微带贴片天线概论.ppt

本讲座关于微带天线设计理论取自“微带天线”（美 I.J.鲍尔 P.布哈蒂亚著，梁联倬等译，1985年电子工 业出版社），虽然最新资料没有反映，但基本概念 仍是有用的。国内也有几本微带天线的书，很多内 容也取自鲍尔的著作，故本讲座关于微带天线设计 理论部分就参考鲍尔一书。至于本讲座后面推荐的 微带天线设计软件是否用了鲍尔的有关公式，我们 并不十分关心，比如Sonnet软件依据的是矩量法。 不同的设计软件有不同的特色，所依据的设计公式 、方法有差别，有兴趣的读者最好参阅相关的文献 。 第三讲 微带天线设计 天线举例 天线大体可分为线天线和口径天线两类。 移动通信用的VHF、UHF天线，大多是以对称振子为基础而发展的各种 型式的线天线，卫星地面站接收卫星信号大多用抛物面天线（口径天线 ）。 天线的特征与天线的形状、大小及构成材料有关。天线的大小一般以天 线发射或接收电磁波的波长来计量。因为工作于波长 = 2m的长为1m 的偶极子天线的辐射特性与工作于波长 = 2cm的长为1cm的偶极子天线 是相同的。 描述天线特性的主要参数 与天线方向性有关参数：方向性函数或方向图 离开天线一定距离处，描述天线辐射的电磁场强度在空间的 相对分布的数学表达式，称为天线的方向性函数； 把方向性函数用图形表示出来，就是方向图。 最大辐射波束通常称为方向图的主瓣。主瓣旁边的几个小的 波束叫旁瓣。 为了方便对各种天线的方向图进行比较，就需要规定一些表 示方向图特性的参数，这些参数有：天线增益G（或方向性 GD）、波束宽度（或主瓣宽度）、旁瓣电平等。 2天线效率 3极化特性 4频带宽度 5输入阻抗 b 图8-3 天线增益G与方向性GD 波束宽度与旁瓣电平 实际天线的辐射功率有时并不限制在一个波束中， 在一个波束内也非均匀分布。在波束中心辐射强度 最大，偏离波束中心，辐射强度减小。辐射强度减 小到3db时的立体角即定义为B。波束宽度B与立 体角B关系为 旁瓣电平 旁瓣电平是指主瓣最近且电平最高的 第一旁瓣电平，一般以分贝表示。方向图的旁瓣区 一般是不需要辐射的区域，其电平应尽可能的低。 天线效率与辐射电阻 极化特性、频带宽度与输入阻抗 极化特性是指天线在最大辐射方向上电场矢量的方向随时间 变化的规律。按天线所辐射的电场的极化形式，可将天线分 为线极化天线、圆极化天线和椭圆极化天线。线极化又可分 为水平极化和垂直极化；圆极化和椭圆极化都可分为左旋和 右旋。 输入阻抗与电压驻波比： 天线的输入阻抗等于传输线的特性阻抗，才能使天线获得最 大功率。 当天线工作频率偏离设计频率时，天线与传输线的匹配变坏 ，致使传输线上电压驻波比增大，天线效率降低。因此在实 际应用中，还引入电压驻波比参数，并且驻波比不能大于某 一规定值。 天线的电参数都与频率有关，当工作频率偏离设计频率时， 往往要引起天线参数的变化。当工作频率变化时，天线的有 关电参数不应超出规定的范围，这一频率范围称为频带宽度 ，简称为天线的带宽。 天线的互易性与远区场定义 在天线很多应用场合，远 区场的假设都是成立的。 远区场假设为我们分析研 究天线辐射的场带来很大 方便。这里所谓很远很远 都是以波长来计量的。 多数天线具有互易性，即天线在发射模式和接收模式具有相同 的方向性。 如果一给定天线工作在发射模式，A方向辐射电磁波的能力比B 方向强100倍，那末该天线工作于接收模式时，接收A方向辐射 来的电磁波灵敏度比B方向也强100倍。 本章以后讨论的天线都是互易的。 如果所观测点离开波源很远、很远，波源可近似为点源。从点 源辐射的波其波阵面是球面。因为观测点离开点源很远很远， 在观察者所在的局部区域，其波阵面可近似为平面，当作平面 波处理。符合这一条件的场通常称为远区场。 微带天线的优缺点及应用 同常规的微波天线相比，微带天线具有一些优点。因而，在大约 从100MHz到50GHz的宽频带上获得了大量的应用。