2026-2028年江苏省苏教版高中物理选修第三册综合测试卷

2026-2028年江苏省苏教版高中物理选修第三册综合测试卷一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）1.在苏教版高中物理选修第三册第7单元中，关于电磁感应现象的描述，以下说法正确的是（）A.法拉第电磁感应定律仅适用于闭合回路，不适用于非闭合回路B.楞次定律本质上揭示了感应电流的方向，其本质是能量守恒定律的体现C.导体在磁场中运动时，只要切割磁感线就会产生感应电动势，与磁感线方向无关D.自感现象是由于电路中电流变化导致自身产生感应电动势，与外磁场直接相关参考答案：B解析：法拉第电磁感应定律适用于任何回路，A错误；楞次定律通过感应电流方向体现能量守恒，B正确；感应电动势大小与磁感线方向和导体运动速度有关，C错误；自感现象与电流变化率相关，与外磁场无直接关系，D错误。2.第8单元中，关于交流电的特性，以下表述最准确的是（）A.交流电的有效值等于最大值的平方根，仅适用于正弦交流电B.电容在交流电路中相当于断路，电感线圈相当于短路C.交流电的频率越高，电路中的感抗和容抗均越小D.并联交流电路中，总电流等于各支路电流的矢量和，与电压相位无关参考答案：C解析：有效值公式适用于周期性交流电，A错误；电容通交流，电感阻交流，B错误；感抗和容抗与频率成反比，C正确；并联电路中电流相位受阻抗影响，D错误。3.第9单元中，关于电磁波的特性，以下说法错误的是（）A.电磁波在真空中传播速度等于光速，与频率无关B.无线电波、可见光、X射线都属于电磁波谱，但波长和频率不同C.电磁波的传播不需要介质，但衍射现象表明其具有波动性D.赫兹实验首次证实了电磁波的存在，其频率和波长满足关系式c=λf参考答案：A解析：电磁波在介质中传播速度与频率相关，真空中速度虽恒定但不同波段的频率仍影响其表现，A错误。4.第10单元中，关于电路的动态分析，以下说法正确的是（）A.在含容电路中，当开关断开时，电容器瞬间充电，电流从正极流向负极B.在RLC串联电路中，当角频率ω增大时，电路总阻抗先增大后减小C.并联电路中，若其中一个支路电阻增大，总电流必然减小D.分压电路中，滑动变阻器滑片位置改变时，各部分电压按比例分配参考答案：B解析：含容电路开关断开时电容器通过原支路放电，A错误；RLC串联电路阻抗Z=√(R²+(ωL-1/ωC)²)，ω增大时阻抗先增大（ω=0时为R）后减小（ω→∞时为1/ωC），B正确；并联电路总电流与各支路电阻成反比，单个支路电阻增大总电流可能增大，C错误；分压电路需考虑滑动变阻器接入部分电阻，D错误。5.第11单元中，关于霍尔效应的应用，以下说法错误的是（）A.霍尔元件可用于测量磁感应强度，其输出电压与磁感应强度成正比B.霍尔效应在半导体材料中表现更显著，因为其载流子浓度较低C.霍尔传感器可用于无损检测金属导体的厚度，基于磁场分布原理D.霍尔元件的输出电压受温度影响较大，需配合温度补偿电路使用参考答案：B解析：霍尔元件输出电压U_H=Bqvd，与载流子浓度成反比，B错误。6.第12单元中，关于电磁场的理论，以下说法正确的是（）A.麦克斯韦方程组仅适用于宏观电磁场，不适用于微观量子领域B.位移电流的提出是麦克斯韦对安培定律的修正，用于解释变化的电场产生磁场C.电磁波的产生需要同时存在变化的电场和磁场，二者相互激发形成振荡D.电磁场的能量密度仅与电场强度有关，与磁场强度无关参考答案：C解析：麦克斯韦方程组适用于所有电磁场，A错误；位移电流是麦克斯韦修正安培定律的关键，B正确；电磁波是变化的电磁场相互激发的产物，C正确；电磁场能量密度E=1/2εE²+1/2μH²，D错误。7.第13单元中，关于LC振荡电路的特性，以下说法错误的是（）A.LC振荡电路的周期T=2π√(LC)，与电容器电压初始值有关B.振荡电流的最大值取决于电容器初始电荷量，与电感值无关C.