国产EDA工具支持多芯粒协同设计

国产EDA工具支持多芯粒协同设计汇报人：***（职务/职称）日期：2026年**月**日EDA技术发展现状与趋势多芯粒协同设计技术概述国产EDA工具架构设计芯片间互连设计支持异构封装设计能力设计数据统一管理协同验证技术实现目录物理实现协同优化设计规则检查(DRC)增强热管理与功耗分析测试与可测性设计国产EDA工具生态建设典型应用案例分析未来发展方向展望目录EDA技术发展现状与趋势01全球EDA市场格局分析Synopsys、Cadence和SiemensEDA合计占据全球EDA市场超80%份额，通过全流程工具链覆盖、先进制程绑定和生态并购形成技术壁垒。新思科技在逻辑综合和IP领域领先，楷登电子主导模拟/混合信号设计，西门子EDA专注物理验证和先进封装。三巨头垄断格局国际巨头通过工艺设计套件(PDK)与台积电、三星等晶圆厂深度绑定，支持3nm/2nm等先进制程；同时构建"工具-工艺-IP"协同体系，如Synopsys的FusionCompiler实现RTL到GDSII全流程贯通。技术壁垒高筑三巨头加速AI和云技术融合，Synopsys.ai平台实现设计功耗降低15%，Cadence云业务年增45%；在Chiplet领域推出3DICCompiler等异构集成工具，强化系统级设计能力。新兴技术布局国产EDA工具发展历程早期探索阶段20世纪80年代启动ICCAD工具研发，1993年推出首套国产EDA"熊猫系统"，突破巴统协议封锁，包含28个设计工具和180万行代码，实现从无到有的技术跨越。01低谷期与重启1994-2008年受制于国外EDA进入和技术代差，国产EDA发展停滞；2010年后政策驱动重启，华大九天承接"熊猫系统"技术遗产，推出模拟电路全流程工具。加速追赶期2020年以来国产EDA企业数量快速增长，形成华大九天（模拟设计）、概伦电子（器件建模）、芯和半导体（射频仿真）等细分领域突破，2025年国产化率提升至30%。生态构建阶段通过华为哈勃等产业资本联动，形成"设计+制造"本土生态，如合见工软实现数字验证全流程覆盖，全芯智造填补计算光刻等制造类EDA空白。020304多芯粒协同设计技术需求工具链重构从单一芯片设计扩展到系统级设计，要求EDA工具集成电磁场仿真、多物理场分析等功能，国际巨头通过并购（如Synopsys收购Ansys）强化能力，国产厂商需突破射频EDA等关键技术。设计方法革新传统线性设计流程难以满足Chiplet需求，需开发基于DTCO（设计-工艺协同优化）的新方法学，如芯和半导体的高速互连分析方案可缩短先进封装开发周期。异构集成挑战Chiplet技术推动芯片设计从单片向多芯粒集成转变，需解决跨工艺节点互连、信号完整性和热管理等问题，要求EDA工具支持3DIC封装仿真和系统级协同优化。多芯粒协同设计技术概述02通过将复杂SoC拆分为功能独立的芯粒，采用先进封装技术（如2.5D/3D集成）实现异构计算，显著降低研发成本并提升良率，例如AMDEPYC处理器通过Chiplet实现性能与成本的平衡。芯粒(Chiplet)技术原理模块化设计突破摩尔定律瓶颈UCIe等开放标准统一了芯粒间物理层与协议层通信，解决了互连兼容性问题，使不同工艺节点、不同厂商的芯粒能灵活组合，加速产业生态协同。标准化接口协议的核心作用芯粒集成需同步优化电信号完整性、热传导路径和机械应力分布，传统单点仿真工具难以应对，需EDA工具提供跨域协同分析能力。多物理场耦合的复杂性不同芯粒可能采用7nm、14nm等混合制程，中介层（如硅基/玻璃基）的介电常数与线宽差异需通过EDA数据库标准化建模，避免信号衰减与时序冲突。多芯粒堆叠导致局部热点与翘曲风险，要求EDA工具集成热应力仿真模块，如硅芯科技的3Sheng平台可预测热膨胀系数不匹配引发的可靠性问题。TSV/TGV等垂直互连结构引入寄生电容/电感，需通过3D寄生参数提取工具提前评估，优化布局以避免信号串扰和延迟。