西宁熔炼设备投资计划书

西宁熔炼设备

投资计划书

报告说明一

半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备（晶圆加工设备、晶圆制

造设备）和后道设备（封装及测试设备），占总体设备投资的比例分别为

70%和30%。我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业，其中应用材料

作为全球最大的半导体设备供应商，在晶圆制造设备的几个核心环节热处

理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、

涂胶机、显影机、测试设备等产品，而以ASML为首的荷兰公司则在高端光

刻机领域处于领先地位。

该中高频熔炼设备项目计划总投资5768.69万元，其中：固定资产投

资4962.38万元，占项目总投资的86.02%；流动资金806.31万元，占项目

总投资的13.98%o

达产年营业收入5949.00万元，总成本费用4699.34万元，税金及附

加9L09万元,利润总额1249.66万元,利税总额1513.12万元，税后净

利润937.25万元，达产年纳税总额575.88万元；达产年投资利润率

21.66%,投资利税率26.23%,投资回报率16.25%,全部投资回收期7.65

年，提供就业职位113个。

中国晶圆厂建设加速。预估在2017-2020年间，全球将有62座新的晶

圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营运，占新

增晶圆厂的比重高达42%,美国为10座，台湾为9座，下游产能的扩张带

来设备需求的弹性。据江苏省半导体行业协会的统计，2016年中国大陆已

进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条，其中12英寸晶圆生产线共有

9条，8英寸晶圆生产线共有16条，6英寸晶圆生产线共有40条，5英寸

晶圆生产线约有16条。中芯国际在北京的Fab4厂是中国最早量产的12英

寸晶圆厂，经过几次技术改进工艺水平达到65nm。除此之外，中芯国际也

分别在北京和上海拥有两条12英寸产线，技术节点达到了28nm,领先国内

水平。除了中芯与武汉新芯外，还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。

然而，英特尔、三星与SK海力士早已在大陆开始布局。SK海力士早在08

年就在无锡建设了8英寸晶圆产线，随后升级为12英寸。而英特尔大连工

厂在2010年完工后用于生产65nm制程CPU,2015年10月与大连市政府合

作，投资55亿美元转型生产3DNANDFlash。目前国内已经量产的12英寸晶

圆厂仅有9座，合计产能42.9万片/月。

目录

第一章项目基本信息

第一早项目投资单位

第三章投资背景及必要性分析

第四章项目市场调研

第五章建设内容

第八早项目建设地方案

第七章土建工程研究

第八章项目工艺说明

第九章环境保护和绿色生产

第十章项目安全管理

第十一章风险应对评估

第十二章项目节能分析

第十三章项目计划安排

第十四章投资方案计划

第十五章项目经济效益分析

第十六章综合评价

第十七章项目招投标方案

第一章项目基本信息

一、项目提出的理由

在泛半导体行业，国内厂商已接近国外先进水平Q半导体和光伏等行

业均以硅晶圆作为加工原料，只是前者对晶圆纯度要求更高，运用于泛半

导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。

在泛半导体行业，单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自

动化程度和单晶硅棒成品品质等，其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。

一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，单位生产成本越低，技术难度也越大。

目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一般在6(T150kg,尺寸一般在6〜8英

寸。当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉,

如德国的PVATePlaAG公司，美国的Kayex公司等。目前，以晶盛机电为代

表的国内厂商，其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平，并且

拥有明显的成本优势，占据了国内光伏市场的绝大部分份额。未来，国产

晶圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。

半导体产业与面板产业相似，都是重资产投入，设备投资占总投资规

模的比例达到60%以上，其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、

化学等科学技术，具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。因

此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。

二、项目概况

（一）项目名称

西宁熔炼设备

（二）项目选址

XX经济技术开发区

西宁，古称青唐城、西平郡、都州，是青海省省会，国务院批复确定

的中国西北地区重要的中心城市。截至2019年，全市下辖5个区、2个县,

总面积7660平方千米，建成区面积129平方千米，常住人口238.71万人,

城镇人口173.90万人，城镇化率72.85%。西宁地处中国西北地区、青海省

东部、淀水中游河谷盆地，是青藏高原的东方门户，古丝绸之路南路和唐

蕃古道的必经之地，自古就是西北交通要道和军事重地，素有西海锁钥、

海藏咽喉之称，是世界高海拔城市之一，青海省的政治、经济、科教、文

化、交通和通讯中心，也是国务院确定的内陆开放城市，中央军委西宁联

