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文档简介
1+X集成电路理论模拟考试题(含答案)
一、单选题(共39题,每题1分,共39分)
1.用平移式分选机设备进行芯片检测的第二个环节是()。
A、分选
B、上料
C、测试
D、外观检查
正确答案:C
答案解析:平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为:上料T
测试T分选T外观检查T真空包装。
2.芯片检测工作流程()0
A、确定产品等级、研读Spe确定机械手、确定测试机、设计测试
DUT、方案编程调试、批量脸证
B、确定产品等级、斫读Spe确定机械手、设计测试DUT、确定测试
机、方案编程调试、批量险证
C、确定产品等级、方案编程调试、研读Spe确定测试机、确定机械
手、设计测试DUT、批量验证
D、确定产品等级、研读Spe确定测试机、确定机械手、设计测试
DUT、方案编程调试、批量验证
正确答案:D
3.选择集成电路的关键因素主要包括()。
A、性能指标
B、工作条件
C、性价比
D、以上都是
正确答案:D
4.4英寸的单晶硅锭的切割方式为:()。
A、外圆切割
B、内圆切割
C、线锯切割
D、以上均可
正确答案:B
答案解析:直径V300M时采用内圆切割,直径2300mm时采用外圆切割、
线锯切割。4英寸的单晶硅锭直径为100mm,切割方式为内圆切割。
5.编带过程中,在进行热封处理后,需要进行()环节。
A、芯片放入载带
B、密封
G编带收料
D、光检
正确答案:C
答案解析:转塔式分选机进行编带的步豚是:芯片光检-►载带移动-►热
封处理T编带收料T清料。
6.先进的平坦化技术有()。
A、反刻法
B、高温回流法
C、旋涂玻璃法
D、化学机械抛光法
正确答案:D
答案解析:反刻法、高温回流法、旋涂玻璃法属于传统平坦化技术,化学
机械抛光法属于先进平坦化技术。
7.下列选项中,()是封装工艺中不涉及的工序。
A、第一道光检
B、第二道光检
C、第三道光检
D、第四道光检
正确答案:A
答案解析:封装工艺中,第二道光检主要是针对晶圆切割之后的外观检
查,是否有出现废品(质边等情况)。引线键合完成后要进行第三道光检,
主要是为了检查芯片粘接和引线键合过程中有没有产生废品。切筋成型
之后需要进行第四道光检,针对后段工艺的产品进行检查、剔除。
8.单晶炉加热过程中炉体冷却水中断或流量不足,提示水流量低报
警,该故障是()。
A、断水
B、打火
C、电极故障
D、液面过低
正确答案:A
9.利用平移式分选设备进行芯片分选时,分选环节的流程是()。
A、吸嘴吸取芯片T分选T收料
B、分选T收料T吸嘴吸取芯片
C、吸嘴吸取芯片T收料T分选
D、分选T吸嘴吸取芯片T收料
正确答案:A
10.晶圆贴膜过程中,需要外加一个(),它起到支撑的作用。
A、晶圆基底圆片
B、晶圆贴片环
C、蓝膜支撑架
D、固定挂钩
正确答案:B
答案解析:在贴膜过程中,需要外加一个厚度与晶圆一致但环内径比晶
圆直径大的金属环,也就是晶圆贴片环。它起到支撑的作用,可以使切
割后的晶圆保持原来的形状,避免晶粒相互碰撞,便于搬运。
11.元器件的标志方向应按照图纸规定的耍求,若装配图上没有指明
方向,则应使标记向外易于辨认,并按照()的顺序读出。
A、从右到左、从上到下
B、从左到右、从上到下
C、从左到右、从下到上
D、从右到左、从下到上
正确答案:C
12.平移式分选机设备的上料步骤正确的是:()。
A、待测芯片上料T吸嘴转移芯片T空料盘替换
B、吸嘴转移芯片T待测芯片上料T空料盘替换
C、空料盘替换T待测芯片上料T吸嘴转移芯片
D、吸嘴转移芯片T空料盘替换T待测芯片上料
正确答案:A
答案解析:平移式分选机设备的上料步既为:待测芯片上料"►吸嘴转移