与通常的微波 天线相比，微带天线的一些主要优点是： 重量轻、体积小、剖面薄的平面结构，可以做成共形天线； 制造成本低，易于大量生产； 可以做得很薄，因此，不扰动装载的宇宙飞船的空气动力学性能 ； 无需作大的变动，天线就能很容易地装在导弹、火箭和卫星上； 天线的散射截面较小； 稍稍改变馈电位置就可以获得线极化和圆极化（左旋和右旋）； 比较容易制成双频率工作的天线； 不需要背腔； 微带天线适合于组合式设计（固体器件，如振荡器、放大器、可 变衰减器、开关、调制器、混频器、移相器等可以直接加到天线 基片上）； 馈线和匹配网络可以和天线结构同时制作。 微带天线的优缺点及应用微带天线的优缺点及应用 但是，与通常的微波天线相比，微带天线也有一些缺点： 频带窄； 有损耗，因而增益较低； 大多数微带天线只向半空间辐射； 最大增益实际上受限制（约为20dB）； 馈线与辐射元之间的隔离差； 端射性能差； 可能存在表面波； 功率容量较低。 但是有一些办法可以减小某些缺点。例如，只要在设计和制造 过程中特别注意就可抑制或消除表面波。 微带天线的应用 在许多实际设计中，微带天线的优点远远超过它的缺点。在一些显要的 系统中已经应用微带天线的有： 移动通信； 卫星通讯； 多普勒及其它雷达； 无线电测高计； 指挥和控制系统； 导弹遥测； 武器信管； 便携装置； 环境检测仪表和遥感； 复杂天线中的馈电单元； 卫星导航接收机； 生物医学辐射器。 这些绝没有列全，随着对微带天线应用可能性认识的提高，微带天线的 应用场合将继续增多。 微带天线结构 微微带天线可以分为三种基本类型：微带贴片天线、微带行波天线和微 带缝隙天线。 微带贴片天线 微带贴片天线（MPA）是由介质基片、在基片一面上有任意平面几何形 状的导电贴片和基片另一面上的地板所构成。实际上，能计算其辐射特 性的贴片图形是有限的。 正方形 圆形 矩形 椭圆形五角形 圆环形 直角等腰 半圆形 三角形 图3-3 实际使用的各种微带天线图形 图3-4 微带天线其它可能的几何图形 微带行波天线 微带行波天线（MTA）是 由基片、在基片一面上的 链形周期结构或普通的长 TEM波传输线（也维持一 个TE模）和基片另一面上 的地板组成。TEM波传输 线的末端接匹配负载，当 天线上维持行波时，可从 天线结构设计上使主波束 位于从边射到端射的任意 方向。 图3-5 微带行波天线 微带缝隙天线 微带缝隙天线由微带馈线和开在地板上的缝 隙组成。缝隙可以是矩形（宽的或窄的）， 圆形或环形。 窄缝 圆环缝 宽缝 圆贴片 缝 图3-6 微带缝隙天线 微带天线馈电 大多数微带 天线只在介 质基片的一 面上有辐射 单元，因此 ，可以用微 带天线或同 轴线馈电。 因为天线输 入阻抗不等 于通常的 50传输线 阻抗，所以 需要匹配。 匹配可由适 当选择馈电 的位置来做 到。但是， 馈电的位置 也影响辐射 特性。 图3-7 微带线馈电的天线 图3-9 同轴馈电的微带天线 微带馈电 中心微带馈电和偏心微带馈电。馈电点的位置也决定激励那 种模式。 当天线元的尺寸确定以后，可按下法进行匹配：先将中心馈 电天线的贴片同50的馈线一起光刻，测量输入阻抗并设计 出匹配变阻器；再在天线元与馈线之间接入该匹配变阻器， 重新做成天线。另外，如果天线的几何图形只维持主模，则 微带馈线可偏向一边以得到良好的匹配。 特定的天线模可用许多方法激励。如果场沿矩形贴片的宽度 变化，则当馈线沿宽度移动时，输入阻抗随之而变，从而提 供了一种阻抗匹配的简单办法。馈电位置的改变，使得馈线 和天线之间的耦合改变，因而使谐振频率产生一个小的漂移 ，而辐射方向图仍然保持不变。不过，稍加改变贴片尺寸或 者天线尺寸，可补偿谐振频率的漂移。 微带馈电模拟 对于微带馈电，用惠更斯原 理可以把馈源模拟为贴在磁 壁上沿z方向的电流带。在 薄的微带线中，除了馈线的 极邻近区域外，在贴片边界 上的任何地方，这个电流都 很小。