勤保障中心驻地。西宁历史文化渊源流长，有着得天独厚的自然资源，绚

丽多彩的民俗风情，是青藏高原一颗璀璨的明珠，取西陲安宁之意。先后

荣获全国卫生城市、中国特色魅力城市200强、中国优秀旅游城市、中国

园林绿化先进城市、国家森林城市、全国文明城市等荣誉称号，是无废城

市建设试点城市。

项目建设方案力求在满足项目产品生产工艺、消防安全、环境保护卫

生等要求的前提下尽量合并建筑；充分利用自然空间，坚决贯彻执行“十

分珍惜和合理利用土地”的基本国策，因地制宜合理布置。对各种设施用

地进行统筹安排，提高土地综合利用效率，同时，采用先进的工艺技术和

设备，达到“节约能源、节约土地资源”的目的。

（三）项目用地规模

项目总用地面积17602.13平方米（折合约26.39亩）。

（四）项目用地控制指标

该工程规划建筑系数78.45%,建筑容积率1.05,建设区域绿化覆盖率

7.24%,固定资产投资强度188.04万元/亩。

（五）土建工程指标

项目净用地面积17602.13平方米，建筑物基底占地面积13808.87平

方米，总建筑面积18482.24平方米，其中：规划建设主体工程13815.15

平方米，项目规划绿化面积1337.97平方米。

（六）设备选型方案

项目计划购置设备共计90台（套），设备购置费2039.43万元。

（七）节能分析

1、项目年用电量757842.92千瓦时，折合93.14吨标准煤。

2、项目年总用水量2915.48立方米，折合0.25吨标准煤。

3、“西宁熔炼设备投资建设项目”，年用电量757842.92千瓦时，年

总用水量2915.48立方米，项目年综合总耗能量（当量值）93.39吨标准煤

/年。达产年综合节能量36.32吨标准煤/年，项目总节能率23.94%,能源

利用效果良好°

（A）环境保护

项目符合XX经济技术开发区发展规划，符合XX经济技术开发区产业

结构调整规划和国家的产业发展政策；对产生的各类污染物都采取了切实

可行的治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，项目建设不会对区

域生态环境产生明显的影响。

（九）项目总投资及资金构成

项目预计总投资5768.69万元，其中：固定资产投资4962.38万元，

占项目总投资的86.02%；流动资金806.31万元，占项目总投资的13.9896。

（十）资金筹措

该项目现阶段投资均由企业自筹。

（十一）项目预期经济效益规划目标

预期达产年营业收入5949.00万元，总成本费用4699.34万元，税金

及附加9L09万元,利润总额1249.66万元，利税总额1513.12万元，税

后净利润937.25万元，达产年纳税总额575.88万元；达产年投资利润率

21.66%,投资利税率26.23%,投资回报率16.25%,全部投资回收期7.65

年，提供就业职位113个。

（十二）进度规划

本期工程项目建设期限规划12个月。

项目承办单位要在技术准备、人员配备、施工机械、材料供应等方面

给予充分保证。在技术交流谈判同时，提前进行设计工作。对于制造周期

长的设备，提前设计，提前定货。融资计划应比资金投入计划超前，时间

及资金数量需有余地。认真做好施工技术准备工作，预测分析施工过程中

可能出现的技术难点，提前进行技术准备，确保施工顺利进行。

三、项目评价

1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求，符合XX经济技

术开发区及XX经济技术开发区中高频熔炼设备行业布局和结构调整政策；

项目的建设对促进XX经济技术开发区中高频熔炼设备产业结构、技术结构、

组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。

2、xxx（集团）有限公司为适应国内外市场需求，拟建“西宁熔炼设

备”，本期工程项目的建设能够有力促进XX经济技术开发区经济发展，为

社会提供就业职位113个，达产年纳税总额575.88万元，可以促进XX经

济技术开发区区域经济的繁荣发展和社会稳定，为地方财政收入做出积极

的贡献。

3、项目达产年投资利润率21.66%,投资利税率26.23%,全部投资回

报率16.25%,全部投资回收期7.65年，固定资产投资回收期7.65年（含

建设期），项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。

改革开放40年来，民间投资和民营经济由小到大、由弱变强，已日渐

成为推动我国经济发展、优化产业结构、繁荣城乡市场、扩大社会就业的

重要力量。从投资总量占比看，2012年以来，民间投资占全国固定资产投

资比重已连续5年超过60队最高时候达到65.4%；尤其是在制造业领域，

目前民间投资的比重已经超过八成，民间投资已经成为投资的主力军。

以企业为主体的创新体系不断完善，自主创新能力进一步提高。科技

进步贡献率达到66%,全社会研发投入占GDP的比重达到3.1%以上，万人

有效发明专利拥有量达到30件，建成5个达到国际先进水平的产业技术研

究院和重大科技服务平台。省级以上品牌达到800个以上。

四、主要经济指标

主要经济指标一览表

序号项目单位指标备注

1占地面积平方米17602.1326.39亩

1.1容积率1.05

1.2建筑系数78.45%

1.3投资强度万元/亩188.04

1.1基底面积邛方米13808.87

1.5总建筑面积平方米18482.24

1.5绿化面积平方米1337.97绿化率7.24%

2总投资万元5768.69

2.1固定资产投资万元4962.38

2.1.1土建工程投资万元1556.99

2.1.1.1土建工程投滨占比万元26.99%

2.1.2设备投资万元2039.43

2.1.2.1设备投资占比35.35%

2.1.3其它投资万元1365.96

2.1.3.1其它投资占比23.68%

2.1.4固定资产投亮占比86.02%

2.2流动资金万元806.31

2.2.1流动资金占比13.98%

3收入万元5949.00

4总成本万元4699.34

5利润总额万元1249.66

