模拟电路课件课件第二次

1、1，正向特性：当施加到二极管的直流电压很小时，正向电流非常小，几乎等于零。只有当二极管两端的直流电压超过一定值时，正向电流才会明显增加。当直流电压大于Uon时，二极管导通；当直流电压小于Uon时，二极管关闭。1.二极管：的伏安特性和反向特性当反向电压施加到二极管时，反向电流的值非常小。此外，当反向电流不随着反向电压的增加而增加时，它达到饱和。该电流称为反向饱和电流，用is表示。如果反向电压继续增加超过UB，反向电流将急剧增加，导致击穿。也称为死区电压、2、最大整流电流IF:二极管长期工作期间允许通过管的最大正向平均电流。最大反向工作电压UR: UR是二极管工作时允许施加的最大反向电压。如果超过

2、该值，二极管可能会因反向击穿而损坏。UR=1/2 UB。反向电流ir3360ir是二极管未击穿时的反向电流。红外越小，二极管的单向导电性越好。最高工作频率fm3360fm是二极管工作时的上限频率。当超过该值时，由于结电容，二极管将不能很好地反映单向导电性。2.二极管的主要参数；3.电压调节器的伏安特性、符号和电路。稳压器是一种表面接触型晶体二极管，由硅材料制成，工作在反向击穿区。(a)，1.2.6齐纳二极管，4。齐纳二极管的参数可以从齐纳二极管的伏安特性曲线中确定。(1)稳定电压UZ，(2)动态电阻rZ，在电压调节器的规定反向工作电流IZ下的相应反向工作电压。电压调节器在稳压区工作时两端电压变

3、化和电流变化的比值。rZ越小，稳压器的击穿特性越陡。RZ=UZ /IZ，5，(3)额定功耗PZ，当调压器反向工作时，PN结的功率损耗为PZ=VZ IZ，IZmax可由PZ和VZ确定。当电压调节器的功耗超过该值时，它将因结温升高而损坏。(4)稳定电流IZ，稳压器的稳定工作电流是稳压器正常工作时的最小电流，不能稳定在该值以下。6、工作时齐纳二极管应反向连接，电源的正极连接到稳压管的N区，电源的负极连接到稳压管的P区。限流电阻与负载串联和并联。串联电阻起到限流作用，保护稳压管。与负载并联是指当输入电压或负载电流发生变化时，稳压管两端的电压变化很小，可以使输出电压更加稳定，从而起到稳压的作用。7，当二

4、极管接通时，它通常被接通的电压源所代替。硅管，如果使用锗管。v)，或近似由短路代替。当切断时，二极管通常是断开的，也就是说，二极管的反向电阻被认为是无限的。限幅器电路、整流器电路、门电路，在应用电路中，关键是判断二极管是导通还是关断。1.2.7二极管的应用，理想型号，当电压U0V施加到二极管两端时，二极管导通；当电压U0V施加在二极管上时，二极管关断。恒压降模型，当二极管的电压UUon时，二极管导通；当二极管的电压UUon时，二极管关断。8、当输入信号电压在一定范围内变化时，输出电压随输入电压相应变化；当输入电压超过此范围时，输出电压保持不变，这称为限制电路。图1 18并联二极管上的限制电路9

5、示例：众所周知，当用户界面=0V、4V和6V时，计算输出电压uo的值。2)当ui=6sinwtV时，绘制输出电压的输出波形，ui=0V，二极管关断，uo=ui=0V。ui=4V，二极管开启，uo=E=3V。ui=6V，二极管开启，uo=E=3V。解决方案：理想情况下，考虑导通电压图1-19二极管并联限制电路的波形关系，11。二极管门电路，图1-23。二极管与门电路，5V，12。发光二极管是一种直接将电能转化为光能的半导体器件。当这个二极管通电时，它会发光。正向传导电压降为1.8V2.2V.其他二极管，光电二极管，也称为光电二极管，是光电转换器件，其基本原理是当光照射到PN结时，它吸收光能并将其