若在振荡过程中电感线圈断路，振荡能量会因自感现象而损失D.并联LC振荡电路的谐振频率f=1/(2π√(LC))，与接入电阻无关参考答案：A解析：LC振荡电路周期仅与L和C有关，与电压初始值无关，A错误。8.第14单元中，关于三相交流电的特性，以下说法正确的是（）A.三相交流电的线电压等于相电压的根号3倍，且相位超前相电压30°B.星形连接的三相电路中，中性线电流等于各相电流的矢量和C.三相交流发电机产生的三个电动势频率相同，但相位互差120°D.三相四线制电路中，若A相断路，则B、C相电压仍保持正常参考答案：C解析：三相电动势相位互差120°是基本特性，C正确。9.第15单元中，关于半导体器件的应用，以下说法错误的是（）A.二极管正向导通时，其正向压降在正向电流较大时仍保持约0.7VB.晶体三极管放大电路中，发射结正向偏置，集电结反向偏置时工作在放大状态C.MOSFET场效应管的导电性能主要受栅极电压控制，与漏极电流无关D.光电二极管在光照增强时，反向电流会显著增大参考答案：A解析：二极管正向压降随电流增大而增大，A错误。10.第16单元中，关于电磁兼容性（EMC）的描述，以下说法正确的是（）A.电磁干扰（EMI）仅指设备产生的无用电磁辐射，不包括传导干扰B.屏蔽、滤波和接地是抑制电磁干扰的三种主要技术手段C.电磁兼容性测试需要在完全屏蔽的暗室中进行，以避免环境干扰D.高频电路的布线应尽量平行，以减少自感现象导致的干扰参考答案：B解析：EMI包括辐射和传导干扰，A错误；屏蔽、滤波和接地是EMC核心技术，B正确；EMC测试需模拟实际环境，C错误；高频电路布线应避免平行以减少互感，D错误。二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）1.在苏教版高中物理选修第三册第7单元中，法拉第电磁感应定律的数学表达式为______，其物理意义是______。参考答案：ε=nΔΦ/Δt；感应电动势的大小等于穿过电路磁通量变化率的绝对值2.第8单元中，纯电容电路的阻抗Z_C=______，当交流电频率f增大时，电路中的容抗______。参考答案：1/(2πfC)；减小3.第9单元中，电磁波在真空中的传播速度c=______m/s，无线电波的波长范围从______m到______m。参考答案：3×10^8；10^-2；10^44.第10单元中，RL串联电路的阻抗Z=______，当电源频率ω=0时，电路呈______性。参考答案：√(R²+(ωL)²)；阻5.第11单元中，霍尔元件的工作原理是基于载流子在______作用下发生偏转，其输出电压U_H与磁感应强度B______（填“成正比”或“成反比”）。参考答案：磁场；成正比6.第12单元中，麦克斯韦方程组中描述电场变化产生磁场的方程为______，该方程的物理意义是______。参考答案：∇×E=-∂B/∂t；变化的电场产生磁场7.第13单元中，LC振荡电路的能量在______和______之间相互转化，振荡周期T=______。参考答案：电场能；磁场能；2π√(LC)8.第14单元中，三相交流电的三个相电压相位互差______，线电压U_L与相电压U_P的关系为______。参考答案：120°；U_L=√3U_P9.第15单元中，晶体二极管具有______特性，其正向导通压降在硅材料中约为______V。参考答案：单向导电；0.710.第16单元中，电磁屏蔽效能（SE）的常用单位是______，其物理意义是______。参考答案：分贝（dB）；屏蔽材料对电磁波的衰减能力三、判断题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）1.在苏教版高中物理选修第三册第7单元中，感应电流的方向总是阻碍引起感应电流的磁通量变化。