6净利润万元937.25

7所得税万元1.05

8增值税万元172.37

9税金及附加万元91.09

10纳税总额万元575.88

11利税总额万元1513.12

12投资利润率21.66%

13投资利税率26.23%

14投资回报率16.25%

15回收期年7.65

16设备数量台（套）90

17年用电量千瓦时757842.92

18年用水量立方米2915.48

19总能耗吨标准煤93.39

20节能率23.94%

21节能量吨标准煤36.32

22员工数量人113

第二章项目投资单位

一、项目承办单位基本情况

（-）公司名称

XXX有限公司

（二）公司简介

成立以来，公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将

“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能

力和风险控制能力。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的

企业精神和“追求卓越，回报社会”的企业宗旨，以优良的产品、可靠的

质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品。

公司拥有优秀的管理团队和较高的员工素质，在职员工约600人，80%

以上为技术及管理人员，85%以上人员有大专以上学历。公司引进世界领先

的技术，汇聚跨国高科技人才以确保公司产业的稳定发展和保持长期的竞

争优势。公司坚持以市场需求为导向、以科技创新为中心，在品牌建设方

面不断努力。先后获得国家级高新技术企业等资质荣。

二、公司经济效益分析

上一年度，XXX（集团）有限公司实现营业收入4869.35万元，同比增

长10.24%（452.18万元）。其中，主营业业务中高频熔炼设备生产及销售

收入为4183.62万元，占营业总收入的85.92%。

上年度营收情况一览表

序号项目第一季度第二季度第三季度第四季度合计

1营业收入1022.561363.421266.031217.344869.35

2主营业务收入878.561171.411087.741045.904183.62

2.1中高频熔炼设备(A)289.92386.57358.95345.151380.59

2.2中高频熔炼设备(B)202.07269.43250.18240.56962.23

2.3中高频熔炼设备(C)149.36199.14184.92177.80711.22

2.1中高频熔炼设备(D)105.43140.57130.53125.51502.03

2.5中高频熔炼设备(E)70.2893.7187.0283.67334.69

2.5中高频熔炼设备(F)43.9358.5754.3952.30209.18

2.7中高频熔炼设备(...)17.5723.4321.7520.9283.67

3其他业务收入144.00192.00178.29171.43685.73

根据初步统计测算，公司实现利润总额1177.86万元，较去年同期相

比增长211.43万元，增长率21.88%；实现净利润883.39万元，较去年同

期相比增长102.23万元，增长率13.09%。

上年度主要经济指标

项目单位指标

完成营业收入万元4869.35

完成主管业务收入万元4183.62

主营业务收入占比85.92%

营业收入增长率(同比)10.24%

营业收入增长量（同比）万元452.18

利润总额万元1177.86

利润总额增长率21.88%

利润总额增长量万元211.43

净利润万元883.39

净利润增长率13.09%

净利润增长量万元102.23

投资利润率23.83%

投资回报率17.87%

财务内部收益率28.25%

企业总资产万元10665.96

流动资产总额占比万元27.18%

流动资产总额万元2899.26

资产负债率27.07%

第三章投资背景及必要性分析

一、中高频熔炼设备项目背景分析

半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备（晶圆加工设备、晶

圆制造设备）和后道设备（封装及测试设备），占总体设备投姿的比

例分别为70%和30%o我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业,

其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商，在晶圆制造设备的

几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。三本公

司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品，而以

ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。

半导体设备的上游为电子元器件和机械加工行业，原材料包括机

械零件、视觉系统、继电器、传感器、计算机和PCB板等，优质的上

游产品或服务有助于设备产品的可靠性和稳定性。行业的下游主要为

封装测试、晶圆制造、芯片设计。集成电路产品技术含量高、工艺复

杂，技术更新和工艺升级依托于装备的发展；反之，下游信息产业不

断开发的新产品和新工艺，为设备行业提供了新需求和市场空间。以

晶圆加工为例，8英寸的晶圆制造设备无法运用于其他尺寸的加工，因

此当半导体行业进入12英寸时代后，8英寸产品需要全部更新换代，

由此也带来了设备行业的增量空间，促进了其持续发展。

总体设备市场恢复性增长，接近历史最高水平。设备行业与半导

体行业整体景气程度密切相关，且波动较大。2008、2009年受到金融

危机的影响，同比分别下降31%和46%,2010年强势回升，并于次年达

到历史最高点435亿美元，随后受到周期性影响设备支出有所下降。

而2016年全球集成电路设备市场规模为412亿美元，同比增长13%o

由于随后几年全球各大厂商加速12英寸晶圆厂建设，将带动上游设备

销售，2017年全球半导体新设备销售额将达494亿美元，同比增长