工艺兼容性问题高密度互连的寄生效应热-力协同管理难题多芯粒系统设计面临工艺差异、互连密度、功耗散热等多维度挑战，需通过EDA工具实现从架构规划到物理实现的全局协同优化。异构集成设计挑战协同设计流程框架基于系统级性能指标（如PPA）自动生成芯粒拓扑方案，支持RDL布线、TSV阵列等关键参数的早期探索，减少后期迭代成本。集成AI驱动的功耗分布优化算法，动态调整芯粒位置与供电网络，实现能效比提升30%以上。通过统一数据库（如硅芯科技的工艺模型库）打通设计与封装厂数据流，实时校验DRC规则，避免因工艺限制导致的返工。多物理场联合仿真平台（如芯和半导体STCO方案）同步分析电磁干扰、热阻网络和机械应力，确保系统级可靠性。建立国产EDA工具链与封装厂（如长电科技、通富微电）的深度合作，将DFM规则嵌入设计阶段，提升首轮流片成功率。支持Chiplet设计资产复用，构建可扩展的IP芯粒库，降低异构系统开发门槛。架构级协同规划物理实现与验证闭环设计-制造协同生态国产EDA工具架构设计03系统级设计架构01.原生一体化设计国产EDA工具采用由同一团队开发的原理图-PCB-封装全流程解决方案，确保数据无缝流转，避免传统工具链中因模块割裂导致的格式转换错误和效率损失。02.多物理场协同通过集成电磁仿真、热分析和机械应力验证等功能模块，实现芯片-封装-系统级的跨领域协同优化，满足复杂电子系统设计需求。03.国产化适配深度适配银河麒麟等国产操作系统，并提供中文界面与本地化符号库，显著降低国内工程师的学习成本和使用门槛。分布式计算支持1234并行计算加速采用分布式算法分解大规模布局布线任务，实测在12层以上PCB设计中可将布线效率提升35%，特别适合高密度互连场景。支持多用户实时同步编辑设计文件，通过冲突检测与版本管理机制，使分布式团队的设计迭代周期缩短40%。异地团队协作资源弹性调度根据项目复杂度动态分配计算节点，在封装设计等内存密集型任务中可自动扩展至集群计算，避免本地硬件性能瓶颈。数据安全传输采用国密算法加密设计文件传输，满足军工、航天等领域对敏感数据的安全管控要求。提供基于浏览器的轻量化设计环境，工程师可随时通过终端访问项目数据，实现"设计-仿真-评审"全流程云端闭环。云端协同平台将EDA功能拆解为可独立部署的服务单元，支持快速迭代更新，例如单独升级RedPI仿真引擎而不影响其他模块运行。微服务化架构通过Docker容器封装复杂依赖环境，使企业IT部门能够一键部署完整EDA工具链，大幅降低运维成本。容器化部署云原生技术应用芯片间互连设计支持04高速互连协议支持国产EDA工具已实现对这些超高速互连协议的完整支持，包括物理层编码、链路训练和错误恢复机制的全套验证环境，确保多芯粒系统在56Gbps以上速率下的稳定通信。PCIe6.0/CXL3.0协议栈针对光电混合封装场景，工具提供光链路建模与电光转换仿真能力，可对硅光引擎的调制效率、光纤耦合损耗等关键参数进行协同优化。硅光互联集成通过内置JEDEC标准兼容性检查模块，自动识别时序违例和信号拓扑缺陷，支持高达6400Mbps的数据速率下多芯片内存共享设计。DDR5/LPDDR5内存接口集成电磁场、热力学和机械应力耦合求解器，可精确预测高速信号在跨芯粒传输时的串扰、衰减和阻抗不连续问题，尤其适用于3D堆叠封装中的TSV阵列分析。多物理场耦合仿真采用分布式PDN建模方法，可捕捉电源地网络对高速信号的开关噪声影响，实现同时满足信号完整性和电源完整性的协同设计方案。电源噪声耦合分析提供从S参数提取到眼图预测的全流程自动化分析，支持对SerDes链路进行基于机器学习的均衡方案优化，将设计收敛周期缩短60%以上。通道特征化工具结合Foundry提供的工艺偏差数据，自动执行PVT（工艺/电压/温度）全角落仿真，确保多芯粒互连在极端工况下的可靠性。工艺角自动扫描信号完整性分析01020304功耗协同优化互连功耗预算分配基于流量模式分析智能分配片间互连的功耗预算，在保证吞吐量前提下将SerDes模块待机功耗降低至5mW/Gbps以下。