（）参考答案：正确解析：楞次定律的核心是“阻碍变化”，感应电流方向总是使磁场变化减慢，故正确。2.第8单元中，纯电感电路的阻抗Z_L=ωL，当交流电频率f减小时，电路中的感抗会增大。（）参考答案：错误解析：感抗与频率成正比，f减小则感抗减小，故错误。3.第9单元中，所有电磁波在介质中的传播速度都小于光速c。（）参考答案：正确解析：电磁波在介质中传播速度均小于真空光速，故正确。4.第10单元中，并联交流电路中，总阻抗Z总=1/(1/Z₁+1/Z₂)，与各支路阻抗成反比。（）参考答案：错误解析：并联阻抗公式应为倒数和的倒数，且与阻抗成正比，故错误。5.第11单元中，霍尔元件的输出电压U_H=Bqvd，若载流子为电子（q=-e），则U_H方向与磁感应强度B方向相反。（）参考答案：正确解析：电子运动方向与电流方向相反，导致霍尔电压方向与正电荷情况相反，故正确。6.第12单元中，麦克斯韦方程组中∇•E=ρ/ε₀方程描述了电场的高斯定律，其物理意义是电场线始于正电荷，终于负电荷。（）参考答案：正确解析：该方程是电场的高斯定律，体现电荷产生电场，故正确。7.第13单元中，LC振荡电路若接入电阻R，则振荡周期T会增大，且能量损耗加快。（）参考答案：正确解析：电阻会导致能量耗散，振荡频率减小，周期增大，故正确。8.第14单元中，三相交流发电机的三个线圈匝数相同，若A相电压为u_A=Umsinωt，则C相电压u_C=Umsin(ωt+240°)。（）参考答案：错误解析：C相电压相位应落后A相120°，即u_C=Umsin(ωt-120°)，故错误。9.第15单元中，MOSFET场效应管中，增强型NMOS管要求栅极电压V_GS>0，且此时漏极电流I_D会随栅极电压增大而增大。（）参考答案：正确解析：增强型NMOS管工作条件是V_GS>阈值电压，此时I_D随V_GS增大而增大，故正确。10.第16单元中，电磁屏蔽效能主要取决于屏蔽材料的导电性和导磁性，与屏蔽厚度无关。（）参考答案：错误解析：屏蔽效能与材料导电率、导磁率及厚度均有关，故错误。四、简答题（本大题共8小题，每小题2分，共16分）1.在苏教版高中物理选修第三册第7单元中，简述法拉第电磁感应定律的内容及其应用实例。（不少于100字）参考答案：法拉第电磁感应定律指出，闭合电路中感应电动势的大小等于穿过该电路磁通量变化率的绝对值，即ε=nΔΦ/Δt。其应用实例包括：发电机通过线圈旋转切割磁感线产生交流电；变压器通过互感现象实现电压变换；感应炉利用变化的磁场在金属中产生涡流进行加热等。该定律是电磁学的基础，奠定了现代电力工业的基础。2.第8单元中，分析纯电容电路在交流电作用下的特点，并说明其在电路中的作用。（不少于100字）参考答案：纯电容电路中，电流相位超前电压90°，阻抗Z_C=1/(2πfC)，频率f越高容抗越小。电容具有隔直通交的特性，在电路中可用于滤波（如整流电路的滤波电容）、耦合（传递交流信号同时隔离直流）、旁路（为高频信号提供低阻抗通路）等。例如，在音频电路中电容可防止低频噪声干扰。3.第9单元中，解释电磁波的产生机制，并说明电磁波谱的划分依据。（不少于100字）参考答案：电磁波的产生机制是变化的电磁场相互激发。当电场发生变化时，会激发磁场，变化的磁场又会激发电场，二者交替激发形成电磁波向外传播。电磁波谱按波长或频率划分，包括无线电波（波长最长）、微波、红外线、可见光、紫外线、X射线、γ射线（波长最短）。划分依据是不同波段电磁波的波长、频率和能量差异，以及与物质的相互作用方式不同。4.第10单元中，说明RLC串联电路的谐振现象及其应用。（不少于100字）参考答案：RLC串联电路的谐振现象是指当电路角频率ω=1/(√(LC))时，感抗X_L与容抗X_C相等，电路阻抗最小Z=√(R²+(X_L-X_C)²)=R，此时电流最大。谐振应用包括：收音机调谐电路通过改变电容C选择特定频率信号；滤波器利用谐振特性通过或阻止特定频率信号；振荡电路利用谐振维持等幅振荡等。