芯片常用封装及尺寸说明

1、。A.常见芯片封装介绍来源：互联网作者：关键词：芯片封装1.球栅阵列封装球接触显示器，表面贴装封装之一。在印刷基板的背面，以显示模式制造球形凸块来代替引脚，并且将大规模集成电路芯片组装在印刷基板的正面，然后通过模制树脂或灌封方法密封。也称为凹凸显示载体(PAC)。引脚可以超过200，这是一种多引脚大规模集成电路封装。封装体也可以做得比QFP(四面引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距离为1.5毫米的360引脚BGA只有31毫米见方；而304针中心距为0.5毫米的QFP为40平方毫米。BGA也不必像QFP那样担心引脚变形。该软件包由美国摩托罗拉公司开发。它首先被用于便携式电话和其他设备，并将在美国个

2、人电脑中普及。起初，BGA引脚(凸点)的中心距离为1.5毫米，引脚数为225。目前，一些大规模集成电路制造商正在开发500引脚BGA。BGA的问题是回流焊后的目视检查。尚不清楚这是否是一种有效的目视检查方法。有些人认为，由于焊接中心之间的距离很大，连接可以被认为是稳定的，这只能通过功能检查来处理。美国摩托罗拉公司称这种封装是用OMPAC树脂模制而成，封装是用GPAC灌封法密封的(见OMPAC和GPAC)。2.BQFP封装(带保险杠的四方扁平封装)带缓冲垫的四引脚扁平封装。其中一个QFP封装，凸点(缓冲垫)设置在封装体的四个角，以防止引脚在运输过程中弯曲和变形。美国半导体制造商主要在微处理器和专

3、用集成电路等电路中使用这种封装。引脚中心距离为0.635毫米，引脚数量范围为84至196(参见QFP)。3.对接销栅阵列表面贴装元件的其他名称(参见表面贴装元件)。4.C-(陶瓷)封装代表陶瓷包装的标志。例如，CDIP代表陶瓷DIP。这是一个在实践中经常使用的标记。5.Cerdip封装玻璃密封陶瓷双列直插式封装，用于ECL随机存取存储器、数字信号处理器和其他电路。带玻璃窗的Cerdip用于紫外擦除电子顺磁共振和内置电子顺磁共振的微机电路。引脚的中心到中心距离为2.54毫米，引脚数量范围为8到42。在日本，这种包装被称为DIP-G(G表示玻璃密封)。6.Cerquad封装其中一种表面贴装封装，即

4、底部密封陶瓷QFP，用于封装逻辑大规模集成电路，如数字信号处理器。带窗口的证书用于封装电子顺磁共振电路。散热性能优于塑料QFP，可耐受1。自然风冷条件下功率为5 2 W。但是包装成本比塑料高QFP高3 5倍。销中心距为1.27毫米、0.8毫米、0.65毫米、0.5毫米、0.4毫米等规格。引脚数量从32到368不等。带引脚的陶瓷芯片载体是表面贴装封装中的一种，从封装的四个侧面以T形引出。该窗口用于封装紫外可擦除可编程只读存储器和带可编程只读存储器的微机电路。这个包也被称为QFJ和QFJ-G(见QFJ)。7.CLCC封装(陶瓷led芯片载体)带引脚的陶瓷芯片载体是表面贴装封装中的一种，从封装的四个

5、侧面以T形引出。该窗口用于封装紫外擦除可编程只读存储器和带可编程只读存储器的微机电路。这个包也被称为QFJ和QFJ-G(见QFJ)。8.COB封装(板上芯片)片上封装是裸芯片安装技术之一。半导体芯片被移交并安装在印刷电路板上。芯片和基板之间的电连接是通过线缝合实现的。芯片和基板之间的电连接是通过线缝合实现的，并且用树脂覆盖以确保其可行性。虽然COB是最简单的裸芯片安装技术，但其封装密度远低于TAB和倒装芯片焊接技术。9、双扁平封装双面引脚扁平封装。是标准操作程序的另一个名称(见标准操作程序)。这个术语以前用过，但现在基本上不用了。10、DIC(双列直插式陶瓷封装)陶瓷DIP(包括玻璃密封)的另