芯片T空料盘替换。
13.晶圆切割的作用是()。
A、对晶圆边缘进行修正
B、将完整的晶圆分割成单独的晶粒
C、在完整的晶圆上划出切割道的痕迹,方便后续晶粒的分离
D、切除电气性能不良的晶粒
正确答案:B
答案解析:晶圆切割将整片晶圆切割成一颗颗独立的晶粒,用于后续集
成电路的制造。
14.重力式分选机进行自动上料筛选,当检测到传送带上的料管放置
不符合要求时,下一步对料管的操作是()。
A、拔出塞钉
B、进入空管槽
C、进入上料槽
D、放回上料区
正确答案:D
答案解析:激光检测到不符合要求的料管会重新放回上料区,等待下次
筛选。
15.电子组装业中最通用最广泛的文件格式是()。
A、BOM
B、PCB
C、ICT
D、Gerber
正确答案:D
16.切割完的晶圆取出后先用气枪将晶圆表面的()和硅粉尘进行初
步的清理。
A、晶圆碎片
B、切割时产生的火花
C、去离子水
D、不良晶粒
正确答案:C
17.常用的干法去胶方法有()。
A、溶剂去胶
B、氧化剂去胶
C、等离子去胶
D、介质去胶
正确答案:C
答案解析:常用的去胶方法有溶剂去胶、氧化剂去胶、等离子去胶,其
中干法去胶的方法为等离子去胶。
18.在目检过程中,筛选后出现严重失效或筛选淘汰率超过规范值,
经分析属于批次性质量问题的,应()。
A、淘汰超过规范值的部分,同时附上分析报告
B、整批淘汰,同时附上分析报告
C、留下该批次中的合格品
D、不做处理
正确答案:B
答案解析:在目检过程中,筛选后出现严重失效或筛选淘汰率超过规范
值,经分析属于批次性质量问题的,应整批淘汰,同时附上分析报告。
19.重力式分选机的测试环节是在()中进行。
A、主转塔
B、旋转台
C、测试凯道
D、水平面上
正确答案:C
答案解析:重力式分选机的测试环节是在测试轨道中进行的。主转塔和
旋转台是转塔式分选机的设备,平移式分选机是在水平面上完成芯片的
测试、分选。
20.对晶向为。11>、6英寸N型半导体材料来说,()是作为放置第
一步的光刻图形的掩膜版的依据。
A、主平面
B、次平面
C、两个平面均可
D、定位槽
正确答案:A
答案解析:晶向为<111>、6英寸N型半导体材料在定位时有两个基准面,
主平面主要用于硅片上芯片图形的定位和机械加工的定位,即作为放置
第一步的光刻图形的掩膜版的依据。
21.一般来说,()封装形式会采用转塔式分选机进行测试。
A、LGA/T0
B、LGA/S0P
C、DIP/S0P
D、QFP/QFN
正确答案:A
答案解析:一般来说,LGA/TO会采用转塔式分选机进行测试,DIP/SOP
会采用重力式分选机进行测试,QFP/QFN会采用平移式分选机进行测试。
22.在电子电路方案设计中最简单的显示平台是()。
A、OLED
B、LCD
C、LED
D、数码管
正确答案:C
23.()分选工序依靠主转盘执行,上料后主转盘旋转,每转动一
格,都会将产品送到各个工位,每个工位对应不同的作用,包括上
料位、光检位、旋转纠姿位、功能测试位等,从而实现芯片的测试
与分选。
A、重力式分选机
B、转塔式分选机
C、平移式分选机
D、真空螺旋分选机
正确答案:B
24.单晶硅锭切片后需要进行倒角,其目的是()。
A、确定定位面
B、产生精确的材料直径
C、去除硅锭两端的不符合直径要求的部分
D、去除硅片边缘锋利的棱角
正确答案:D
答案解析:定位面研磨时为了确定硅锭的定位面°径向研磨获得更精确
的直径。切割分段是为了去除硅锭两端的不符合直径要求的部分。倒角
是为了去除硅片边缘锋利的棱角使硅片边缘获得平滑的半径周线。
25.重力式分选设备进行芯片并行测试时,在测试轨道完成芯片测试
后,下一环节需要进行()操作。
A、上料
B、外观检查
C、分选
D、真空入库
正确答案:C
26.在控制LED灯的任务中,PB->OL-TEN=OxOOff的意思是。。
