CN119451185A 碳化硅外延片、制备方法、碳化硅器件及电子设备 （华为技术有限公司）

置在衬底的一侧，并掺杂有氮杂质和等电子杂质；缓冲层中氮杂质的掺杂浓度为第一掺杂浓冲层和漂移层在接触界面处晶格常数的差值小2其中，所述缓冲层和所述漂移层在接触界面处晶格常数的差值5.根据权利要求2至4中任一项所述的碳化硅外6.根据权利要求2至5中任一项所述的碳化硅外延片，9.根据权利要求7或8所述的碳化硅外延片，3设置在所述电路板上的如权利要求14所述的碳化4[0004]然而，相关技术提供的碳化硅外延片在缓冲层和漂移层之间容易出现扩展型缺在接触界面处的晶格失配应力，晶格失配应力的缩小可以有效抑制基平面位错(Basel56及采用该碳化硅外延片制备的碳化硅器件性可以使缓冲层和漂移层在接触界面处的晶格常数差值为0，从而避免缓冲层与漂移层在接触界面处产生晶格失配应力，进而能够有效避免BPD在缓冲层和漂移层在接触界面处的滑7设置在电路板上的如第三方面实施例中所述的碳化8分会在外延生长过程中自发地转化为穿透刃位错(Threadingedgedislocation，缩写[0051]如图2所示，由于碳化硅中掺杂的氮原子会倾向于替代碳(C)原子的晶格点位(掺配应力会导致BPD在接触界面处产生滑移。当BPD在缓冲层4和漂移层3的接触界面处滑移[0052]HLA位错会影响碳化硅外延片10的性能，以及影响采用该碳化硅外延片10制备的3中氮杂质的掺杂浓度进一步降低，会导致漂移层3和缓冲层4之间氮杂质掺杂浓度的差异移层3之间晶格常数的逐渐过渡，从而能够抑制BPD在缓冲层4和漂移层3接触界面处的滑提高采用该碳化硅外延片10制备的碳化硅器件节外延C/Si(碳/硅)比和氮气气源流量实现，而外延工艺过程中C/Si比的精细控制会给外9右不限于相对附图中的部件示意置放的实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本申请的至少一个实施例或示例料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差相等的可接受偏差范围内例如可以是相等的两者之间的差值小于或等于其中任一者的[0066]本申请实施例中参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图和/或等效电们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范层3可以用作能够承受高压的耐高压区，使得碳化硅外延片10可以用于制备耐压等级要求子杂质的掺杂属于等电子掺杂，等电子掺杂是指只起到改变半导体材料晶格常数的作用，不会影响半导体材料中载流子密度的等电性掺杂。等电子杂质的选择与半导体材料相关，掺杂有氮杂质的碳化硅外延层2，且氮杂质的掺杂浓度分别为第一掺杂浓度和第二掺杂浓触界面处的晶格失配应力，晶格失配应力的缩小可以有效抑制BPD在缓冲层4和漂移层3接采用该碳化硅外延片10制备的碳化硅器件引入其他外延工艺参数的变化，从而能够避免对外延工艺调控尤其是缺陷密度控制的影使缓冲层4和漂移层3在接触界面处的晶格常数差值为0，从而避免缓冲层4与漂移层3在接触界面处产生晶格失配应力，进而能够有效避免BPD在缓冲层4和漂移层3在接触界面处的[0082]在本申请实施例提供的碳化硅外延片10中，第三掺杂浓度在缓冲层4中可以为恒用该碳化硅外延片10制备的碳化硅器件性采用上述设计的第三掺杂浓度掺杂，可以使等电子杂质能够逐渐补偿缓冲层4中由于氮掺还可以兼顾衬底1与缓冲层4之间晶格常数的差值，提高衬底1与缓冲层4之间的接触质量；面还可以兼顾衬底1与缓冲层4之间晶格常数的差值，提高衬底1与缓冲层4之间的接触质_3]_3,1×1018cm_3]，[1×1010cm_3,1×1020cm_3]，[1×105cm_3,1×1015cm_3]或[1×在第一掺杂浓度为1×1018cm_3的情况下，缓冲层4中第三掺杂浓度的最大值也为1×1018cm[0099]等电子掺杂气源用于实现对缓冲层4的等电子掺杂，通过控制等电子掺杂气源的杂气源的流量连续增大。该流量连续增大的规律也可以参考第三掺杂浓度在缓冲层4中的[0107]在缓冲层4形成后，调整生长气源和氮掺杂气源在缓冲层4远离衬底1的一侧制作晶格失配应力，晶格失配应力的缩小可以有效抑制BPD在缓冲层4和漂移层3在接触界面处引入其他外延工艺参数的变化，从而能够避免对外延工艺调控尤其是缺陷密度控制的影[0113]本申请实施例提供的碳化硅器件30可以为肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写SBD)、绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，缩写IGBT)、金属_氧化物_半导体场效应晶体管(Metal_Oxide_SemiconductorField_EffectTransistor,缩写MOSFET，又简称为MOS管)、结型场效应晶体管(JunctionField_Effect[0114]本申请实施例所提供的碳化硅器件30所能够达到的技术效果与上述任一实施例[0119]本申请实施例所提供的电子设备40所能够达到的技术效果与上述任一实施例的