热-电协同仿真建立芯片封装联合热阻模型，预测热点分布对供电网络IRDrop的影响，指导散热结构与供电网络的协同设计。动态电压频率岛通过分析各芯粒的计算负载特征，工具可自动划分电压域并优化DVFS策略，在28nm工艺节点实测节省系统级功耗达23%。异构封装设计能力052.5D/3D封装支持高密度互连建模通过标准化数据库构建RDL、硅中介层、TSV/TGV等工艺参数模型，实现纳米级精度的多芯片互连规划，解决传统工具难以处理的微凸点布局和信号完整性挑战。全流程工具链整合提供从架构设计（Zenith）到物理实现（Ranger）的闭环解决方案，覆盖HBM堆叠、GPU高带宽存储等场景的Pin映射和差分对布线需求。跨工艺协同设计支持Chiplet、CoWoS等异构架构，将分散的工艺规则转化为可调用模型，使设计端能早期完成寄生参数评估和热应力预测，减少后期返工。热力学协同分析4材料兼容性评估3动态功耗分析2热阻网络建模1多物理场耦合仿真分析硅、有机基板与TSV填充材料的热膨胀系数差异，预警可能由CTE失配导致的界面分层风险。针对硅中介层和玻璃基板等材料特性，建立三维热传导模型，预测堆叠结构中热点分布，优化微凸点阵列布局以降低热耦合效应。结合芯片活动因子和功耗密度图，模拟不同工作负载下的瞬态温度场变化，为功耗-性能权衡提供数据支撑。集成电-热联合分析能力，通过芯片级EM-IR模型生成详细热源数据，再导入系统级解决方案评估封装/PCB散热效果，解决AI芯片的散热瓶颈问题。机械应力仿真翘曲变形预测基于工艺参数库建立封装结构有限元模型，模拟回流焊和温度循环过程中的基板形变，指导中介层厚度和underfill材料选择。通过应力-应变分析评估TSV阵列在机械载荷下的疲劳寿命，优化凸点间距和焊料成分以提升长期可靠性。解析芯粒堆叠时硅通孔与重分布层的机械相互作用，识别应力集中区域并调整布局避免裂纹扩展。微凸点可靠性验证多芯片应力耦合设计数据统一管理06多格式数据兼容支持主流EDA格式兼容GDSII、LEF/DEF、SPICE等标准格式，确保与第三方工具无缝对接。实现不同工艺节点、设计阶段的数据统一管理，提升多芯粒设计效率。提供开放式接口，支持用户自定义数据格式导入导出，满足特定项目需求。异构数据整合自定义格式扩展版本控制系统集成分布式版本管理内置Git/SVN适配引擎，支持设计文件的增量存储与分支合并，自动记录版图修改轨迹，实现多团队并行开发的历史版本追溯。02040301设计冻结机制提供项目里程碑节点的数据快照功能，锁定特定版本的设计状态，确保流片阶段数据不可篡改。变更冲突预警通过实时比对工具检测多人协同设计时的规则冲突（如DRC违例、网络拓扑变更），自动标记需人工复核的关键差异点。权限颗粒化控制基于RBAC模型实现模块级访问权限管理，支持IP核设计数据的加密分区存储与分级授权访问。设计数据安全机制国密算法加密采用SM4/SM9算法对设计数据库进行全链路加密，防止芯片关键参数（如FinFET结构、金属堆叠方案）在传输过程中泄露。可信执行环境依托国产CPU的TEE技术构建安全沙箱，隔离EDA工具与操作系统间的敏感数据交互，阻断侧信道攻击。水印追踪系统在GDSII输出阶段嵌入可识别设计方信息的隐形数字水印，支持通过特定光学检测设备追溯芯片知识产权归属。协同验证技术实现07跨芯片时序分析统一时序约束管理支持多芯粒设计的全局时序约束定义与传递，确保跨芯片信号路径的时序一致性。针对不同芯粒的时钟域差异，提供时钟偏移、抖动及同步策略的自动化验证。集成TSV（硅通孔）和微凸块等先进封装互连结构的延时计算，优化跨芯粒关键路径时序收敛。分布式时钟域同步分析3D-IC互连延时建模系统级功能验证硬件仿真加速通过国产自研硬件仿真器UVHS支持超60亿门级设计验证，采用事件驱动型仿真引擎，实现多芯粒系统功能场景的实时覆盖率分析，验证效率较传统软件仿真提升100倍以上。