数字电路域逻辑设计7-4.ppt

1、、7.4只读内存(ROM)、7.4.1固定ROM、7.4.2可编程ROM(PROM)、7.4.3可清除ROM (epROM)、使用7.4.4.4 rom的组合逻辑函数、7.4.5 EPROM，二极管固定ROM、导线和水印的交叉点表示存储单元，二极管表示存储器1。否则，表示阵列0。表7-4-1 44位ROM数据表，固定ROM的阵列图与阵列或阵列一起配置。用与阵列和地址解码器相对应的实心点显示地址代码；或者，图案与带有实心点的存储矩阵相对应，表示二极管已附着。MOS管固定ROM、线和水印的交点表示存储单元，NMOS管表示存储1。否则，表示阵列0。此ROM中存储的数据与图7-4-1中的二极管固定RO

2、M相对应。7.4.2 prom (programming rom)、prom是工厂存储的内容全部为1(或全部为0)，用户可以根据需要将部分单元替换为0(或1)。特征：操作速度快，但只能进行一次性编程处理。选择要创建用户编程：i1的相应地址。将低电压正脉冲应用到AW输出较低的级别，较大的脉冲电流从VCC通过三极管，通过保险丝，将此单位信息替换为0。7.4.3可清除的可编程ROM(EPROM)，可清除的可编程ROM(EPROM) EPROM的存储单元使用堆叠灌嘴注入MOS管。因为EPROM中的存储设备是可清除的，所以将存储在EPROM阵列图表或阵列中的信息“1”显示为“”，以区别于固定ROM。用户

3、编程(写0):提高泄漏极和源极(接地)之间的电压，控制栅极加电压脉冲以产生雪崩效果。需要特殊工具(程序员)。擦除：用洗涤器产生的强烈紫外线完成擦除工作大约需要几分钟。一般可以删掉几百次。EPROM的删除操作是在整个芯片上执行的，不能删除单词(只擦一个单词或部分单词)。EPROM包装工厂，没有浮栅电荷，存储设备信息全部。存储时间：存储10年，无需光线干涉。EEPROM可以从高压脉冲或工作电压中简单地清除，不需要紫外线暴露，具有单词删除功能，使用起来更灵活、更方便。典型的EEPROM集成片允许记录10010000次，数据保留了约20毫秒、510年。EEPROM的存储单元由门控制T2和叠层栅MOS管

4、T1组成。其中T1称为副井隧道氧化层MOS管，在一定电压条件下产生用于电气清除工作的隧道效果。电气可编程rom (EEPROM)，SiO 2，p，S1，G1，D1，写已清除栅格(多晶硅)，浮栅(多晶硅)，图7-4、闪存闪存采用单管栈栅结构存储设备，EPROM结构简单，编程可靠，EEPROM清除隧道效应的快速功能具有很强的密集型性。没有单词清除功能。7.4.4基于ROM是与阵列和/或阵列组合的逻辑电路，实现使用ROM组合的逻辑函数。使用数组地址结束A0An作为逻辑函数的输入变量时，将在地址解码器输出结束(即行)处生成所有最小条目。或者，数组的输出(水印)是在连接的文字行的信息输出之后或之后输出的

5、，因此，数据输出端可以获得最小项目或的表达式。结论：ROM具有多个数据输出，可以获得多个逻辑函数的输出。方法；列出函数的真值表，并直接绘制存储矩阵的数组。示例7-1将基于代码的转换器配置为PROM，该转换器将4位二进制代码B3B2B1B0转换为循环代码G3G2G1G0。，表7-4-2将二进制代码转换为循环代码的true表，图7-4-9使用PROM将二进制代码转换为循环代码，图7-4-10 2716外部前导Pareto图，ce/PGM， 7.4.5 EPROM集成表简介，编程高压25V，切片选择/编程控制，用于27167512系列的EPROM集成表，除存储容量和编程高压外，电源电压5V，表7-4-3 EPROM 2716工作原理，2716总计，示例7-1将基于代码的转换器配置为PROM，该转换器将