GB/T 11296-2026红外探测材料型号命名方法

ICS31030

CCSL.90

中华人民共和国国家标准

GB/T11296—2026

代替GB/T11296—1989

红外探测材料型号命名方法

Designationforinfrareddetectingmaterials

2026-09-28发布2027-04-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T11296—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替红外探测材料型号命名方法与相比除结

GB/T11296—1989《》,GB/T11296—1989,

构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

,:

更改了产品型号组成结构由之前的材料主要成分掺杂物质同一组分中不同的配比或不同

a),“-

的技术参数更改为化合物半导体材料的材料尺寸材料名称第一特征值第二特征值第三

”“-/-(

特征值第四特征值以及热释电材料的材料尺寸材料名称第一特征值第二特征值第三

)-”“-/--

特征值见年版的第章

”(4.1.1、4.2.1,19891);

更改了材料名称中锑化铟碲镉汞材料的缩写符号锑化铟由更改为碲镉汞由

b)、,ISInSb,

更改为铌酸锶钡由更改为见年版的

HCTMCT,BSNSBN(4.1.3、4.2.3,19891.1);

更改了命名方法分为化合物半导体材料和热释电材料两类分别规定了各自的命名方法见

c),,(

第章年版的第章

4,19891);

增加了化合物半导体材料中的碲锌镉锑化镓铟镓砷二类超晶格量子阱材料同时增加了

d)、、、、,

其他材料表示形式按照该方法类推进行的描述见年版的

“”(4.1,19891.1);

增加了热释电材料中的金属氧化物陶瓷高分子聚合物材料同时增加了其他热释电材料表

e)、,“

示形式按照该方法类推进行的描述见年版的

”(4.2,19891.1);

删除了对各型号结构部分的说明见年版的第章

f)(19891);

增加了对每种材料的材料尺寸材料名称各特征值的代表含义以及表示符号的说明见

g)、、(

第章

4)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口

。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第十一研究所中国电子技术标准化研究院厦门华芯晶

:、、

圆半导体有限公司有研国晶辉新材料有限公司

、。

本文件主要起草人赵超刘铭曹可慰折伟林史泽远刘江高仇瑛赵俊莎吴怡然张宝帅

:、、、、、、、、、、

陈基生马远飞

、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为

———1989GB/T11296—1989;

本次为第一次修订

———。

Ⅰ

GB/T11296—2026

红外探测材料型号命名方法

1范围

本文件描述了红外探测器用化合物半导体材料和热释电材料型号命名的方法

。

本文件适用于红外探测用化合物半导体材料包括锑化铟单晶锑化镓碲锌镉等单晶材料锑化

()、、,

铟薄膜碲镉汞铟镓砷二类超晶格量子阱等薄膜材料以及热释电材料包括硫酸三甘肽钽酸锂铌

()、、、、、、

酸锶钡等单晶材料锆钛酸铅钛酸铅等金属氧化物陶瓷材料聚氟乙烯聚偏氟乙烯等高分子聚合物材

,、,,

料的命名

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体材料术语

GB/T14264—2024

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264—2024。

4型号命名方法

41红外探测器用化合物半导体材料型号命名方法

.

411型号结构

..

型号结构如图所示分别由材料尺寸材料名称第一特征值第四特征值这几个部分组成

1,、、~。

-/-()-

第四特征值