19.8%,突破历史最高水平。分产品来看，SEMI预计2017年晶圆加工

设备达到398亿美元，同比增长21.7%；光罩等其他前端设备23亿美

元，增长25.6%；而封装测试装备总计约73亿美元。下游企业竞争日

趋激烈，产业预期持续向好。中国设备占比逐步提升。分地区来看，

全球半导体设备主要销售区域为中国、日本、韩国、北美和台湾地区,

2016年占比分别为16%、11%.19%,11%和30%。中国大陆在05年仅占

4%,近几年随着大陆新建晶圆厂的增加，为半导体设备、服务、材料

等厂商提供了宝贵的机遇。2016年中国大陆设备销售收入64.6亿美元,

同比增长32%,并首次超过日本，成为全球第三大半导体设备销售地区。

同时，SEMI预计韩国设备销售将在2017年达到129.7亿美元，超过台

湾成为全球第一大市场。

晶圆产能集中度提高，12英寸是当前主流。遵循摩尔定律的半导

体行业曾经实现了快速增长，在较低成本的基础上带来了强大的计算

能力。为了保持成本，既有通过技术进步的小型化之路，也有增大晶

圆尺寸的做法。通常，半导体行业每十年升级fab架构来增加晶圆直

径，而同时技术进步则是每两年一个节点。随着纳米尺度逼近物理极

限，技术进步已经放缓，晶圆尺寸的增加变得越来越重要。目前全球

12英寸晶圆产能约为每月11.5百万片，占总体产能的65%左右，未来

12英寸产能预计会继续扩张。

但是，更大晶圆尺寸的资本投入也会大幅增长，这为更弱小的玩

家设置了进入壁垒。设备行业在12英寸平台开发上投入了116亿美元,

几乎是开发8英寸平台的9倍。由于这样的尺寸迁移会产生进入壁垒,

领先的设备供应商的扩张速度会远优于行业平均水平，促进集中度的

提升。行业前十企业的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的

74%o由于行业发展的驱动力是技术进步和晶圆尺寸增加带来的多样化

新应用和成本降低，这给设备供应商带来了更大的增量空间。

二、中高频熔炼设备项目建设必要性分析

在泛半导体行业，国内厂商已接近国外先进水平。半导体和光伏

等行业均以硅晶圆作为加工原料，只是前者对晶圆纯度要求更高，运

用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上

的互相替代。在泛半导体行业，单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒

尺寸、投料量、自动化程度和单晶硅棒成品品质等，其中投料量和尺

寸是主要的衡量标准。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，单位生产

成本越低，技术难度也越大。目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一

般在60~150kg,尺寸一般在6~8英寸。当前只有少量几家公司能够生

产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉，如德国的PVATeP1aAG公司，

美国的Kayox公司等。目前，以晶盛机电为代表的国内厂商，其设备

技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平，并且拥有明显的成本优

势，占据了国内光伏市场的绝大部分份额。未来，国产晶圆生长设备

有望提高在半导体行业的渗透率。

光刻工艺及设备：光刻是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管

和电路的基础，利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电

路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的

精密微细加工技术。由于晶圆表面上的电路设计图案直接由光刻技术

决定，因此光刻也是IC制造最核心的环节。光刻主要步骤是先在硅片

上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩

模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源区和漏区）光刻胶发生

变质，然后用腐蚀性液体清洗硅片，除去变质的光刻胶；而被光刻胶

覆盖住的部分则不会被刻蚀液影响。

光刻工艺价值巨大，ASML独领风骚。即使是微米级的光刻工艺，

也需要重复循环5次以上，而目前的28nm工艺则需要20道以上的光

刻步骤，整个光刻成本约为硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占40%-

60%o而光刻机则是IC制造中最核心的设备，价值量占到设备总投资

的比例约为20%o全球半导体设备龙头ASML在光刻机领域优势巨大，

其EUV光刻机工艺水平已经达到10nm的级别，单台设备售价超过1亿

美元。公司的市场份额超过60%,甩开了两个老对手Nikon和Canon。

极紫外光刻EUV是实现10nm以下工艺制程的最经济手段，并且只有

ASML一家供应商具备开发EUV光刻机的能力。因此半导体三巨头英特

尔、台积电、三星均争相投资ASML开发EUV技术，助其快速实现量产,

以及获得EUV设备的优先购买权。虽然我国上海微电子也研发出光刻

机，但由于中国半导体起步较晚，技术上与外资品牌差距巨大。

刻蚀工艺：按照掩模图形对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行

选择性腐蚀或剥离的技术工艺，是与光刻相联系的图形化处理的主要

工艺，通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀。湿法刻蚀主要是在较为平整的

膜面上用稀释的化学品等刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射。

干法刻蚀是用等离子体（气体）进行薄膜刻蚀的技术工艺，通过电场