协议一致性测试内置NvLink/UB/SUE等主流互联协议测试套件，自动检测芯粒间数据传输的协议合规性，定位握手超时、CRC校验错误等跨芯片通信问题，确保异构计算单元的功能协同性。故障注入测试支持在RTL级和门级进行系统性故障注入，模拟电源噪声、信号串扰等极端工况下的芯粒交互行为，提前暴露多芯片系统在复杂环境中的功能失效风险。AI辅助验证集成机器学习驱动的验证路径优化技术，基于历史验证数据智能预测关键验证场景，自动生成高覆盖率的测试向量，将验证周期从传统人工方案的数月缩短至数周。三维电源网络分析采用基于有限元法的3D电源网格建模技术，精确仿真TSV（硅通孔）和微凸点（Microbump）的电流密度分布，识别多芯粒系统中因电流拥塞导致的局部过热风险点。功耗完整性验证动态功耗追踪结合开关活动因子（SAF）和时空功耗剖面分析，实时监控各芯粒在不同工作模式下的功耗波动，提供电压降（IRDrop）和地弹（GroundBounce）的量化评估报告。电热协同仿真通过耦合电磁场与热力学模型，预测芯片-封装-系统的多物理场耦合效应，输出温度梯度对晶体管阈值电压漂移（VthShift）的影响数据，指导散热方案优化。物理实现协同优化08多维度约束建模通过建立芯片面积、功耗、热分布和信号完整性等多维度约束模型，实现Chiplet间物理布局的全局优化，避免传统单点优化导致的局部最优问题。采用基于中介层（Interposer）的互连拓扑分析技术，自动生成最优的bump分布方案，确保高密度互连下的信号完整性，降低串扰和延迟。集成3D堆叠结构的温度场仿真模块，在布局阶段预测热点分布，动态调整Chiplet位置以平衡热负载，防止局部过热导致的性能退化。结合先进封装工艺规则（如TSV密度、微凸点间距等），实时检查布局方案是否符合封装厂的设计规则约束，减少后期返工风险。跨die互连规划热力学协同仿真可制造性验证布局规划协同01020304布线资源分配建立统一的布线资源数据库，支持跨Chiplet的金属层、中介层走线和硅通孔（TSV）资源的动态分配，提升高密度互连区域的布线成功率。全局布线资源池根据时序关键路径、电源网络和高速信号等不同需求划分布线优先级，优先保障时钟、高速SerDes等关键网络的布线质量。优先级驱动布线通过嵌入传输线模型和电磁场求解器，自动优化差分对走线的宽度/间距，确保跨die互连的阻抗连续性，将反射损耗控制在-30dB以下。阻抗一致性控制分布式时钟架构采用基于硅中介层的全局-局部时钟树分级综合技术，在保持各Chiplet内部时钟树独立性的同时，确保跨die时钟偏差小于5ps。自适应缓冲器插入根据3D堆叠结构的寄生参数变化，动态调整时钟缓冲器的数量和位置，补偿由TSV和微凸点引入的额外延迟。功耗-抖动协同优化运用机器学习算法平衡时钟驱动强度与功耗的关系，在满足抖动要求（<1%周期）的前提下，降低时钟网络功耗15%-20%。热敏感时钟调整集成实时热阻模型，当检测到局部温度变化时自动重配置时钟驱动器参数，防止温度引起的时钟偏移超出容限范围。时钟树综合优化设计规则检查(DRC)增强09跨芯片DRC规则互连密度梯度控制设置芯粒边界区域的互连密度渐变规则，避免因密度突变引起的应力集中问题，规则需包含TSV阵列与微凸点分布的过渡参数。异质材料兼容性检查建立不同芯片材料（如硅基与玻璃基）的膨胀系数补偿规则，防止因热应力导致的结构失效，需结合有限元分析数据动态调整规则阈值。多芯片间距约束针对芯粒间互连区域制定特殊间距规则，需考虑信号完整性、热膨胀系数差异等因素，确保跨芯片走线满足电磁兼容性要求。3D堆叠检查垂直通孔对齐验证通过三维空间坐标校验TSV与微凸点的轴向偏差，要求Z轴偏移量不超过工艺允许的0.1μm容差，同时检测相邻层通孔的电磁屏蔽完整性。01热耦合分析集成将芯片堆叠结构的局部热阻参数纳入DRC规则库，自动标记热流路径上不符合散热要求的金属层密度区域。机械应力仿真联动结合晶圆键合工艺参数，检查3D结构中应力敏感区域的图形布局，禁止在高压区域布置脆性低k介质材料。