在理想的情况下，可 假定馈源是一个恒定电流的 均匀电流带，如图3-8所 图3-8 微带天线的馈电模拟 示。边缘效应要求电流带的宽度等于馈线的有效宽度， 馈线对微带天线输入阻抗 的影响表现为增加了一个感抗分量，此感抗可以由电流 带的尺寸来计算。 同轴线馈电 各种同轴激励示于 图3-。在所有的情 况中，同轴插座安 装在印制电路板的 背面，而同轴线内 导体接在天线导体 上。对指定的模， 同轴插座的位置可 由经验去找，以便 产生最好的匹配。 使用N型同轴插座 的典型微带天线示 于图3-中。 图3-9 同轴馈电的微带天线 同轴馈电模拟 根据惠更斯原理，同轴馈电可以用一个由 底面流向顶面的电流圆柱带来模拟。这个 电流在地板上被环状磁流带圈起来，同轴 线在地板上的开口则用电壁闭合。如果忽 略磁流的贡献，并假定电流在圆柱上是均 匀的，则可进一步简化。简化到最理想的 情况是，取出电流圆柱，用一电流带代替 ，类似微带馈电的情况。该带可认为是圆 柱的中心轴，沿宽度方向铺开并具有等效 宽度的均匀电流带，对于给定的馈电点和 场模式，等效宽度可以根据计算与测量所 得的阻抗轨迹一致性经验地确定。一旦这 个参数确定了，它就可以用在除馈电点在 贴片边缘上以外的任何馈电位置和任何频 率。当馈电点在贴片边缘上时，可以认为 ，在贴片边缘上的边缘场使等效馈电宽度 不同于它在天线内部时的值。在矩形天线 中，等效宽度为同轴馈线内径的五倍时， 可给出良好的结果。 图3-10 同轴线馈电的 微带天线 关于表面波的抑制 在微带天线中，除了直接辐射之外，还可以激励表面波，从而产生轴向 辐射。因此，在设计中必须给予考虑。这些表面波是TM型和TE型，它 们传播到微带贴片之外的基片中。当沿微带贴片传播的准TEM波相速接 近于表面波相速时，就出现了波间的强耦合。这类表面波耦合的最低频 率确定了微带天线工作频率的上限。 最低次TM模的截止频率没有下限，高次模（TMn和TEn）的截止频率为 式中，c是真空中的光速；n=1，3，5，（TEn模），或n = 2，4，6 （TMn模）。对于TE1模，以duroid（r = 2.32）和氧化铝（r = 10）为基 片时，h / c（c为截止波长）的计算值分别为0.217和0.0833。因此，最 低次TE模对于0.16cm厚的duroid基片，在约41GHz上可以激励起来，对 于0.0635cm厚的氧化铝陶瓷基片，在约39GHz上可以激励起来。 由于TM0模的截止频率没有下限，所以，在开路微带天线上，总能激励 到相当程度，甚至在介电常数较低而且非常薄的基片上，也能以近于光 速的相速传播起来。计算表明，当h / 0 0.09（r 2.3的基片）和h / 0 0.03（r 10的基片）时，表面波的激励就相当可观了。因此，一般来 说，在特定的应用中，如果按照上面的表面波抑制条件来选择基片，表 面波的影响就可不必考虑。 微带天线的辐射原理 以矩形微带天线为例，用传输线模分析法介绍它的辐射原理。 设辐射元的长为l，宽为w，介质基片的厚度为h，现将辐射元、介质基 片和接地板视为一段长为l的微带传输线，在传输线的两端断开形成开路 。 根据微带传输线理论，由于基片厚度h 0.09（r 2.3的基片）和h / 0 0.03（r 10的基片）时，表面波的激励就相当可观了。因此，一般来说， 在特定的应用中，如果按照上面的表面波抑制条件来选择基片， 表面波的影响就可不必考虑。 单元宽度 设计的第一步是选择具有适当厚度的合适的介质基 片。对于介质基片厚度为h，天线工作频率为fr以及 有较高效率的辐射器，其实用宽度是 （3-30） 式中，c是光速。当选用小于式（3-30）的宽度时， 辐射器的效率较低，而选用大于式（3-30）的宽度 时，辐射器的效率虽较高，但这时将产生高次模， 从而引起场的畸变。 在图3-14中，对三种常用介质基片画出了式（3-30）的曲线 。 图3-14 不同介质基片的单元宽度与频率的关系曲线 单元长度 一旦知道了W，则线伸长l和等