CN116913983B 太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统 （天合光能股份有限公司）

一端穿过第一贯穿槽与第一多晶硅掺杂导电层域是第一钝化接触层自第一贯穿槽露出的表面2所述第一钝化接触层和所述第二钝化接触层交替布置于所述基所述第一钝化膜层层叠在所述第一钝化接触层和所述第二钝化接触层的背离所述基其中，所述第一区域是所述第一钝化接触层自所述第一贯穿其中，所述第一方向为所述第一钝化接触层和所述第二钝化接触层的交替排布方向，其中，所述第二方向为所述第一电极的延伸方向，且所其中，所述第一方向为所述第一钝化接触层和所述第二钝化接触层的交替排布方向，所述第一钝化接触层还包括第一透明导电氧化物层，所述第一透明所述第二钝化接触层还包括第二透明导电氧化物层，所述第二透明3所述第一区域位于所述第一透明导电氧化物层的背离所述基所述太阳能电池还包括依次层叠于所述基底的所述第二表面的第二钝化膜层和第二形成第一钝化膜层，其中，所述第一钝化膜层层叠在所述第一钝化接触对应各所述第一多晶硅掺杂导电层的区域均开设第一贯在所述第一钝化膜层上形成第一介质层，使所述第一介质层覆盖所述第一钝化膜层，在所述第一介质层的位于所述第一贯穿槽内的极贯穿所述第一介质层与所述第一多晶硅掺杂膜层对应各所述第一多晶硅掺杂导电层的区域均开设第一贯穿槽的步在所述基片的所述基底的第二表面形成绒面结构和第二钝化膜在所述第二钝化膜层上形成第二介质层，在4在所述第一多晶硅掺杂导电层上形成第一透明导电氧化物层在所述第一介质层、所述第一钝化膜层的与所述第二多晶硅掺所述在所述第一介质层的位于所述第一贯穿槽内的部分上形成一电极贯穿所述第一介质层与所述第一多晶硅掺杂导电层欧在所述第一介质层的位于所述第一贯穿槽内的部分上印刷第一述第一浆料穿透所述第一介质层并接触至所述第一多晶硅掺5正面无金属遮光，极大的提高了电池的光学吸收。TOPCon(TunnelOxidePassivated化层叠加掺杂的多晶硅层形成了钝化接触结构，有效降低了硅片表面和金属接触复合速6第二钝化接触层交替布置于基底的第一表面，第一钝化接触层包括第一多晶硅掺杂导电[0030]在第一钝化接触层上、绝缘隔离槽内以及第二钝化接触并在第一钝化膜层对应各第一多晶硅掺杂导电层的区域均7[0055]图5为本申请实施例提供的太阳能电池的制作方法中形成第一贯穿槽的结构示意8[0056]图6为本申请实施例提供的太阳能电池的制作方法中形成的太阳能电池的结构示位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必9[0070]第一钝化膜层30层叠在第一钝化接触层10、绝缘隔离槽A内以及第二钝化接触层[0073]本申请实施例中，通过第一介质层40覆盖第一钝化接触层10上的第一区域E，其[0075]第一钝化膜层30可以是氧化铝等起到钝化作用的膜层。第一介质层40为减反射以是沿平行于第一表面F的某个方向交替布置。第一钝化接触层10还可以包括第一隧穿氧硅掺杂导电层12依次层叠布置于第一表面F，第二隧穿氧化层21和第二多晶硅掺杂导电层[0077]另外，绝缘隔离槽A是指各相邻的第一钝化接触层10和第二钝化接触层20之间被[0079]第一介质层40覆盖第一多晶硅掺杂导电层12上的第一区域E，是指第一介质层40能会通过第一贯穿槽31露出的部分全部覆盖并保第一贯穿槽31沿第一方向D的宽度与第一电41沿第一方向D的两个侧壁紧密接触。如此，避免第一介质层40和第一电极50之间产生缝[0087]进一步地，太阳能电池100还包括依次层叠于基底101的第二表面S的第二钝化膜化物层80，第二透明导电氧化物层80设置于第二多晶硅掺杂导电层22的背离基底101的一[0093]通过设置横向导电性较好的第一透明导电氧化物层70和第二透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层80也具有理想的抗光反射特性，不会影响到正常的太阳能电池一介质层40中携带的H元素可以在烧结的过程中扩散到基底101中，对基底101中的硅晶体第一钝化接触层10的背离基底101的最外层为第一透明导电氧化物层70，因此第一钝化接触层10自第一贯穿槽31露出的表面也即第一透明导电氧化物层70自第一贯穿槽31露出的施例提供的太阳能电池的制作方法中形成的基片的结构示意图，图5为本申请实施例提供的太阳能电池的制作方法中形成第一贯穿槽的结构示意图，图6为本申请实施例提供的太阳能电池的制作方法中形成的太阳能电池的结触层10包括第一多晶硅掺杂导电层12，第二钝化接触层20包括第二多晶硅掺杂导电层22，的区域之外的区域全被第一介质层40覆盖，第一钝化接触层10的背离基底101的表面不存[0106]在第一钝化膜层30对应各第一多晶硅掺杂导电层12的区域接触层10自第一贯穿槽31露出的表面完全被第一介[0109]步骤S20中，在第一钝化膜层30对应各第一多晶硅掺杂导电层12的区域均开设第钝化膜层30之前在第二表面S形成第二钝化膜层[[0116]在第二钝化膜层90上形成第二介质层91在第钝化膜层30上形成第介质层,一钝化膜层30和第二钝化膜层90中包括的氢晶硅掺杂导电层12的背离基底101的一侧，第二透明导电氧化物层90形成在第二多晶硅掺[0128]将第一表面F上的硼硅玻璃BSG膜层以及掩膜层部分去除，并使剩余硼硅玻璃BSG膜层以及掩膜层在非晶硅材料层上的第一布置区域，与太阳能电池100中掺杂浓度较低的[0129]通过剩余硼硅玻璃BSG膜层，将非晶硅材料层中与第一布置区域对应的区域形成第一多晶硅掺杂导电层12，例如可以将硼硅玻璃BSG膜层中的硼元素在高温条件下推进到二布置区域与太阳能电池100中掺杂浓度较高的第二多晶硅掺杂导电层22的设置区域对[0131]在各相邻的第一多晶硅掺杂导电层12和第二多晶硅掺杂导电层22之间开设绝缘[0134]步骤二：在APCVD设备中在本征非晶硅材料层的背离基底101的一侧表面(第一表池100中掺杂浓度较低的第一多晶硅掺杂导电层12的设置区域对应，即，使剩余硼硅玻璃硅玻璃BSG膜层中的硼元素推进到非晶硅材料层中，以形成P型的第一多晶硅掺杂导电层[0139]步骤七：在基底101的第二表面S一侧和第一表面F一侧依次沉积