A、PB0~PB7设置为输入方式
B、PB0~PB7设置为输出方式
GPB0~PB7设置为高电平
D、PB0~PB7设置为低电平
正确答案:B
27.()即方形扁平无引脚封装,表面贴装型封装之一。现在多称为
LCCo封装四侧配置有电极触点。
A、QFN
B、QFP
C、LGA
D、DIP
正确答案:A
答案解析:QFN即方形局平无引脚封装,表面贴装型封装之一。现在多称
为LCC。封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP小,
高度比QFP低。
28.晶圆烘烤时,温度一般设置在()℃。
A、110
B、120
C、130
D、140
正确答案:B
答案解析:晶圆烘烤时,温度一般设置在120℃。
29.用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时,通过()可以得到高纯度的
四氯化硅。
A、高温还原炉
B、精镭塔
C、多晶沉积设备
D、单晶炉
正确答案:B
答案解析:用四氯化硅氢还原法进行硅提纯时,通常使用精储法,精储
法是在精德塔中实现的。
30.下列描述错误的是()o
A、转塔式分选机包括上料位、光检位、旋转纠姿位、功能测试位等
B、转塔式分选机分选工序依靠主转盘执行
C、转塔式分选机旋转台每转动一格,都会将产品送到各个工位
D、一般转塔式分选机都需要配合编带机使用
正确答案:D
31.在电子产品测试中需保证测试环境稳定,其中测试环境是指()。
A、硬件环境(硬件配置一致)
B、软件环境(软件版本一致)
C、使用环境(周围环境对测试的影响)
D、以上都是
正确答案:D
32.平移式分选机进行料盘上料时,在上料架旁的红色指示灯亮的含
义是()。
A、上料机构故障
B、上料架上有料盘
C、上料架上有空料盘
D、上料架上没有料盘
正确答案:B
答案解析:平移式分选机进行料盘上料时,上料架上是否有料盘可以通
过上料架旁的传感器进行检测。当传感器指示灯为红色时,表明上料架
上还有料盘,可以继续进行上料,当传感器指示灯为绿色时,表明上料
架上无料盘,停止上料。
33.关于全自动探针台扎针调试的步骤,下列说法正确的是:()。
A、输入晶圆信息T调出检测MAP图T自动对焦T扎针调试
B、输入晶圆信息T自动对焦->调出检测MAP图T扎针调试
C、输入晶圆信息T自动对焦T扎针调试T调出检测MAP图
D、输入晶圆信息T调出检测MAP图T扎针调试T自动对焦
正确答案:B
答案解析:全自动探针台扎针调试步躲:输入晶圆信息T自动对焦T调
出检测MAP图T扎针调试。
34.反应离子刻蚀的过程简单来说是()。
A、电离T解吸、排放T轰击T扩散、反应
B、轰击-►电离T扩散、反应-►解吸、排放
C、电离T扩散、反应T轰击-►解吸、排放
D、电离T轰击T扩散、反应T解吸、排放
正确答案:D
答案解析:反应离子刻蚀时,气体分子在反应室内电离出离子、电子和
游离活性基(电离),电粒子受电场加速,以较大能量垂直地射到硅片表
面,进行物理轰击,破坏原子键以增强化学反应和各向异性(轰击),同
时活性基扩散并吸附到硅片表面,与其薄膜发生反应,进行化学刻蚀
(扩散、反应),反应生成气体离开硅片表面,通过真空泵排出(解吸、
排放)。
35.利用高温驱动杂质渗透进半导体内,此工序采用的设备是()。
A、扩散炉
B、离子注入机
C、加热平板
D、对流烘箱
正确答案:A
答案解析:利用高温驱动杂质渗透进半导体内的工序为热扩散,热扩散
采用的设备为扩散炉。
36.芯片粘接过程中点银浆之后进入()步骤。
A、框架上料
B、芯片拾取
C、框架收料
D、银浆固化
正确答案:B
答案解析:芯片粘接流程为:放置引线框架和晶圆T参数设置T框架上
料T点银浆T芯片拾取T框架收料T银浆固化(烘烤箱内进行)。