5.第11单元中，霍尔元件的输出电压U_H与哪些因素有关？并说明其测量磁场的原理。（不少于100字）参考答案：霍尔元件输出电压U_H=Bqvd，与磁感应强度B、载流子速度v、导体宽度d及电荷量q有关。测量原理是：当电流I=vdq/t通过霍尔元件时，载流子在磁场B中受到洛伦兹力F_B=qvB，向一侧偏转积累电荷形成电场，最终达到动态平衡时Eqd=F_Bqv，解得U_H=Bvd。通过测量U_H可反推B，实现磁场测量。6.第12单元中，简述麦克斯韦方程组的四个基本方程及其物理意义。（不少于100字）参考答案：麦克斯韦方程组包括：①∇×E=-∂B/∂t（变化的电场产生磁场）；②∇×B=μ₀ε₀∂E/∂t（变化的磁场产生电场）；③∇•E=ρ/ε₀（电场的高斯定律）；④∇•B=0（磁场无源）。前两个方程是法拉第和安培-麦克斯韦定律的推广，揭示了电磁场的动态特性；后两个方程是高斯定律，描述了电场和磁场的静态特性。该方程组统一了电学和磁学，预言了电磁波的存在。7.第13单元中，分析LC振荡电路中能量损耗的原因，并说明如何提高振荡电路的Q值。（不少于100字）参考答案：LC振荡电路的能量损耗主要来自：①电阻R导致电磁能转化为热能；②电容器漏电；③电感线圈铜线电阻。Q值（品质因数）Q=ωL/R，表示能量损耗的快慢，Q值越高损耗越小。提高Q值的方法包括：选用低电阻线圈；使用高绝缘性能的电容器；增加电感L或减小R。高Q值电路振荡周期更稳定，适用于精密振荡器等应用。8.第14单元中，解释三相交流电的星形连接和三角形连接的特点及适用场景。（不少于100字）参考答案：星形连接（Y接）将三个线圈末端连接成中性点，线电压U_L=√3U_P，线电流I_L=I_P，适用于需要中性线的场合（如照明电路）；三角形连接（Δ接）将线圈首尾相连，线电压U_L=U_P，线电流I_L=√3I_P，无中性线，适用于高压输电等场合。星形连接适用于需要中性线的低压系统，三角形连接适用于高压输电系统。五、应用题（本大题共8小题，每小题4分，共24分）1.在苏教版高中物理选修第三册第7单元中，一个匝数为100的线圈，面积S=0.1m²，放置在磁感应强度B随时间均匀变化的磁场中。若ΔB=0.05T，Δt=0.2s，求线圈产生的感应电动势。（案例背景不少于200字）案例背景：某科研团队设计了一种磁通量变化测量装置，通过线圈在磁场中运动产生感应电动势，进而测量磁场变化率。实验中，将一个匝数为100、面积为0.1m²的线圈垂直放置在磁场中，磁场强度从0.5T均匀变化到0.55T，历时0.2s。团队需要计算线圈产生的感应电动势，以验证装置的灵敏度。解题步骤：①计算磁通量变化量ΔΦ=BS=0.1m²×0.05T=0.005Wb；②根据法拉第定律ε=nΔΦ/Δt=100×0.005Wb/0.2s=2.5V。参考答案：2.5V2.第8单元中，一个纯电容电路，C=2μF，接在频率f=50Hz的交流电源上，电源电压U=220V。求电路中的容抗X_C和电流I。（案例背景不少于200字）案例背景：某电子设备需要通过电容滤波电路去除电源中的高频噪声。工程师选用C=2μF的电容器，电源频率为50Hz，电压为220V，需计算电容对高频信号的阻碍作用。解题步骤：①计算容抗X_C=1/(2πfC)=1/(2π×50Hz×2×10⁻⁶F)≈398Ω；②计算电流I=U/X_C=220V/398Ω≈0.55A。参考答案：容抗398Ω，电流0.55A3.第9单元中，无线电波的波长范围从10⁻²m到10⁴m，若某无线电波的频率为1MHz，求其波长λ。（案例背景不少于200字）案例背景：某通信公司需要设计一个无线电波发射系统，已知工作频率为1MHz，需确定其对应波长，以选择合适的天线尺寸。根据电磁波传播速度公式c=λf，计算波长。解题步骤：①电磁波速度c=3×10⁸m/s；②波长λ=c/f=3×10⁸m/s/1×10⁶Hz=300m。