对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物

的表面时，更快地与材料进行反应，从而利用物理上的能量转移实现

刻蚀目的。中微半导体崛起，泛林雄踞榜首。在刻蚀设备领域，美国

的泛林半导体凭借着先发优势和大量研发投入保持行业龙头地位，但

中国厂商中微半导体在近十年迅速崛起，并开始打入国际市场。中微

半导体的16nm刻蚀机实现商业化量产，目前已经进入台积电的5个半

导体生产线，7T0nm刻蚀机设备可以与世界最前沿技术比肩。随着中

微的崛起，2015年美国商业部的工业安全局特别发布公告，承认中国

已经拥有制造具备国际竞争力刻蚀机的能力，且等离子刻蚀机已经进

入量产阶段，因而决定将等离子刻蚀机从美国对中国控制出口名录中

去除。

离子注入工艺及设备：是人为地将所需杂质以一定方式掺入到硅

片表面薄层，并使其达到规定的数量和符合要求的分布形式，主要包

括两种方法。高温热扩散法是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将

杂质扩散到硅片内一种方法；离子注入法是通过注入机的加速和引导,

将能量为lOOkeV量级的离子束入射到材料中去，与材料中的原子或分

子发生一系列理化反应，入射离子逐渐损失能量，并引起材料表面成

分、结构和性能发生变化，最后停留在材料中，从而优化材料表面性

能，或获得某些新的优异性能。在离子注入机领域，美国应用材料占

据了70%以上的市场份额。

成膜工艺及设备：主要运用CVD技术（ChemicalVaporDeposition,

化学气相沉积），是把含有构成薄膜元素的反应剂蒸气引入反应室，

在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。CVD技术具有淀积温度低、

薄膜成份易控的特点，膜厚与淀积时间成正比，均匀性和重复性好，

其中应用最广的是PECVD和MOCVD。PECVD（等离子体增强化学气相沉

积），是借助微波或射频等使含有薄膜组戌原子的气体电离，在局部

形成等离子体，利用等离子很强的化学活性，在基片上沉积出所期望

的薄膜；MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），是以热分解反应方

式在衬底上进行气相外延，生长各种ni-v族、n-VI族化合物半导体以

及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长

都是在常压或低压下通氢气的冷壁不锈钢反应室中进行，衬底温度为

500-1200℃,用射频感应加热石墨基座，氢气通过温度可控的液体源

鼓泡携带金属有机物到生长区。薄膜工艺也是TC制造的一个基础工艺,

加工难度较高。该环节设备投资占整体设备的在CVD设备领

域，中国与世界先进水平差距较大。美国应用材料几乎涵盖了除光刻

机以外的前制程设备，并在CVD及PVD设备领域位居全球市占率第一,

而中国企业近年来在“02”专项的支持下也实现了技术突破，其中北

方华创的CVD设备已经进入中芯国际28nm生产线，14nm设备正处于验

证阶段。

第四章项目市场调研

一、中高频熔炼设备行业分析

半导体产业与面板产业相似，都是重资产投入，设备投资占总投

资规模的比例达到60%以上，其中一些关键的制程环节需要综合运用光

学、物理、化学等科学技术，具有技术含量高、制造难度大、设备价

值高等特点。因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。

IC产品生产附加值极高，工艺进步依托于设备提升。目前的集成

电路技术大多基于元素硅，并在晶片上构建各种复杂电路。硅元素在

地壳中的含量达到26.4%,是仅次于氧的第二大元素，而单晶硅则可通

过富含二氧化硅的砂石经提炼获得。由价格低廉的砂石到性能卓越的

芯片，IC的生产过程就是硅元素附加值大量增长的过程。从最初的设

计，到最终的下线检测，生产过程需经过几十步甚至几百步的工艺，

整个制造过程工艺复杂，其中任何一步的错误都可能是最后导致产品

失效的原因，因此对设备可靠性的要求极高。下游厂商也愿意为高可

靠性、高精度设备支付技术溢价，这也是半导体投资中设备投资占比

较高的原因之一。从生产工艺来看，半导体制造过程可以分为IC设计

（电路与逻辑设计）、制造（前道工序）和封装与测试环节（后道工

序）。设备主要针对制造及测封环节，设计部分的占比较少。

IC设计：是一个将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物

理版图的过程，主要包含逻辑设计、电路设计和图形设计等。将最终

设计出的电路图制作成光罩，进入下一个制造环节。由于设计环节主

要通过计算机完成，所需的设备占比较少。

IC制造：制造环节又分为晶圆制造和晶圆加工两部分。前者是指

运用二氧化硅原料逐步制得单晶硅晶圆的过程，主要包含硅的纯化-＞

多晶硅制造-＞拉晶-＞切割、研磨等，对应的设备分别是熔炼炉、CVD设

冬、单晶炉和切片机等；晶圆加工则是指在制备晶圆材料上构建完整

的集成电路芯片的过程，主要包含镀膜、光刻、刻蚀、离子注入等几

大工艺。i.镀膜工艺：通过PECVD、LPCVD等设备，在晶圆表面增加一

层二氧化硅构成绝缘层，使CPU不再漏电；ii,光刻工艺：通过光刻机,

对半导体晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）进行开孔，以便进行杂质

的定域扩散的一种加工技术，加工的晶体管数量和密度都会随着制程

工艺的升级而不断加强；iii.刻蚀工艺：通过刻蚀机，对半导体衬底

表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离；iv.离子注入：通过离子

注入机或扩散炉为材料加入特殊元素，从而优化材料表面性能，或获

得某些新的优异性能。

IC测封：封装是半导体设备制造过程中的最后一个环节，主要包

含减薄/切割、贴装/互联、封装、测试等过程，分别对应切割减薄设

各、引线机、键合机、分选测试机等。将半导体材料模块集中于一个

