CN116333744B 一种半导体硅片蚀刻液、其制备方法与应用 （浙江奥首材料科技有限公司）_第1页
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US2022275246A1,2022.09.01量配比如下的各组分：无机酸1-6份；铵盐7-20量配比分别称取各组份；先将超纯水加入容器的温度稳定在20-40℃内，直至所有组分完全溶27.一种权利要求1-5任意一项所述半导体硅片蚀3[0002]传统的硅蚀刻液常采用HNO3-HF体系对硅进行蚀刻，广泛应用于半导体芯片的制[0005]KR1020220043520A公开了一种用于硅层的蚀刻液组合物和使用该蚀刻液组合物4抛光的作用。[0034]本发明的另一个目的还公开了一种半导体硅片蚀刻液的制备方法，包括以下步5[0037]本发明的另一个目的还公开了一种半导体硅片蚀刻液在蚀刻半导体硅片领域的度稳定在40℃,直至所有组分完全溶解，溶液呈无色或淡黄色，制备得到半导体硅片蚀刻678刻后的硅片放大164倍后的显微镜图片；图3为使用对比例1制备的蚀刻液蚀刻后的硅片放刻比，但未选择复配有机弱酸的实施例的选择性较弱。对比例1蚀刻速率与实施例差别不9[0072]选用重掺杂硅片，使用本发明的上述实施例和对比例的[0075]在所述步骤1和2中使用的超纯水均为电阻至少为18Ma的去离子水。[0081]在所述步骤1和2中使用的超纯水均为电阻至少为18Ma的去离子水。

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