跨层信号完整性建立3D互连网络的串扰检查规则，包括垂直方向上的电容耦合阈值、相邻TSV串扰屏蔽环的完整性验证等电磁约束条件。020304制造工艺兼容性多工厂工艺校准内置主流代工厂的工艺偏差补偿算法，自动转换不同厂家的设计规则数据格式，确保同一设计在不同产线的可制造性。混合节点兼容支持7nm与16nm等混合工艺节点的规则融合，特别处理不同制程接触孔与金属层的对接区域，避免因光刻对准误差导致的短路风险。缺陷敏感度建模集成工艺缺陷概率模型，对高频失效区域（如窄间距走线、高深宽比通孔）实施增强型规则检查，标记需工艺补偿的临界设计特征。热管理与功耗分析10系统级热仿真01.多物理场耦合分析整合电-热-力耦合仿真模型，精准预测芯片在不同负载下的温度分布与热应力形变，避免局部过热导致的性能劣化。02.动态功耗映射技术通过实时追踪各芯粒的功耗变化，建立功耗-温度反馈闭环，为散热方案设计提供数据支撑。03.异构集成热评估针对2.5D/3D封装中的垂直堆叠结构，模拟TSV（硅通孔）的热传导效应与层间热耦合影响，优化散热微通道布局。感谢您下载平台上提供的PPT作品，为了您和以及原创作者的利益，请勿复制、传播、销售，否则将承担法律责任！将对作品进行维权，按照传播下载次数进行十倍的索取赔偿！功耗分布优化动态功耗追踪通过芯片封装协同仿真技术，实时监测各芯粒模块的开关活动因子与电压域状态，生成三维功耗密度云图，定位异常功耗聚集区域。多物理场耦合集成电磁-热-力耦合仿真引擎，评估功耗分布对信号完整性（SI）的影响，预测高频信号路径的温升导致的阻抗失配问题。供电网络协同结合电源完整性（PI）分析工具，优化供电网络阻抗分布，将IR压降控制在5%阈值内，同时降低去耦电容占用面积15%以上。时钟树热平衡采用温度感知的时钟树综合算法，在满足时序约束前提下，通过调整缓冲器布局使温度梯度差异缩小40%，避免局部过热导致的时序漂移。散热方案评估支持嵌入式微流道散热结构的参数化建模，模拟不同流道拓扑（蛇形/树状/分形）的散热效率，优化冷却液流速与压降平衡点。微通道冷却验证建立包含导热硅脂、相变材料、金属焊料等12类界面材料的数据库，通过接触热阻仿真推荐最佳厚度与填充方案。热界面材料选型集成计算流体力学（CFD）模块，分析不同鳍片间距、风扇布局下的对流换热系数，提供风道设计Pareto前沿优化曲线。强制风冷仿真测试与可测性设计11跨芯片测试架构通过芯粒级、互联级和系统级分层测试架构，实现对2.5D/3D封装中不同层级缺陷的精准定位，其中芯粒级聚焦单个裸片功能验证，互联级检测TSV/TGV等垂直互连结构，系统级验证整体信号完整性。分层测试策略基于IEEE1149.1标准开发增强型边界扫描链，支持跨芯粒的测试数据传递，通过专用测试总线实现多裸片间的扫描路径串联，解决堆叠芯片物理探针无法触及内部节点的难题。边界扫描扩展集成温度传感器与电流监测电路，实时采集工作状态下的热分布和功耗数据，结合机器学习算法建立热-电耦合模型，提前识别由热应力引起的潜在故障。热-电协同测试采用基于优先级的动态测试调度算法，根据芯粒重要性、测试耗时和资源冲突情况，智能分配测试带宽，最大化测试覆盖率的同时缩短整体测试时间。可配置测试调度在关键芯粒中嵌入内建自测试(BIST)模块，包括存储器BIST、逻辑BIST和互联BIST，通过片上测试控制器协调各模块并发执行，显著降低对外部测试设备的依赖。分布式BIST设计利用2.5D封装中的硅中介层布设专用测试网络，通过微凸块连接各芯粒的DFT端口，提供高带宽、低延迟的测试数据通路，支持每秒千兆比特级测试向量传输。硅中介层通道针对3D堆叠芯片开发基于硅光子的测试接口，通过光栅耦合器将电测试信号转换为光信号传输，突破传统金属互连的带宽限制，特别适合HBM等高频存储芯粒测试。光学测试接口将功能性TSV在测试模式下切换为测试访问通道，采用时分复用技术共享信号引脚，在不增加额外封装成本的前提下实现垂直方向的全栈测试访问。