37.请根据下列图片判断哪幅图片是合格针迹?()
A、图片
B、图片
C、图片
D、图片
正确答案:D
38.封装工艺的电镀工序中,完成前期的清洗后,下一步操作是()。
A、高温退火
B、后期清洗
C、电镀
D、装料
正确答案:C
39.自定义元件库需与原理图文件放在同一()中。
A、Message
B、Navigator
C、Target
D、Project
正确答案:D
二、多选题(共26题,每题1分,共26分)
1.下列描述正确的是()o
A、共模抑制比越大越好
B、共模抑制比定义为放大器对差模电压的放大倍数与对共模电压放
大倍数之比
C、共模抑制比越小越好
D、表征差分电路抑制共模信号及对差模信号的放大能力
正确答案:ABD
2.属于氧化层表面缺陷的是()。
A、白雾
B、针孔
C、斑点
D、层错
正确答案:AC
答案解析:氧化层缺陷包括表面缺陷、体内缺陷C表面缺陷有斑点、裂
纹、白雾等,可用目检或显微镜检验;体内缺陷主要有针孔和氧化层错。
3.在封装工艺的晶圆贴膜过程中可能出现的不良情况有()。
A、晶圆盒蓝膜之间存在气泡
B、出现飞边
C、晶圆刮伤
D、蓝膜起皱
正确答案:ACD
4.在原理图编辑器内,执行ToolsfFootprintManager命令,显示
封装管理对话框,在该对话框的元件列表(CcmponeneList)区域,
显示原理图内的所有元件,鼠标选择每一个元件可以()当前选中
元件的封装。
A、添加
B、删除
C、编辑
D、复制
正确答案:ABC
5.下列有关开短路测试描述正确的是()o
A、开短路测试是对芯片管脚内部对地或对VCC是否出现开路或短路
的一种测试方法。
B、开短路测试本质是基于产品本身管脚的ESD防静电保护二极管的
正向导通压降的原理进行测试
C、管脚开路时测得的电压都接近0V
D、管脚短路时测得的电压都接近0V
正确答案:BD
6.使用编带机进行编带时,在编带前进行光检的内容是检查()。
A、芯片的电气参数
B、芯片的管脚是否出现扭曲、断裂
C、芯片的印章是否清晰
D、芯片的数量是否正蓊
正确答案:BC
7.掺杂的目的是()。
A、形成PN结
B、改变材料的电阻率
C、改变材料的某些特性
D、形成一定的杂质分布
正确答案:ABCD
答案解析:掺杂的目的是形成PN结、改变材料的电阻率、改变材料的某
些特性、形成一定的杂质分布。
8.ESD防静电门禁支持()的静电测试。
A、手指
B、手掌
C、左脚
D、右脚
E、人脸
正确答案:ACD
答案解析:ESD防静电门禁支持左右脚和手指静电测试。
9.测试机可以实现()等功能。
A、电性的测试
B、测试任序的下载
C、施加电压电流
D、采集测试数据
正确答案:ABCD
答案解析:测试机可以实现电性的测试、测试程序的下载、施加电压电
流、采集测试数据等功能。
10.金属薄膜制备中常见的蒸发方式有()。
A、电阻丝加热蒸发
B、电子束蒸发
C、金属蒸发
D、离子束蒸发
正确答案:AB
答案解析:常见的蒸发方式有电阻丝加热蒸发和电子束蒸发。
11.电子产品性能测试的测试环境包括()。
A、硬件环境
B、软件环境
C、组装电子产品的环境
D、模拟使用时的环境
正确答案:ABD
12.一般情况下,30mil的墨管适用于直径是()的晶圆。
A、120mm
B、125mm
C、200mm
D、300mm
正确答案:CD
答案解析:30miI的墨管常用于8英寸、12英寸的晶圆。其中直径为
125mm的是5英寸,直径为150mm的是6英寸,直径为200mm的是8英寸,
直径为300mm的是12英寸。
13.最常用的二氧化硅的湿法刻蚀腐蚀液包括()。
A、氢氟酸
B、氟化锭
C、去离子水
D、磷酸
正确答案:ABC
答案解析:二氧化硅的腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。为了控制反