6、一个名称(参见DIP)。11.双列直插式双列直插式连接器的另一个名称。欧洲半导体制造商经常使用这个名字。12.双列直插式封装。其中一个插件封装，引脚从封装的两侧引出，封装材料为塑料和陶瓷。DIP是最流行的插件封装，其应用包括标准逻辑集成电路、存储大规模集成电路、微型计算机电路等。引脚中心距离为2.54毫米，引脚数量范围为6至64。包装宽度通常为15.2毫米.一些宽度为7.52毫米和10.16毫米的封装分别被称为超薄DIP和超薄DIP。但是在大多数情况下，没有区别，它们被简单地称为DIP。此外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(参见cerdip)。13、DSO(双小外绒)双面引线小

7、型封装。标准操作程序的其他名称(见标准操作程序)。一些半导体制造商采用这个名称。14、DICP(双磁带载体封装)双面引线装载封装。有效负载封装。引脚制作在绝缘带上，从封装的两侧引出。由于使用了自动负载焊接技术，包装形状非常薄。常用于液晶显示驱动大规模集成电路，但大多数都是固定产品。此外，厚度为0.5毫米的存储大规模集成电路薄封装正处于开发阶段。在日本，DICP是根据日本电子机械工业标准命名的。15、双列直插式封装同上。DTCP在日本电子机械工业协会标准中的命名(见DTCP)。16、平板封装扁平包装。表面贴装封装之一。QFP或标准操作程序的其他名称(参见QFP和标准操作程序)。一些半导体制造商采

8、用这个名称。17、倒装芯片向后焊接芯片。裸芯片封装技术之一是在大规模集成电路芯片的电极区域制作金属凸点，然后通过压焊将金属凸点与印刷基板上的电极区域连接起来。封装的尺寸与芯片尺寸基本相同。这是最小和最薄的包装技术之一。然而，如果衬底的热膨胀系数不同于大规模集成电路芯片的热膨胀系数，则在接合处会发生反应，从而影响连接的可靠性。因此，有必要用树脂加固大规模集成电路芯片，并使用热膨胀系数基本相同的衬底材料。SiS 756北桥芯片采用最新的倒装芯片封装，完全支持AMD Athlon 64/FX处理器。支持PCI Express X16接口，提供高达8GB/s的图形卡双向传输带宽。它可以支持最高的超传输

9、技术和最高的传输带宽2000兆比特/秒。内置硅技术独家先进的超流技术，MuTIOL 1G技术。18、FQFP(细间距四方扁平封装)小销中心距QFP。通常，脚中心距离小于0.65毫米的QFP是被引导的(见QFP)。一些导体制造商采用这个名称。塑料四方扁平包装(PQFP)是最流行的包装形式。芯片引脚之间的距离非常小，引脚非常薄。许多大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，引脚数量一般超过100个。英特尔系列处理器中的80286、80386和大约486个主板芯片采用这种封装形式。该封装芯片必须通过表面贴装技术(表面贴装设备)焊接到电路板上。通过表面贴装技术安装的芯片不需要在电路板上打孔，但通常在电

10、路板表面设计相应引脚的焊点。通过将芯片的引脚与相应的焊点对准，可以实现与母板的焊接。用这种方法焊接的芯片没有特殊工具很难拆卸。表面贴装技术也广泛应用于芯片焊接领域。从那时起，许多先进的封装技术需要表面贴装焊接。以下是AMD QFP公司封装的286处理器芯片。0.5毫米焊盘中心距离，208个输入/输出引脚，总尺寸为2828毫米，芯片尺寸为1010毫米，则芯片面积/封装面积=1010/2828=133607.8，这表明QFP的封装尺寸比DIP小得多。PQFP封装的主板声卡芯片19、CPAC(全球顶级焊盘阵列载体)摩托罗拉公司对BGA的其他名称(参见BGA)。20.CQFP军用圆片陶瓷扁平包装右边的