保护壳内，防止物理损坏或化学腐蚀，最后通过测试的产品将作为最

终成品投入到下游的应用中去。

IC制造是将光罩上的电路图转移到晶圆上的过程，这段时期硅晶

片附加值增长最快。该环节的制造难度相较后端的封装测试要高很多,

对于设备稳定性和精度的要求极高，该部分设备投资体量巨大，占整

体设备投资的70%以上。其核心工艺主要包含晶圆制造、镀膜、光刻、

刻蚀、离子注入5大环节。

晶圆制造工艺及设备：硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：

硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先硅提纯。将原料放入熔

炉中进行化学反应得到冶金级硅，然后通过蒸僧和化学还原工艺，得

到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.9999999%（7个9以上），成为

电子级硅。然后在单晶炉中使用提拉法得到单晶硅。即先将多晶硅熔

化，然后将籽晶浸入其中，并由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时

缓慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会按籽晶晶格

排列的方向不断地生长上去，形成单晶硅棒。硅晶棒再经过切段、滚

磨、切片、倒角、抛光、激光刻后，成为集成电路工厂的基本原料一

一硅晶圆片。

二、中高频熔炼设备市场分析预测

中国晶圆厂建设加速。预估在2017-2020年间，全球将有62座新

的晶圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营

运，占新增晶圆厂的比重高达42%,美国为10座，台湾为9座，下游

产能的扩张带来设备需求的弹性。据江苏省半导体行业协会的统计，

2016年中国大陆已进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条，其中

12英寸晶圆生产线共有9条，8英寸晶圆生产线共有16条，6英寸晶

圆生产线共有40条，5英寸晶圆生产线约有16条。中芯国际在北京的

Fab4厂是中国最早量产的12英寸晶圆厂，经过几次技术改进工艺水平

达到65nm。除此之外，中芯国际也分别在北京和上海拥有两条12英寸

产线，技术节点达到了28nm,领先国内水平。除了中芯与武汉新芯外,

还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。然而，英特尔、三星与SK

海力士早已在大陆开始布局。SK海力士早在08年就在无锡建设了8英

寸晶圆产线，随后升级为12英寸。而英特尔大连工厂在2010年完工

后用于生产65nm制程CPU,2015年10月与大连市政府合作，投资55

亿美元转型生产3DNANDFlash。目前国内已经量产的12英寸晶圆厂仅

有9座，合计产能42.9万片/月。

在政策和资本的双重驱动下，中国大陆晶圆生产线建设进入了新

一轮发展浪潮。除了已经量产的9条12英寸产线外，从2014下半年

至2017上半年，中国大陆正在兴建或宣布计划兴建的12英寸晶圆生

产线共有20条（包括扩产升级的产线），大大超越了已有数量，这在

史上也是绝无仅有的集建设时期。中国大陆正在兴建的12英寸晶圆产

线，按主流产品和工艺技术来分，可以分为逻辑（Logic）芯片、存储

器（Memory）芯片和专用芯片生产线3类。目前兴建中技术水平最高

的厂商依然是中芯国际，其在北京投资40亿美元的B3产线已达到

14nm制程；同时还投资675亿元在上海兴建新晶圆厂，生产工艺涵盖

28-14nm,并且开始着手研发10/7nm工艺，预计2018年正式投产。而

作为台湾地区晶圆代工龙头台积电，也于2017年宣布在南京建设12

英寸晶圆厂，这也意灰着16nm制程芯片将在大陆量产。除了新建产线,

原有的外资12英寸产线也开始了技术升级、产能扩建的进程。其中包

括SK海力士（无锡）进行第5期扩建工程，以及三星（西安）进行第

二座12英寸晶圆3DNANDFlash工厂建设。根据目前的规划，若这些晶

圆厂全部量产，可达到的理论产能约为125万片/月。叠加现有产能，

则未来中国12英寸晶圆产能将超过160万片/月，将大大拉动对半导

体设备的需求。

从2016年下半年起，国内外8英寸晶圆产能日趋紧张，现有的8

英寸产线投片量日益饱满，因而在大陆新建和扩建12英寸产线的同时,

8英寸晶圆生产线的新建和扩建也随势展开。至今，新建的8英寸晶圆

生产线主要有大连宇宙半导体和淮安德克玛等，扩建的8英寸产线主

要是中芯国际（天津）Fab7。总体来说，国内的8英寸产线共计21条,

其中量产16条，在建或扩建5条，共计产能115万片/月。

中国晶圆厂投资迎来爆发期。我们统计了国内所有8英寸及12英

寸产线的投资数据，从未来的投资轨迹来看，2017-2020年是晶圆厂投

资的高峰期。这四年内，将有20条产线12英寸晶圆产线实现量产，

其中包括紫光集团两条、中芯国际四条、长江存储三条，台积电、三

星、美国A0S、联华电子、力晶、华力微电子、合肥长鑫、格罗方德、

福建晋华、德克玛、SK海力士各一条，合计投资金额约6827亿元（去

除紫光成都产线和中芯国际宁波产线，因为其只与政府签订合作意向,

项目并未实际动工）。全部投产后，中国的12英寸晶圆产能将领先台

湾与韩国。同时，未来国内新增的8英寸晶圆产能45.5万片/月，相

比目前的量产规模增长65%,新增投资247亿元。

来国内半导体设冬市场空间测算：根据我们人工统计的晶圆产线

数据，按照产线的投资额进行4年的平滑，可以计算出未来每年晶圆

厂投资数据。在过去的十年中，全球半导体设备资本支出占总体资本

支出的比例平均约为67%,即一条晶圆产线的全部资本投资中，2/3的

资金用于购买设备，剩下的1/3用于厂房建设，包括人员开支、设计、

材料等费用。我们以一条15亿美元的产线为例，其中10亿美元用于

设备支出，主要的设备包括以下几种：i.光刻机：最高端的ASML光刻

机售价高达1亿美元，整条产线根据产能大小只需要几台光刻机即可;