应速率不能过快,在腐蚀液中会加入就化锭作为缓冲剂。
14.在全自动探针台上进行扎针测试时,需要根据晶圆测试随件单在
探针台输入界面上输入的信息有()。
A、晶圆产品名称
B、晶圆印章批号
C、晶圆片号
D、晶圆尺寸
正确答案:ABCD
15.重力式分选机的上料机构由()组成。
A、料斗
B、上料夹具
C、气轨
D、上料槽
E、收料架
F、送料轨
正确答案:BDF
答案解析:重力式分选机的上料机构主要由上料槽、上料夹具和送料轨
组成。
16.利用平移式分选设备进行芯片测试时,在分选环节可以根据测试
结果将合格芯片分为()。
A、A档
B、B档
C、C档
D、不合格档
正确答案:AB
17.CMP工艺的三大关键因素是()。
A、抛光机
B、抛光液
C、抛光盘
D、抛光垫
正确答案:ABD
答案解析:抛光机、抛光液和抛光垫是CMP工艺的三大关键因素,平坦化
前根据研磨的材料以及抛光机性能,选择合适的抛光垫固定在旋转盘_L,
以及合适的抛光液、清洗液。
18.平移式分选机的测试机构主要由()组成。
A、1个L形测压手臂
B、2个L形测压手臂
C、测试模块
D、入料梭
正确答案:BCD
答案解析:平移式分选机的测试机构主要由2个布局对称的L形测压手
臂、测试模块、入料梭组成。
19.电子产品性能测试包括()。
A、物理性能测试
B、几何性能测试
C、功能性测试
D、稳定性测试
正确答案:ABC
20.下列对芯片电源电流测试描述正确的是()。
A、集成电路电源电流测试包括静态电源电流测试和动态电源电流测
试
B、静态电源电流测试是芯片处于不使能ABCD或静态时的电源电流
C、动态电源电流测试是芯片处于正常工作时的电源电流
D、静态电源电流通常给芯片电源端施加规定电压,并将芯片输入引
脚都接0V电压,输出引脚都悬空,测量流经电源端的电流,
正确答案:ABCD
21.料盘外观检查时,不需要检查的内容有:()。
A、管脚
B、印章
C、压痕
D、脱胶
正确答案:CD
答案解析:料盘外观检查的内容有:管脚、印章、塑封体、锡层外观、
电路方向。压痕和脱胶是变电外观检查时需要检查的内容。
22.以下属于半自动探针台的扎针调试步骤的是:()。
A、将晶圆放置在载片台上,关闭其空阀门控制开关
B、使用控制旋钮移动载片台,将待测点移动到显微镜下
C、将显微镜切换为高倍物镜,通过微调使待测点清晰地出现在视场
中心
D、调节探针座,目检探针移动到待测点附近
正确答案:BCD
答案解析:在进行半自动探针台的调试时,将晶圆放置在载片台上,开
启真空阀门控制开关,其余选项均为半自动探针台的扎针调试的步骤。
23.编带外观检查前需要准备的工具是()。
A、放大镜
B、保护带
C、纸胶带
D、防静电铝箔袋
正确答案:ABC
24.在晶圆打点过程中,选择了30MIL规格的墨盒,这种墨盒适合多
大尺寸的晶圆?()
A、8英寸
B、6英寸
C、5英寸
D、12英寸
正确答案:仙
25.以下属于抽真空质量不合格的情况的有()。
A、防静电铝箔袋破损
B、抽真空过松
C、防静电铝箔袋外形整齐
D、封口没有压平
正确答案:ABD
答案解析:抽真空完成后需要进行外观检查,检查料盘是否有弯曲、形或
者漏气等现象,检查封口是否平整,抽真空是否过松。防静电铝箔袋外
形整齐是抽真空合格的情况。
26.编带外观检查结束后,打印的标签需要贴在()上。
A、内盒
B、防静电铝箔袋
C、编带盘
D、料盘
正确答案:ABC
三、判断题(共35题,每题1分,共35分)
1.利用转塔式分选设备进行测前光检时,会在光检显示区显示光检
结果,其中进行芯片方向判断时,会在界面上显示的角度有360度。
A、正确
B、错误
正确答案:B
2.编带机的上料方式与转塔式分选机相似,都是将待装有测芯片料
管推出,上料夹具夹起料管,芯片根据自身重力沿轨道下滑。()