参考答案：300m4.第10单元中，一个RL串联电路，R=10Ω，L=0.1H，接在频率f=1000Hz的交流电源上，电源电压U=100V。求电路中的阻抗Z和电流I。（案例背景不少于200字）案例背景：某工程师需要设计一个滤波电路，已知电阻R=10Ω，电感L=0.1H，电源频率为1000Hz，电压为100V，需计算电路的总阻抗和电流。解题步骤：①计算感抗X_L=2πfL=2π×1000Hz×0.1H≈628Ω；②计算阻抗Z=√(R²+X_L²)=√(10²+628²)≈630Ω；③计算电流I=U/Z=100V/630Ω≈0.16A。参考答案：阻抗630Ω，电流0.16A5.第11单元中，一个霍尔元件，宽度d=0.01m，载流子速度v=10⁴m/s，置于磁感应强度B=0.5T的磁场中，电流I=1A。求霍尔元件的输出电压U_H。（案例背景不少于200字）案例背景：某自动化设备需要测量金属导体的磁化强度，使用霍尔元件进行检测。已知霍尔元件宽度d=0.01m，载流子速度v=10⁴m/s，磁场B=0.5T，通过电流I=1A，需计算输出电压。解题步骤：①计算载流子电荷量q=1.6×10⁻¹⁹C（电子）；②根据霍尔效应公式U_H=Bqv/d=0.5T×1.6×10⁻¹⁹C×10⁴m/s/0.01m≈8×10⁻¹⁴V。参考答案：8×10⁻¹⁴V6.第12单元中，麦克斯韦方程组中∇×E=-∂B/∂t方程描述了什么物理现象？并说明其在电磁波产生中的作用。（案例背景不少于200字）案例背景：某物理教师在课堂上讲解电磁波的产生机制，需要解释麦克斯韦方程组中∇×E=-∂B/∂t方程的物理意义。该方程描述了变化的电场产生磁场，是电磁波产生的关键。解题步骤：①方程∇×E=-∂B/∂t表明，随时间变化的电场会产生磁场；②在电磁波产生中，变化的电场E和磁场B相互激发，形成电磁波向外传播。例如，振荡电偶极子产生电磁波时，其变化的电场产生磁场，变化的磁场又产生新的电场，如此循环形成电磁波。参考答案：变化的电场产生磁场，是电磁波产生的关键机制。7.第13单元中，一个LC振荡电路，C=1μF，要使其振荡频率f=1000Hz，应选择多大电感L？（案例背景不少于200字）案例背景：某工程师需要设计一个LC振荡电路，要求振荡频率为1000Hz，已知电容器C=1μF，需计算所需电感L。解题步骤：①振荡频率公式f=1/(2π√(LC))；②解出电感L：L=1/(4π²f²C)=1/(4π²×(1000Hz)²×1×10⁻⁶F)≈2.53H。参考答案：2.53H8.第14单元中，三相交流发电机输出线电压U_L=380V，若采用星形连接，求相电压U_P和中性线电流I_N。（案例背景不少于200字）案例背景：某电力公司需要将三相交流发电机输出线电压380V降压后用于照明电路，采用星形连接，需计算相电压和中性线电流。解题步骤：①星形连接中相电压U_P=U_L/√3=380V/√3≈220V；②若各相负载对称，中性线电流I_N=0；若负载不对称，需根据各相电流计算I_N。参考答案：相电压220V，中性线电流取决于负载是否对称。9.第15单元中，一个硅二极管，正向压降V_F=0.7V，反向漏电流I_R=10μA。若在电路中施加电压V=5V，求二极管的工作状态和电流。（案例背景不少于200字）案例背景：某电子爱好者设计了一个简单的整流电路，使用硅二极管，正向压降V_F=0.7V，反向漏电流I_R=10μA。当施加电压V=5V时，需判断二极管工作状态和电路电流。解题步骤：①施加电压5V大于正向压降0.7V，二极管正向导通；②导通后电流I=(V-V_F)/R，假设电阻R足够大，电流主要受二极管特性影响，近似为正向电流。参考答案：二极管导通，电流取决于外部电路电阻。10.第16单元中，一个电磁屏蔽罩，材料导电率σ=1×10⁷S/m，厚度t=1mm，需屏蔽频率f=100MHz的电磁波，求屏蔽效能SE。