直接影响半导体中电子迁移率的大小?()A晶格散射强度B电子有效质量C杂质浓度D外加磁场强度正确答案：ABC第28题

为抑制半导体器件中的载流子速度饱和效应,可采用的技术手段包括()A减小器件尺寸B采用高迁移率材料C优化衬底掺杂分布D降低工作温度正确答案：BCD第29题

以下哪些因素会影响半导体载流子达到速度饱和的临界电场强度?()A材料禁带宽度B晶格温度C杂质浓度D晶体取向正确答案：ABCD第30题MOSFET缓变沟道近似成立的条件包括?()A沟道长度较长B栅源电压足够大C漏源电压较小D衬底掺杂浓度均匀正确答案：AC第31题

关于MOSFET饱和区的应用,正确的说法是()。A适用于放大电路(如共源放大器)B需满足VDS>VGS-VTC理想情况下,ID仅由VGS决定,与VDS无关D可等效为电流源正确答案：ABCD第32题

以下因素会影响MOSFET输出特性的有()。A栅极电压B沟道长度和宽度C衬底偏置电压D环境温度正确答案：ABCD第33题

以下关于MOSFET跨导的说法,正确的是()A跨导越大,器件的放大能力越强B饱和区跨导与漏极电流的平方根成正比C线性区跨导与漏源电压近似成线性关系D减小阈值电压可提升跨导正确答案：ABCD5.1.4课后练习第1题亚阈值区的漏极电流完全不受漏极电压的影响。第2题理想情况下，室温（300K）下MOSFET的亚阈值摆幅最小可达60mV/decade。第3题MOSFET的阈值电压仅与半导体材料特性有关,与器件结构无关。()第4题MOSFET器件的阈值电压可以根据输出特性曲线进行提取。()第5题在PMOS器件中,衬底偏置效应会导致阈值电压绝对值减小。()第6题当P型衬底的NMOS管源衬电压VSB>0时,阈值电压会增大。()第7题

已知某NMOS的阈值电压温度系数为-1.5mV/K,室温(25℃)下Vth=0.8V,则在125℃时,其阈值电压约为()。A0.65VB0.75VC0.85VD0.95V第8题

P型MOSFET()的阈值电压温度系数为()。A正值B负值C零D不确定,取决于衬底材料第9题

在阈值电压表达式中,与温度强相关的项是()。A平带电压B衬底费米势C氧化层电容D衬底掺杂浓度第10题

阈值电压温度系数的物理根源主要与以下哪个参数相关?()A氧化层厚度B半导体本征载流子浓度C沟道长度D漏极电压第11题

对于N型MOSFET,阈值电压随温度升高的变化趋势是()。A增大(正温度系数)B减小(负温度系数)C先增大后减小D几乎不变第12题

温度升高时,亚阈值摆幅SS的变化趋势是()。A增大B减小C不变D先增大后减小第13题

亚阈值摆幅()的定义是()。A漏极电流变化10倍时所需的栅极电压变化量(单位:mV/decade)B漏极电压变化10倍时所需的栅极电压变化量C栅极电压变化10mV时漏极电流的变化倍数D亚阈值区的跨导峰值第14题

亚阈值区漏极电流的主导传输机制是()。A漂移电流B扩散电流C隧道电流D热电子发射第15题

MOSFET亚阈值区的定义是()。AVG>Vth且VD较小的区域BVG<Vth但仍存在漏极电流的区域CVD=0时的截止区域D栅极氧化层击穿后的区域第16题测量N型MOSFET阈值电压时,通常将漏极电压设为()。A电源电压的一半B接近0V(如0.1V)C远大于阈值电压D-1V第17题短沟道MOSFET中,衬底偏置效应的影响比长沟道器件更显著,主要原因是()。A沟道电阻更小B耗尽层电荷与沟道电荷耦合更强C载流子速度饱和D