ii.等离子刻蚀机：一条产线需要30-50台，单台价格在200-250万美

元左右。iii.CVD设备：一个晶圆厂至少需要30台，单台价格200-

300万美元。iv.检测设备：最贵的美国检测机单价约为100万-120万

美元，其中前道工序需要50台，而后道工序则需要上百台。约70%的

市场为前端晶圆制造设备，而封装设备、测试设备的占比分别为15%和

10%o由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中不断循环往复，

对于设备稳定性和精度的要求极高，这部分设备价值体量也最高，其

中最核心装备光刻机、镀膜沉积设备、刻蚀设备分别占晶圆厂设备总

投资的20%、15%和14%左右。中国晶圆厂设备未来几年的投资额将达

到千亿级别，对应的设备投资额也为585亿7210亿元不等，我们预计

2019年设备投资额将达到近期峰值水平，其中晶圆制造的设备投资额

将达到847亿元。由于前道设备技术难度极高，同时国外实施技术封

锁，国产企业无法掌握核心技术而较难切入该领域。后道的封装测试

环节技术难度相对较低，尤其是测试设备，大陆凭借着技术引进和较

低的劳动力成本优势已经在该领域有所建树，2017年测试设备市场规

模有望达到59亿元。

持续的产能转移不仅带动了国内集成电路整体产业规模和技术水

平的提高，也为装备制造业提供了巨大的市场空间。

第五章建设内容

一、产品规划

项目主要产品为中高频熔炼设备，根据市场情况，预计年产值5949.00

万兀O

随着全球经济一体化格局的形成，相关行业的市场竞争愈加激烈，要

想在市场上站稳脚跟、求得突破，就要聘请有营销经验的营销专家领衔组

织一定规模的营销队伍，创新机制建立起一套行之有效的营销策略。

二、建设规模

（一）用地规模

该项目总征地面积17602.13平方米（折合约26.39亩），其中：净用

地面积17602.13平方米（红线范围折合约26.39亩）。项目规划总建筑面

积18482.24平方米，其中：规划建设主体工程13815.15平方米，计容建

筑面积18482.24平方米；预计建筑工程投资1556.99万元。

（二）设备购置

项目计划购置设备共计90台（套），设备购置费2039.43万元。

（三）产能规模

项目计划总投资5768.69万元；预计年实现营业收入5949.00万元。

第六章项目建设地方案

一、项目选址

该项目选址位于xx经济技术开发区。

西宁，古称青唐城、西平郡、都州，是青海省省会，国务院批复确定

的中国西北地区重要的中心城市。截至2019年，全市下辖5个区、2个县,

总面积7660平方千米，建成区面积129平方千米，常住人口238.71万人,

城镇人口173.90万人，城镇化率72.85%。西宁地处中国西北地区、青海省

东部、漫水中游河谷盆地，是青藏高原的东方门户，古丝绸之路南路和唐

蕃古道的必经之地，自古就是西北交通要道和军事重地，素有西海锁钥、

海藏咽喉之称，是世界高海拔城市之一，青海省的政治、经济、科教、文

化、交通和通讯中心，也是国务院确定的内陆开放城市，中央军委西宁联

勤保障中心驻地。西宁历史文化渊源流长，有着得天独厚的自然资源，绚

丽多彩的民俗风情，是青藏高原一颗璀璨的明珠，取西陲安宁之意。先后

荣获全国卫生城市、中国特色魅力城市200强、中国优秀旅游城市、中国

园林绿化先进城市、国家森林城市、全国文明城市等荣誉称号，是无废城

市建设试点城市。

“十三五”期间，发展壮大优势产业，培育发展战略性新兴产业，推

进产业集群发展和转型升级。力争到2020年，打造2个千亿主导产业，发

展4个500亿和4个百亿产业集群（不含已有产业）。三大主导产业中，

力争食品加工业和装备制造业规模工业总产值均达到1000亿元，年均分别

增长17.196和20.7%；电子信息产业和能源产业规模工业总产值达到500亿

元，年均增长16.3%。弓子商务和服务外包、医药产业、建材产业规模工业

总产值均达到500亿元,年均增速分别达到27.2%、29.0%和15.3。2017年

园区实现工业产值20亿元，利税2万元，分别比上年增长45%和63%。园

区作为区域经济的龙头和现代化的新城区，正上着新的目标奋进。

项目建设方案力求在满足项目产品生产工艺、消防安全、环境保护卫

生等要求的前提下尽量合并建筑；充分利用自然空间，坚决贯彻执行“十

分珍惜和合理利用土地”的基本国策，因地制宜合理布置。对各种设施用

地进行统筹安排，提高土地综合利用效率，同时，采用先进的工艺技术和

设备，达到“节约能源、节约土地资源”的目的。

随着世界经济一体化的发展，项目产品及相关行业在国际市场竞争中

已具有龙头地位，同时，XX省又是相关行业在国内的生产基地，这就使本