穿透硅通孔(TSV)复用采用近场通信(NFC)或毫米波无线传输技术，在封装表面集成微型天线阵列，实现非接触式测试激励施加和响应采集，避免物理探针对脆弱封装结构的机械损伤。无线测试探针测试访问机制01020304故障诊断支持建立包含电特性参数、热成像图谱、时序违规模式等多维特征的故障数据库，通过模式匹配算法快速定位短路、开路、延迟故障等典型缺陷的物理位置。多维故障特征库开发基于深度学习的动态诊断引擎，能够根据实时测试反馈自动调整诊断策略，对于间歇性故障和工艺相关缺陷的识别准确率提升40%以上。自适应诊断算法利用电磁场仿真重建芯片内部信号传播路径，结合测试响应数据反向推导故障点，实现无需物理探测的"虚拟切片"分析，显著提高复杂3D结构的故障定位精度。虚拟探针技术国产EDA工具生态建设12物理IP库建设合见工软发布的五款高速接口IP产品，采用统一验证框架与EDA工具链深度集成，可缩短芯片设计周期30%以上，特别适用于AI芯片和HPC的多芯粒互连场景。接口IP标准化EDA-IP协同验证概伦电子并购锐成芯微后，实现了SPICE仿真工具与存储IP的联合优化，通过预验证IP模型降低设计迭代次数，提升先进工艺节点下的首次流片成功率。锐成芯微通过积累超1000项物理IP，覆盖5nm至180nm工艺，构建了国内最完整的模拟/数模混合IP库，其嵌入式存储IP全球排名第五，为国产EDA提供底层技术支撑。IP核生态系统PDK联合开发华大九天与中芯国际建立PDK联合实验室，其ALPS仿真工具已通过4nm工艺认证，实现从器件模型到设计规则的全程国产化配套，打破国际巨头对先进工艺EDA的垄断。特色工艺适配广立微收购比利时LUCEDA后，将硅光EDA解决方案与国内化合物半导体产线对接，为GaN/SiC功率器件提供定制化设计流程，填补了第三代半导体设计工具空白。制造反馈闭环概伦电子通过收购纳能微获得45.64%晶圆厂测试IP资源，构建了从EDA工具到测试数据的反向优化通道，可针对良率问题快速调整设计规则。多工艺平台兼容芯和半导体被华大九天收购后，其射频EDA工具已支持台积电、三星、SMIC等七大代工厂的RF工艺套件，实现国产工具在多产线间的无缝迁移。工艺厂合作模式01020304开发者社区构建开源工具链计划合见工软推出硬件仿真平台UVHP的开发者套件，提供API接口和参考设计，吸引超200家设计公司参与生态共建，加速国产验证工具在实际项目中的渗透。开发者大赛激励华大九天连续三年举办"九天杯"EDA竞赛，设置数字全流程设计、AI布局布线等赛道，累计吸引海内外高校团队超500支，推动工具在实际场景中的迭代优化。产学研联合培养上海科创集团投资概伦电子后，联合复旦大学设立EDA人才培养专项，针对物理IP与仿真算法等薄弱环节定向输送专业人才。典型应用案例分析13弘快科技RedPKG在AI芯片封装设计中实现CPU/GPU/TPU多芯粒异构集成，通过AI算法自动优化互连拓扑，将信号延迟降低23%，功耗效率提升18%。该方案已应用于某国产AI训练芯片的2.5D硅中介层设计。AI芯片协同设计异构计算架构优化芯瑞微PhySimML平台对Chiplet结构的AI推理芯片进行多物理场分析，预测热点分布与机械应力集中区域，指导TSV布局调整，使芯片工作温度下降15℃，热循环寿命延长3倍。热力耦合仿真针对光计算芯片的独特需求，国产工具突破传统电学设计局限，支持光子集成电路与电子芯片的共封装设计，实现光互连通道的自动布线与时延匹配，某800G硅光模块设计周期缩短40%。硅光协同设计RedPKG在某国产超算处理器项目中完成含4096个裸晶的3D堆叠设计，通过AI驱动的电源完整性分析，将供电网络阻抗从12mΩ降至8mΩ，同时支持液冷微通道的协同优化设计。01040302高性能计算应用超算处理器封装针对HBM3内存与计算芯粒的集成挑战，国产工具开发专属设计规则检查(DRC)引擎，自动识别高密度互连中的电磁串扰风险，使信号完整性合格率从82%提升至97%。存算一体集成某星载计算机采用国产EDA进行多芯片SiP设计，通过蒙特卡洛仿真评估辐射环境下互连可靠