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文档简介

1、1，5.3能带-杂质中心跃迁，施主和受主杂质中心的能态，施主和受主杂质中心的红外吸收带-施主(受主)中心的复合发光，2，施主和受主杂质中心的能态，半导体掺杂N-硅(锗)氮、磷、砷、锑、铋等。p-Si(Ge) B、Al、Ga In等在禁带中形成施主或受主能级，电离能emV和电子(或空穴)在杂质中心附近受到库仑势，其中R是电子或空穴的位置坐标。利用弱束缚近似方法类氢原子模型，3，求解薛定谔方程，可以得到杂质能级(导带底或价带顶分别为0点)，其中R*是杂质态的里德堡常数。杂质中心的电子(空穴)的等效半径为，其中aB=0.5310-8厘米，这是氢原子的玻尔半径，例如，GaAs:R1 *=90.910-

2、8厘米(半导体：s 3360 r 1 *=2010-8厘米大，m*/m0小)Ge:r1 *。4，施主和受主杂质中心的红外吸收，(a)和(b):过渡-中性施主(受主)和价带之间的浅过渡，(c)和(d):过渡-电离施主(受主)和价带之间的深过渡，5，eV，单晶硅受主杂质，吸收(相对值)，ei，d0，A0，6，InSb中杂质中心到带的深过渡吸收光谱，T=10K，锌或镉，吸收边缘的低能方向，台阶结构，ei，ei，d，a-，(A)和(b):面对发射声子的竞争，从导带电子(价带空穴)到电离供体(受体)的浅跃迁；(c)和(d):在中性供体和价带或导带和中性受体之间的深度跃迁，D0h，e00，面对供体-受体对

3、的带间复合能态的竞争，供体-受体对的吸收和发光光谱，9。施主-受主对的能量状态，考虑施主和受主杂质的同时掺入：施主-受主对联合中心：D可以捕获一个电子，A-可以捕获一个空穴，形成D-A-eh或D-A-X中心，称为施主-受主对(D-A对)。如果ND/NA 1被过度补偿，受主状态将被部分占据，而施主状态将被部分空出，形成D-A自补偿状态。其初始能量为：其最终能量为：(其中EA和ED分别代表受体和供体的电离能，R代表D-A之间的距离)，10，弱结合下光跃迁的能量条件：其中()代表D-A对在R处吸收和发射的光子能量，11，供体-受体对的吸收和发光光谱，供体-受体对吸收光谱的锐线体系结构？施主-受主对的吸收和发光光谱特征可以从上述公式中得到：(1)在锐线体系(高能侧)中R较小的D-A对的贡献；(2)在光谱中R值较大的D-A对的贡献(低能侧)；(12)施主-受主对的发光光谱；具有光谱发光低能截止边缘和发光高能截止边缘杂质取代晶格的D-A对的建立发光蓝移时间分辨光谱、时间延迟、发光红移、1.6K

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