行业在国际市场有不可估量的发展空间；项目承办单位通过参加国外会展

和网络销售，可以使公司项目产品在国际市场中占有更大的市场份额。项

目承办单位自成立以来始终坚持“自主创新、自主研发”的理念，始终把

提升创新能力作为企业竞争的最重要手段，因此，积累了一定的项目产品

技术优势。项目承办单位在项目产品开发、设计、制造、检测等方面形成

了一套完整的质量保证和管理体系，通过了IS09000质量体系认证，赢得

了用户的信赖和认可。

二、用地控制指标

三、地总体要求

本期工程项目建设规划建筑系数78.45%,建筑容积率L05,建设区域

绿化覆盖率7.24%,固定资产投资强度188.04万元/亩。

土建工程投资一览表

序号项目单位指标备注

1占地面积平方米17602.1326.39亩

2基底面积平方米13808.87

3建筑面积平方米18482.241556.99万元

4容积率1.05

5建筑系数78.45%

6主体工程平方米13815.15

7绿化面积平方米1337.97

8绿化率7.24%

9投资强度万元/亩188.04

四、节约用地措施

投资项目依托项目建设地已有生活设施、公共设施、交通运输设施，

建设区域少建非生产性设施，因此，有利于节约土地资源和节省建设投资。

五、总图布置方案

1、按照建（构）筑物的生产性质和使用功能，项目总体设计根据物流

关系将场区划分为生产区、办公生活区、公用设施区等三个功能区，要求

功能分区明确，人流、物流便捷流畅，生产工艺流程顺畅简捷；这样布置

既能充分利用现有场地，有利于生产设施的联系，又有利于外部水、电、

气等能源的接入，管线敷设短捷，相互联系方便。同时考虑用地少、施工

费用节约等要求，沿围墙、路边和可利用场地种植花卉、树木、草坪及常

绿植物，改善和美化生产环境。

道路设计注重道路之间的贯通，同时，场区道路应尽可能与主要建筑

物平行布置。应与场外道路衔接顺畅，便于企业运输车辆直接进入国道、

高速公路等国家级道路网络，场区道路应与总平面布置、管线、绿化等协

调一致。项目承办单位项目建设场区主干道宽度6.00米，次干道宽度3.00

米，人行道宽度采用1.20米。道路路缘石转弯半径，一般需通行涓防车的

为12.00米，通行其它车辆的为9.00米、6.00米。道路均采用校路面，道

路类型为城市型。

2、投资项目绿化的重点是场区周边、办公区及主要道路两侧的空地，

美化的重点是办公区，场区周边以高大乔木为主，办公区以绿色草坪、花

坛为主，道路两侧以观赏树木、绿篱、草坪为主，适当结合花坛和垂直绿

化，起到环境保护与美观的作用，创造一个“环境优美、统一协调”的建

筑空间。

消防水源采用低压制，同一时间内按火灾一次考虑，室内外均设环状

消防管网，室外消火栓间距不大于100.00米，消火栓距道路边不大于2.00

米。项目所在地供水水源来自项目建设地自来水厂，给水压力20.30Mpa,

供水能力充足，水质符合国家现行的生活饮用水卫生标准。投资项目采用

雨、污分流制排水系统，分别汇集后排入项目建设区不同污水管网。

3、投资项目生活给水主要是员工工作及休息期间的个人饮用及卫生用

水，生活给水水压0.35Mpa。项目用水由项目建设地市政管网给水干管统一

提供，供水管网水压大于0.40Mpa可以满足项目用水需求；进厂总管径选

用DN300?L,各车间分管选用DN50?L-DN100?L,给水管道在场区内形成完

善的环状给水管网，各单体用水从场区环网上分别接出支管，以满足各单

体的生产、生活、消防用水的需要；室外给水主管道采用PP-R给水管，消

防管道采用热镀锌钢管。

项目承办单位内设配电室，电源进户采用电缆直接埋地敷设引入配电

室；场内供电电压等级380v/220V、TN-C-S系统供电，选择节能型SF11型

变压器；场内配电室操作环境，按国标《爆炸及火灾危险环境电力装置设

计规范》(GB50058)的要求设计。

4、短距离的运输任务将利用社会运力解决，基本可以满足各类运输需

求，因此，投资项目不考虑增加汽车运输设备。

厂房内部散发较大热量的生产设备区域，采用局部封闭进行机械送、

排风；当排出废气不能达到排放标准时必须设置空气净化设备。话音通信

部分：根据场区通信业务需求及场区周围情况，行政调度电话均为安装市

话，其中综合值班室安装调度电话和行政电话。

六、选址综合评价

综上所述，项目选址位在项目建设地工业项目占地规划区，该区域地

势平坦开阔，四周无污染源、自然景观及保护文物；供电、供水可靠，给、

排水方便，而且，交通便利、通讯便捷、远离居民区；所以，从场址周围

环境概况、资源和能源的利用情况以及对周围环境的影响分析，拟建工程

的场址选择是科学合理的。项目建设遵循“合理和集约用地”的原则，按

照产品制造行业生产规范和要求，进行科学设计、合理布局，符合行