6、转换成电能。光电耦合器件，光电耦合器件是由光电二极管和发光二极管组合而成的。它能以光为媒介实现电信号的传输。当电信号加到输入端时，发光二极管的光随信号变化，当它照射在光电二极管上时，在输出端产生与信号变化一致的电信号。由于发光器件和光电器件分别连接在输入和输出电路中并相互隔离，它们通常用于信号的单向传输，但需要电路之间的电气隔离。通常用于计算机控制系统的接口电路。半导体晶体管有两种类型，一种是双极型半导体晶体管，另一种是场效应半导体晶体管，另一种是双极型半导体晶体管，另一种是场效应半导体晶体管。1.3半导体三极管，双极型半导体三极管是一种有两个载流子参与传导的半导体器件，由两个PN结组成。双极

7、型三极管BJT也叫半导体三极管和晶体三极管，或者简称三极管和晶体管。三极管有三个电极，如图所示。图1.3.1双极三极管的几种形状，17。三极管有三个电极。根据结构的不同，BJT大致可分为NPN型和PNP型。采用该工艺方法将两个PN结“背对背”(对同一个极区)连接起来，形成一个三极管。n、p、n、n、n、p、p、p、n、p、p、npn晶体管、PNP晶体管、1.3.1晶体管的结构和类型、18、另一侧称为收集器区域和收集器，用c或c(收集器)表示。中部称为基极区，上部电极称为基极，用B或B表示；双极晶体管的符号在图的右侧，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。磷、氮、磷、19、发射极结、集电极结、2

8、0、内部结构：发射极区掺杂浓度高，集电极区掺杂浓度低，集电极结面积大。基极区应该做得非常薄，其厚度一般为几微米到几十微米。三极管放大，基极区：薄，低掺杂浓度，集电极区：大面积，发射极区：高掺杂浓度，21。外部条件：发射极结正向偏置，集电极结反向偏置。发射极结是正向偏置的(对于NPN晶体管，正电压连接到发射极结的P区，使得P-N是正向偏置的)，集电极结是反向偏置的(对于NPN晶体管，正电压连接到集电极结的N区，使得N-P是反向偏置的)，N()，P()，N()，22，图1-。-，UO，-，UO，-，-，三极管，23，UBB，铷，UCC，一小部分进入P区的电子与基区的空穴复合形成电流IBn，大部分扩

9、散到集电极结。发射极结被正向偏置，发射极区中的电子不断扩散到基极区，形成发射极电流IE。1.3.3三极管的放大过程，1。载流子的传输过程发射区发射电子形成离子电子。IEn，IEp (2)电子的碱基扩散和复合。IBn、24、UBB、Rb、UCC，集电极结反向偏置，反向电流ICBO由少数载流子形成。从基极区扩散的电子作为少数载流子漂移到集电极结，并被收集形成ICn。1.载流子传输过程(3)在集电极区收集电子，形成集成电路。25，1。载流子的输运过程发射区发射电子形成离子交换电子。IEn，IEp (2)电子的碱基扩散和复合。IBn (3)集电极区收集电子形成集成电路。图1 31三极管中的载波传输过程

10、，1.3.3三极管的放大过程，26，2。电流分布，图1-32三极管电流分布，27，En是由从发射极区发射的电子形成的电流，Ep是由从基极区扩散到发射极区的空穴形成的电流。因为发射极区是重掺杂的，所以Ep被忽略，也就是说，en，1)发射极电流=En Ep，28，Bn是由从发射极区扩散到基极区的几个自由电子与基极区中的空穴的复合形成的。大多数自由电子将继续扩散到底部。2)基极电流是Bn和CBO之间的差值：29，Cn是由发射极区域发射的电子被集电极收集而形成的，CBO是由集电极区域和基极区域中的少数载流子的漂移运动形成的，这被称为反向饱和电流。CnCBO，即：3)集电极电流，=Cn CBO，30，En，Cn CBO，发射极，基极IBIC=IBn-ICBO ICBO=IBn，IEN=IBnICn，所以： IE=IB IC，31，极少数从发射极发射的电子到达基极并与空穴结合形成BN，而它们中的大部分能到达集电极形成集电极电流CN，所以CnBn被称为共发射极DC电流放大因子。(1-14)，IE=IB IC，因此，32，当输入电