（案例背景不少于200字）案例背景：某实验室需要设计一个电磁屏蔽罩，用于屏蔽频率为100MHz的电磁波，已知屏蔽材料导电率σ=1×10⁷S/m，厚度t=1mm，需计算屏蔽效能SE。解题步骤：①屏蔽效能公式SE=10log(1/(2πfμ₀σe^{-2πft/λ}))，其中λ=c/f；②计算屏蔽效能SE≈40dB。参考答案：屏蔽效能约40dB【标准答案及解析】一、单项选择题1.B2.C3.A4.B5.B6.C7.A8.C9.A10.B解析：2.法拉第定律适用于所有回路，A错误；楞次定律本质是能量守恒，B正确；切割磁感线方向影响电动势大小，C错误；自感与电流变化率相关，D错误。3.有效值公式适用于周期性交流电，A错误；电容通交流，电感阻交流，B错误；感抗和容抗与频率成反比，C正确；并联电路电流相位受阻抗影响，D错误。4.电磁波在介质中速度与频率相关，A错误；可见光属于电磁波谱，B正确；电磁波传播不需要介质，但衍射表明波动性，C正确；赫兹实验证实电磁波，D正确。5.含容电路开关断开时电容器通过原支路放电，A错误；RLC串联电路阻抗Z=√(R²+(ωL-1/ωC)²)，ω增大时阻抗先增大后减小，B正确；并联电路总电流与各支路电阻成反比，C错误；分压电路需考虑滑动变阻器接入部分，D错误。6.霍尔元件输出电压U_H=Bqvd，与载流子浓度成反比，B错误。二、填空题1.ε=nΔΦ/Δt；感应电动势的大小等于穿过电路磁通量变化率的绝对值2.1/(2πfC)；减小3.3×10^8；10^-2；10^44.√(R²+(ωL)²)；阻5.磁场；成正比6.∇×E=-∂B/∂t；变化的电场产生磁场7.电场能；磁场能；2π√(LC)8.120°；U_L=√3U_P9.单向导电；0.710.分贝（dB）；屏蔽材料对电磁波的衰减能力三、判断题1.正确2.错误3.正确4.错误5.正确6.正确7.正确8.错误9.正确10.错误解析：11.楞次定律核心是“阻碍变化”，感应电流方向使磁场变化减慢，故正确。12.感抗与频率成正比，f减小则感抗减小，故错误。13.电磁波在介质中传播速度均小于真空光速，故正确。14.并联阻抗公式应为倒数和的倒数，与阻抗成正比，故错误。15.电子运动方向与电流方向相反，导致霍尔电压方向与正电荷情况相反，故正确。16.该方程是电场的高斯定律，体现电荷产生电场，故正确。17.电阻会导致能量耗散，振荡频率减小，周期增大，故正确。18.C相电压相位应落后A相120°，即u_C=Umsin(ωt-120°)，故错误。19.增强型NMOS管工作条件是V_GS>阈值电压，此时I_D随V_GS增大而增大，故正确。20.屏蔽效能与材料导电率、导磁率及厚度均有关，故错误。四、简答题1.法拉第电磁感应定律指出，闭合电路中感应电动势的大小等于穿过该电路磁通量变化率的绝对值，即ε=nΔΦ/Δt。其应用实例包括：发电机通过线圈旋转切割磁感线产生交流电；变压器通过互感现象实现电压变换；感应炉利用变化的磁场在金属中产生涡流进行加热等。该定律是电磁学的基础，奠定了现代电力工业的基础。2.纯电容电路中，电流相位超前电压90°，阻抗Z_C=1/(2πfC)，频率f越高容抗越小。电容具有隔直通交的特性，在电路中可用于滤波（如整流电路的滤波电容）、耦合（传递交流信号同时隔离直流）、旁路（为高频信号提供低阻抗通路）等。例如，在音频电路中电容可防止低频噪声干扰。3.电磁波的产生机制是变化的电磁场相互激发。当电场发生变化时，会激发磁场，变化的磁场又会激发电场，二者交替激发形成电磁波向外传播。电磁波谱按波长或频率划分，包括无线电波（波长最长）、微波、红外线、可见光、紫外线、X射线、γ射线（波长最短）。划分依据是不同波段电磁波的波长、频率和能量差异，以及与物质的相互作用方式不同。4.RLC串联电路的谐振现象是指当电路角频率ω=1/(√(LC))