A、正确
B、错误
正确答案:B
3.贴膜机的温度设置区显示温度,其中红色数字为实际温度,黄色
数字为设置的温度。
A、正确
B、错误
正确答案:A
4.在写方波发生器程序时PWM03TBPRD=200;PWM0->CMPA=400;
决定了PWM的占空比为200/400=50%。
A、正确
B、错误
正确答案:B
5.如果发现编带抽真空质量不合格,可以将原标签撕下,贴在新的
防静电铝箔袋上。
A、正确
B、错误
正确答案:B
答案解析:如果发现编带抽真空质量不合格,需要重新抽真空。在重新
抽真空之前,需要重新贴标签,新的标签需要重新打印。
6.离子注入的过程中,掺杂物的浓度是有离子电流与注入时间相乘
所决定的。
A、正确
B、错误
正确答案:A
7.设计相同电路的版图,全定制设计通常比半定制设计占用更多面
积。
A、正确
B、错误
正确答案:B
8.芯片拾取时吸嘴按川贝序依次吸取蓝膜上的每一颗芯片。
A、正确
B、错误
正确答案:B
答案解析:芯片拾取时吸嘴并不是每一颗都吸取,而是由视觉识别系统
对芯片进行识别、筛选,并将结果反馈到控制系统中。
9.料盘外观检查进行电路拼零前,需要对从零头柜中取出的芯片外
观进行检查。
A、正确
B、错误
正确答案:A
10.工作台上可以放置多个批次的电路。
A、正确
B、错误
正确答案:B
答案解析:为防止混淆,工作台上可以只能放置一个批次的电路
11.晶圆切割时砂轮刀通过直线移动和高速旋转来实现沿晶圆的切割
道进行切割。
A、正确
B、错误
正确答案:B
答案解析:将贴膜完成的晶圆放置在承载台上,承载台以一定速度沿切
割道方向呈直线运动,砂轮刀原地高速旋转,随承载台的移动沿晶圆的
切割道进行切割,晶粒之间就被切割开来了。
12.软烘又叫前烘,该工序仅可在烘箱中进行。
A、正确
B、错误
正确答案:B
答案解析:软烘又叫前烘,软烘可在烘箱、红外线加热器、真空热板下
进行。
13.重力式分选机自动上料时,放入自动筛选机入料区的料管方向没
有特殊要求。
A、正确
B、错误
正确答案:B
答案解析:重力式分选机自动上料时,放入自动筛选机入料区的料管的
方向需要保持一致,且蓝色塞钉一端朝向上料夹具的一侧。
14.机安装的基本原则是:先轻后重,先小后大、先钾后装,先装后
焊、先里后外、先下后上、先平后高、易碎易损件后装,上道工序
不得影响下道工序的安装。
A、正确
B、错误
正确答案:A
15.切筋成型工艺,在装料前先对框架条进行检验,把不合格的芯片
进行剔除,把合格的镀锡框架条装盒并放置于切筋机的上料区。
A、正确
B、错误
正确答案:A
16.利用平移式分选机进行芯片测试时是采用压测的方式,压测可以
同时完成多个芯片的测试,并且各个芯片能够均匀受力,确保各个
工位的芯片引脚和测试座稳定接触。
A、正确
B、错误
正确答案:A
17.不同尺寸的硅片在切片过程中设置的厚度是一样的。
A、正确
B、错误
正确答案:B
18.SOP封装的芯片只能进行编带包装。
A、正确
B、错误
正确答案:B
答案解析:根据客户的不同要求,可以采用不同方式包装,SOP可以进行
料管包装。
19.PCB文件是所有电路设计软件都可以产生的一种文件格式,在电
子组装行业又称为模版文件(stencil,data),在PCB制造业又称为
光绘文件。
A、正确
B、错误
正确答案:B
20.导片是在核对晶圆与晶圆测试随件单上的信息一致后,将同一批
次的晶圆按片号依次放入常温花篮的过程。
A、正确
B、错误
正确答案:A
21.在使用串口助手烧入程序时会用到Hex文件,kcil中的hex不
需要设置,程序编译完成后自动生成。
A、正确
B、错误
正确答案:B
22.如果
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