CN119432041A 光热驱动形状记忆性储热调温相变材料及其制备方法和应用 （北京大学）

光热驱动形状记忆性储热调温相变材料及一种光热驱动形状记忆性储热调温相变材料及化石墨烯、碳纳米管等碳基材料中的一种或多2所述聚氨酯相变材料的原料包括聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、异氰热转换材料的添加量为所述聚氨酯相变材料质量的0.1_3wt优选为0.5_1.5wt%;和/或，所述聚醚型多元醇与所述聚酯型多元醇的摩尔比为1:(100_1000)，优选为1:分子多元醇的添加量为所述聚醚型多元醇、聚酯型多元醇和异氰酸酯总质量的0.01％_0.3%;6.一种权利要求1_5中任一项所述的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料的制备方7.根据权利要求6所述的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料的制备方法，其特征S3、将所述端异氰酸酯预聚物二与小分子多元醇继续38.根据权利要求7所述的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料的制备方法，其特征9.根据权利要求7或8所述的光热驱动形状记忆S3、将小分子多元醇加入到所述端异氰酸酯预聚物二中，在75_85℃下持续搅拌反应10.一种权利要求1_5中任一项所述的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料或权利要求6_9中任一项所述的制备方法得到的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料的应用，4光热驱动形状记忆性储热调温相变材料及其制备方法和应用[0002]相变储热调温技术以吸收和释放大量潜热的相变材料为到需要的时候通过相变过程释放热能进行利用，能够有效缓解能源危机且实现高效节能。方法，以4,4_二环己基甲烷二异氰酸酯为硬段材料，不同分子量的聚乙二醇为软段，以Ti3C2面等离子体共振效应赋予定型相变材料高热导率和光热转换特性，HMDI将PEG分子进行一[0005]专利CN201810067001.6公开了一种光热转换聚氨酯储能薄膜材料及其制备方法[0007]本发明的目的在于提供一种光热驱动形状记忆性储热调温相变材料及其制备方5氰酸酯总质量的0.01％_0.3优选为0.16％。6材料或以上任一项所述的制备方法得到的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料的应用，改进的聚氨酯相变材料原位复合，可得到拉伸强度及柔弹性极好的聚氨酯固固相变材料，7[0040]图1为实施例1制备的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料及所用原料的热分[0041]图2为实施例1制备的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料及所用原料的XRD谱[0042]图3为实施例1制备的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料不同温度下的XRD谱[0043]图4为聚氨酯相变材料及实施例1制备的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料[0044]图5为实施例1制备的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料改变应力条件下的[0045]图6为聚氨酯相变材料及实施例1制备的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料[0046]图7为不同石墨烯添加量的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料的应力一应变[0047]图8为不同石墨烯添加量的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料的光热转换效亚甲基二异氰酸酯)，在75℃的氮气气氛环境中持续反应60min后加入二月桂酸二丁基锡8和D_山梨糖醇总质量的1wt%;[0057]从图1可以看出，本实施例制得的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料具有较熔融温度为61.3℃,熔融相变焓值为110.3J/g，结晶温度为43.7℃,结晶相变焓值为[0058]从图2可以看出本实施例制得的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料具有良好[0060]从图5可以看出，本实施例制得的光热驱动形状记忆性储热调温相变材料能够随形状记忆性储热调温相变材料在光照下温度显著升高，光热转换效率与存储能力(η)为9以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；