11、芯片是一个军用芯片封装(CQFP)，这是在封装被放入晶体之前。这种封装只能在用于航空工业的军事产品和芯片中看到。在晶片槽旁边有一个厚的金屏障(在照片中是凸起的，但不明显)，以防止辐射和其他干扰。外围有螺丝孔，将芯片牢牢固定在主板上。最有趣的是周围的镀金引脚，它可以大大减小芯片封装的厚度，并提供出色的散热性能。21、H-(带散热器)表示带有散热器的标记。例如，HSOP代表带散热器的标准操作程序。22、引脚栅格阵列(表面贴装型)表面贴装PGA。一般来说，PGA是一个插入式封装，引脚长度约为3.4毫米.表面贴装印刷电路板在封装的底面上有显示引脚，其长度范围为1.5毫米至2.0毫米。贴装采用与印刷基板

12、的接触焊接方法，因此也称为接触焊接印刷电路板。由于引脚中心距只有1.27毫米，比插入式PGA小一半，封装体可以做得更小，引脚数比插入式PGA多250 528个，是一种大规模逻辑LSI封装。封装基板包括多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基板。多层陶瓷基板的封装已经投入实际使用。PGA封装伟刚迷你DDR333内存条23.JLCC封装(j-led芯片载体)j型引脚芯片载体。它指的是带窗的CLCC和带窗的陶瓷QFJ(见CLCC和QFJ)。一些半导体制造商采用的名称。24.无引线芯片载体无引脚芯片载体。它指的是在陶瓷衬底的四个侧面上只有电极接触而没有引线的表面贴装封装。是一种高速高频集成电路封装，也称为陶瓷

13、QFN或QFN-C(见QFN)。25.LGA组件(陆地网格阵列)联系人显示包。也就是说，在底部表面上制造具有阵列状态平坦电极触点的封装。组装时插入插座。具有227个触点(中心距1.27毫米)和447个触点(中心距2.54毫米)的陶瓷LGA已应用于高速逻辑大规模集成电路。与QFP相比，LGA可以在更小的封装中容纳更多的输入和输出引脚。此外，由于引线阻抗小，非常适合高速大规模集成电路。但是，由于插座制造复杂，成本高，现在基本上不用了。预计将来对它的需求会增加。AMD的2.66千兆赫双核皓龙圣罗莎平台26.锁定封装(片上引线)片内引脚封装。大规模集成电路封装技术之一，一种引线框架的前端位于芯片上方，

14、在芯片中心附近形成凸形焊点，通过线缝合实现电连接的结构。与引线框架被布置在芯片的侧表面附近的原始结构相比，容纳在相同尺寸封装中的芯片大约1毫米宽。日立金属公司推出了一款2.9毫米见方的3轴加速度传感器27.LQFP封装(薄型四方扁平封装)瘦QFP。指QFP，封装体厚度为1.4毫米，这是日本电子机械工业协会根据新的QFP形状规格使用的名称。28.L-QUAD封装陶瓷QFP之一。用于封装基板的氮化铝具有比氧化铝高7 8倍的热导率，并且具有更好的散热性。封装框架由氧化铝制成，芯片采用灌封方法密封，降低了成本。它是为逻辑大规模集成电路开发的一个封装，可以在自然空气冷却条件下承受W3功率。目前，具有20

15、8个引脚(0.5毫米中心距)和160个引脚(0.65毫米中心距)的大规模集成电路逻辑封装已经开发出来，并于1993年10月投入大规模生产。29.多芯片组件多芯片模块。一种封装，其中多个裸半导体芯片被组装在布线基板上。根据衬底材料的不同，可以分为三类：多芯片组件、多芯片组件和多芯片组件.MCM-L是一种使用普通玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不高，成本低。多芯片组件是以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)为衬底的组件，类似于使用多层陶瓷衬底的厚膜混合集成电路。他们之间没有明显的区别。布线密度高于多芯片组件.多芯片组件是以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或硅和铝为衬底，通过薄膜技术形成多层布线的组件。布线方案是三个组件中最高的，但成本也很高。30.MFP套餐(迷你平板套餐)小型扁平包装。塑料标准操作程序或SSOP的其他名称(见标准操作程序和SSOP)。一些半导体制造商采用的名称。31.MQFP封装(公制四方扁平封装)根据JEDEC标准对QFP的一种分类。标准QFP，导脚中心距离为0.65毫米，